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セラミックス 第10回 6月24日(水)  セラミックスの物性②.

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1 セラミックス 第10回 6月24日(水)  セラミックスの物性②

2 補足: 1. アルミナセラミックス・・・酸化物セラミックスの代表 特徴:セラミックスの中で最も使用量が多く、かつ古い歴史をもつ代表的材料
1. アルミナセラミックス・・・酸化物セラミックスの代表  特徴:セラミックスの中で最も使用量が多く、かつ古い歴史をもつ代表的材料     (・・・1930年,ドイツ・ジ-メンス社による自動車用スパ-クプラグ        の絶縁体が最初の実用材料)  主要機能特性[:図1,図2,表1,図3参照]   :①電気・電子的機能,②機械的機能,③熱的機能,    ④生物・化学的機能, ⑤光学的機能

3 図1 アルミナセラミックスの特性と用途

4   図2 アルミナセラミックスの       図3 アルミナセラミックスの
         高温強度               絶縁特性

5 高純度かつ  微粒が最良 表1 アルミナセラミックスの構造特性

6 :①電気・電子的機能・・・電気絶縁性(ex.スパ-クプラグ,IC基板, ICパッケ-ジ)[:図4,図5参照]
応用例   :①電気・電子的機能・・・電気絶縁性(ex.スパ-クプラグ,IC基板,                ICパッケ-ジ)[:図4,図5参照]    ②熱的・機械的機能・・・高温高強度特性,耐摩耗性(ex.切削用工具,                                        エンジン用材料)    ③透光性機能・・・:単結晶Al2O3(サファイヤ・・・ex)人工宝石、腕時計用ガラス)                :高圧Naランプの発光管,高温用赤外線検知用窓材料                : 単結晶Al2ーxCrxO3(x=0.00067,ルビ-)                 ・・・固体レーザー発振素子(ルビー・レーザー)    ④生物・化学的機能・・・生体用材料(耐食性,機械特性,生体適合性良好) 図4 スパ-クプラグの構造

7  図5 アルミナ製IC基板とICパッケージ

8 2. ジルコニアセラミックス  ZrO2:1100℃で結晶変態(低温:単斜晶→高温:正方晶)                 ↓       数%の容積変化の発生(亀裂発生に伴う自己破壊の誘発)      ∴安定化剤の添加(CaO,MgO,Y2O3を数%~数十%添加)        ・・・室温で立方晶を呈し、高温での結晶変化がない       『安定化ジルコニア(Stabilized Zirconia)』        ・・・Zr4+とCa2+,Mg2+,Y3+の置換によって結晶格子中に酸          素イオンが不足し、酸素イオンの伝導体(=『固体電解質』)と         して応用→各種酸素センサ素子[:図6,図7,図8,図9参照]

9 『部分安定化ジルコニア(PSZ:Partially Stabilized Zirconia)』
                ↓       『部分安定化ジルコニア(PSZ:Partially Stabilized Zirconia)』        ・・・正方晶ZrO2(高温安定相),あるいは正方晶ZrO2+立方          晶ZrO2(安定化ZrO2)の混在構造          :強靱,高強度セラミックス材料          [機構]:PSZセラミックスに外力が加えられた場合、正方晶              構造が単斜晶構造に相転移して、外力を相転移時の              駆動エネルギ-として吸収する             ∴『結晶転移による強化機構』               ・・・TTZ(Transformation Toughened Zirconia)                特徴:①高強度,高靭性[:図10参照]                    ②熱伝導率は小さく(断熱性良好)                     熱膨張係数は金属に近い[:図11参照] PSZ :高温・高強度    構造材料 Y3+:結合手が3つ O2-のホールを介した       イオン伝導  (・・・結晶中を移動)  図6 Y2O3添加による ZrO2の安定化(単斜晶 から立方晶型への相転移) Zr4+:結合手が4つ O2-: 〃  が2つ

10 図7 安定化ZrO2固体電解質を用いた     図8 自動車用排気ガス用
    酸素センサの酸素濃度と起電力の関係     酸素センサ素子の構造     E=55.7log10PR/PM  (E:起電力,PR:大気中の酸素濃度,PM:被測定ガスの酸素濃度                             ex) 排気ガス中のCOまたはCO2濃度) PR(大気中のO2量) E(O2-のイオン伝導によって生じた起電力) = 55.7log10 PM(測定ガス中のO2量)

