半導体デバイスの電極 ー金属／半導体界面ー

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1 半導体デバイスの電極 ー金属／半導体界面ー
半導体デバイスの電極 　　ー金属／半導体界面ー 小出　康夫 京大院工 2019/2/25

2 １．半導体デバイス電極の基礎 ・Schottky障壁の形成機構 ・金属／半導体界面の電気伝導機構 ・コンタクト抵抗とその測定法
内　容 １．半導体デバイス電極の基礎 ・Schottky障壁の形成機構 ・金属／半導体界面の電気伝導機構 ・コンタクト抵抗とその測定法 2．化合物半導体のオーム性電極 従来の材料開発原理 n-GaAsに対するオーム性電極材料 2019/2/25

3 3. ワイドギャップ半導体の オーム性電極材料開発
3. ワイドギャップ半導体の 　オーム性電極材料開発 p型ダイヤモンド p型ZnSe p型GaN 2019/2/25

4 化合物半導体デバイス 2019/2/25

5 ショットキー障壁の形成機構 2/25/2019

6 Schottky障壁高さ(SBH) 2019/2/25

7 ショットキー障壁形成の 歴史的モデル ・Schottkyモデル（1940年） ・Bardeenモデル（1947年） 2019/2/25

8 Schottkyモデル F m  S Bn - = 2019/2/25

9 Bardeenモデル ・fB は半導体特有の値 ・半導体表面の高濃度欠陥に支配 2019/2/25

10 ショットキー障壁高さ(SBH)と金属仕事関数
2019/2/25

11 主要なSBH形成モデル 2019/2/25

12 主要なSBH形成モデルまとめ 2019/2/25

13 種々半導体のエネルギーギャップと電荷中性準位(CNL)との関係
2019/2/25

14 金属／半導体界面の電気伝導機構 2/25/2019

15 金属／半導体界面の電気伝導機構 Thermionic Emission (TE) Thermionic Field
Emission (TFE) Field Emission (TFE) 2019/2/25

16 Schottky障壁を通したトンネル電流
トンネル確率 フェルミ・ディラック分布関数 2019/2/25

17 オーム性のTFE及びFE機構の意味 2019/2/25

18 コンタクト抵抗の定義 2019/2/25

19 コンタクト抵抗率rc 2019/2/25

20 コンタクト抵抗の測定法 (1) ケルビン法 (2) Transmission line model (TLM)法 ・矩形型 ・円形型
(1) ケルビン法 (2) Transmission line model (TLM)法 ・矩形型 ・円形型 2019/2/25

21 コンタクト抵抗の測定 クロスケルビン法 2019/2/25

22 コンタクト抵抗の測定 Transmission Line Model (TLM) 法 2019/2/25

23 Transmission line model (TLM) 法
2019/2/25

24 TLMのモデル設定 2019/2/25

25 トランスファー長, LT 2019/2/25

26 TLMプロットとコンタクト抵抗RＣ 2019/2/25

27 TLMから求めたコンタクト抵抗の意味 2019/2/25

28 円形TLM (Circular TLM)法 2019/2/25

29 円形TLM法のプロット 2019/2/25

30 トランスファー長とエピ層シート抵抗の関係
2019/2/25

31 CTLM法におけるコンタクト抵抗が全抵抗に占める割合
2019/2/25

32 第１部　おわり 2019/2/25