九大院理 山口 祐幸 相良 建至、寺西 高、藤田 訓裕 谷口 雅彦、岩淵 利恵、大場 希美、松田 沙矢香 九大院理 山口 祐幸 相良 建至、寺西 高、藤田 訓裕 谷口 雅彦、岩淵 利恵、大場 希美、松田 沙矢香
4He+12C16O+g 反応断面積測定 低BG環境 十分に厚い膜無しHeガスターゲット 大強度ビーム 恒星のエネルギー(Ec.m.=0.3MeV)での4He(12C,16O)γ反応断面積は非常に小さい →Ec.m.=2.4MeV~0.7MeVまでを測定し、 Ec.m.=0.7MeV~0.3MeVまでを外挿する エネルギーが低く、反応断面積が小さいため Ecm =0.7 で 反応断面積は1 pbarn 低BG環境 十分に厚い膜無しHeガスターゲット 大強度ビーム Total S-factor of 4He+12C 16O+g Ruhr U. Kyushu U. extrapolation
4He(12C,16O)γ実験セットアップ 12C+4He →16O+g 12C 16O イオン源 タンデム加速器 12C beam 検出器 (Si-SSD) イオン源 12C beam タンデム加速器 膜無しHeガスターゲット 第1集束面（F1） Long-time chopper chopper buncher 12C+4He →16O+g 16O 12C Recoil Mass Separator (RMS) 第2集束面（F2）
粒子分析器(RMS) Magnetic deflector (p/q) Electric deflector (E/q) F2 F1 Si SSD 16O３+ F2 F1 12C+ パルスビーム 4He ガスターゲット 3m v ∝(E/q)/(p/q) m/q ∝ (p/q)/v
Long Time Chopper (LTC) Si SSD 幕無し4He ガスターゲット Long-time chopper 3m f1=6.1MHz V1=±24.7kV f2=3×f1 V2=V1/9 + Flat-top
2009年9月の4He(12C,16O)γ反応断面積測定実験 Ec.m.= 1.5 MeV 16O
BG発生源 ① ② ③ 12C+4He 16O+g at Ec.m.= 1.5 MeV 対策3 対策１ ① 対策2 ② ③ target F1 16O３+ ① ② 12C+ パルスビーム ③ Electric deflector Si SSD Long-time chopper 12C+4He 16O+g at Ec.m.= 1.5 MeV 対策3 対策１ ① 対策2 ② ③
対策１：LTC極板での12Cの散乱 スリット ～ magnet ～ BG C beam 16O F1
対策2：スリットによる12Cのエッジ散乱 スリット BG C beam 16O３+ 12C+ パルスビーム Si SSD 16O３+ 12C+ パルスビーム Si SSD 幕無し4He ガスターゲット Long-time chopper 3m
ターボ分子ポンプ 対策3：飛行中の12Cの荷電変換 Electric deflector (E/q) Magnetic deflector 幕無し4He ガスターゲット Electric deflector (E/q) Magnetic deflector (p/q) 16O３+ 12C+ パルスビーム Si SSD 排気 ターボ分子ポンプ
今年の9月の実験でEcm＝ 1.5MeV での全断面積測定に成功した。 4He(12C,16O)γ at Ec.m.= 1.5 MeV
Total S-factor of 4He+12C 16O+g Ruhr U. Kyushu U. extrapolation
まとめ Total S-factor of 4He+12C 16O+g Ruhr U. Kyushu U. extrapolation