11 図9 ZrO2セラミックス用途

12  図10 部分安定化ZrO2(PSZ)の強度と破壊靭性(K1C)

13 図11 部分安定化ZrO2(PSZ)の熱伝導率と熱膨張係数

14 電気・電子・磁気的特性 (1)サ-ミスタ(thermistor)*)[:図4.7参照]特性
     [定義]:温度により材料の電気抵抗値が変化する性質                (温度調整、測定用の温度センサー用素子)   ①CTRサ-ミスタ(critical temperature controler):臨界温度サ-ミスタ   ②NTCサ-ミスタ(negative temperature controler)   ③PTCサ-ミスタ(positive temperature control thermistor) *) thermistor (:thermally sensitive resistor)  電気抵抗の特異な温度依存性を利用して、材料の電気抵抗を測定することにより温度を検出するセンサー素子 図4.7 3種類の代表的サ-ミスタ        の電気抵抗の温度依存性

15 ①CTRサ-ミスタ:結晶の構造変化が生じる相転移点で抵抗が急激に低下する材料
  V2O5:80℃以下(単斜晶系)では抵抗が負の温度係数を持った半導体      80℃以上(ルチル構造:正方晶系)では電気伝導度が2ケタ以上増加 (抵抗が急激に減少)し、金属的挙動[温度の増加につれ抵抗は増加する            ・・・抵抗:正の温度係数]を示す   応用:温度スイッチなどの各種センサ材料 ②NTCサ-ミスタ:抵抗が温度上昇に伴って単調(指数関数的)に減少する材料           (CTRサ-ミスタとは異なり、相転移には無関係)   不純物注入型遷移金属酸化物(Fe2O3-Ti系,NiO-Li系),   ZrO2-Y2O3系,SiCなど   応用:ダイオ-ド,ヒュ-ズ,各種温度スイッチ類など ③PTCサ-ミスタ:相転移点で抵抗が急激に上昇する材料(NTCサ-ミスタとは          異なって、抵抗は温度上昇に伴って増加し、かつCTRサ-ミスタ同様,          結晶の相変化に起因する)           ・・・正方晶-立方晶変態に伴う抵抗変化   応用:電圧異常と回路の短絡保護材料・・・大電流が流れると、サ-ミスタの温度      が上昇し,抵抗値が増加し電流量を低下させる

16 サーミスタ(Thermistor, Thermally sensitive resistor)の種類
NTCサーミスタ(Negative Temperature Coefficient) :温度が上昇すると抵抗値が連続的に減少する (2)PTCサーミスタ(Positive Temperature Coefficient) :温度が上昇すると特定の温度以上で抵抗値が         急激に増加するサーミスタ (3)CTRサーミスタ(Critical Temperature Thermistor) :温度が上昇すると抵抗値が急激に減少する

17 ※NTCサーミスタ(温度制御用センター素子として多用)の 温度と抵抗値の関係式
                     温度と抵抗値の関係式 R:温度Tにおける抵抗値 T:温度(K) R0:基準温度T0における抵抗値 T0:基準温度(K) (一般に25℃(=298K)を使用) B:定数 [身近な用途] 電子体温計、冷蔵庫、冷凍庫、エアコンの制御用温度センサー      (その他:OA機器、カーエアコン、自動車エンジン用温度計(センサー)

18 (2)バリスタ(variable resister)特性 [定義]:電流-電圧特性が非直線的なセラミックス半導体材料
(2)バリスタ(variable resister)特性  [定義]:電流-電圧特性が非直線的なセラミックス半導体材料   (電圧が増加すると抵抗が急減し、非オ-ム則を示す材料)   [:図4.8,図4.9参照]   ・・・低電圧ではバリスタは温度依存性が小      さいが、ある臨界降伏電圧VBで突然      抵抗値が消失し電流が急激に増加する ※V=IRに従わない  図4.8 ZnOバリスタの        典型的なI-V特性     (電流はVBで急速に増加)       図4.9 ZnOとSiCのバリスタ特性  用途:①整流器で発生する異常電圧から、回路素子を保護      ②落雷,高電圧の流入による電気回路の破壊防止用

19 (3)誘電体特性[:図4.10参照]   :絶縁体と同等な挙動をとるが、電界を印加した場合に定常電流は流れないが、   電荷を蓄積できる特性(コンデンサー特性)を有する材料[:図4.11,図4.12参照] ①常誘電体:誘電率の低い物質[:BaTiO3の高温相(立方晶型)] ②強誘電体:外部電界によって双極子モ-メントが整列することによって自発分極が       発生し、かつ自発分極の方向が変化できる物質       [:BaTiO3の低温相(正方晶型)] ③反強誘電体:自発的な双極子の配列が結晶内で平行になるよりも、反平行になる方が        安定な物質[:ジルコン酸鉛(PbZrO3)] 図4.10 電界を印加した時の誘電体の分極モデル

20

21 :誘電率 :電極面積 :電極間距離(誘電体の厚さ)

22  図4.11 BaTiO3の結晶構造    図4.12 BaTiO3の誘電率の
                        温度依存性(εa:a軸方向の誘電率,                               εc:c軸方向の誘電率)

23 補足: BaTiO3,SrTiO3セラミックス
 高誘電率材料,強誘電体材料の代表・・・小型大容量のセラミックスコンデンサの開発                    [:図1,図2,表1参照] 図1 BaTiO3,SrTiO3セラミックス材料の応用分野

24 図2 BaTiO3セラミックスの比誘電率ε/ε0と誘電損失tanδ
       の温度特性     ・・・コンデンサの静電容量C : C=ε・A/t[F]          εs:比誘電率(εs=ε/ε0,ε:誘電率)          ε0:真空中の誘電率(8.854×10-12[F/m])           A:電極面積[m2],           t:セラミックス素子の厚さ[m] 比誘電率が大きいほど、同一形状での大容量のコンデンサとなる          (→同一容量のコンデンサを小型化できる)

25 表1 アルミナ,ジルコニア,チタニア(TiO2)とBaTiO3,
        SrTiO3セラミックスの結晶構造

26 (4) PZTセラミックス  Pb(Zr,Ti)O3セラミックス[:図4.13参照]   ・・・圧電性セラミックスの代表的材料       基本機能(・・・電気-機械変換素子)[:図4.14,表4.4参照]        :①圧力→電気        ②電気→振動・変位      ③電気→振動→電気 図4.13 Pb(Zr,Ti)O3セラミックス [:PZT]の応用例

27  図4.14 圧電セラミックスの3種類の基本的機能

28 表4.4 PZTとBaTiO3セラミックスの圧電特性の比較

29 フェライト,酸化鉄セラミックス[:図4.15,表4.5参照]
(5) 磁性体セラミックス  フェライト,酸化鉄セラミックス[:図4.15,表4.5参照] 軟磁性材料(ソフト)   (ex.磁気ヘッド材料) 半硬磁性材料 (セミハード) (ex.磁気記録材料) 硬磁性材料(ハード) (ex.永久磁石) 図4.15 磁性体セラミックス (フェライト,酸化鉄セラミックス)の用途

30 フェライトの一般式:M・Fe2O4・・・M:2価の金属イオン (M = Mn, Ni, Zn, Ba, Sr,・・・)
表4.5 代表的な鉄酸化物系化合物 α-Hematite γ-Hematite Fe(Fe2O4) 磁鉄鉱,黒鉄 特性良好 (永久磁石) フェライトの一般式:M・Fe2O4・・・M:2価の金属イオン                      (M = Mn, Ni, Zn, Ba, Sr,・・・) **酸化鉄、(磁性体酸化鉄)・・・Fe3O4:マグネタイト 「主な用途」: ①ビデオテープ用磁性体          ②音声録音(カセットテープ)用磁性体          ③モータ回転用マグネット(ex.PC用ハードディスクドライブモーター)          ④スピーカー用マグネット BaO・6Fe2O3 SrO・6Fe2O3 磁気記録用磁性体粉末 現在:CD,MO,MD(光磁気記録用メディア材料  (※ ビデオテープ、フロッピーディスクは全てγ-Fe2O3粉末を使用)


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