M.Taguchi(kyoto) 5/17 KEK測定器開発室ミーティング
レーザー レーザーヘッドの部分にPIN photo diodeを取り付けてトリガー信号を作った トリガーレート~8kHz スポットサイズ~数μm 最小移動距離0.02μm 安定性~1時間で数% 光量~3,4p.e レーザーon,offで 10~20%光量が変化する 1ピクセル内でのefficiencyの分布 7μm
HPK100ピクセル
1ピクセル内スキャン クロストーク ゲイン efficiency RMS/mean=2% バイアス電圧=68.8V 0.25
全ピクセルスキャン ゲイン efficiency クロストーク バイアス電圧=68.8V RMS/mean=3% 0.22
HPK400ピクセル
1ピクセル内スキャン ゲイン クロストーク efficiency RMS/mean=1.7% バイアス電圧=68.8V 0.25
全ピクセルスキャン クロストーク ゲイン efficiency バイアス電圧=68.8V RMS/mean=3.4% 0.18
ロシア製600ピクセル
1ピクセルスキャン 真ん中の丸いところと抵抗の部分でefficiencyがおちている バイアス電圧=51.0V
100ピクセルスキャン この辺の100ピクセルをピクセルごとにスキャン efficiency バイアス電圧=51.0V RMS/mean=10%
赤外線カメラ@富士実験棟 ノイズの分布を調べる（ノイズが全体に分布しているのか、局所化しているのか）
HPK5-53-1A-12 バイアス=75V カレント=8μA ピクセルのエッジから放電パルス
ロシア製1710-042 バイアス=51.0V カレント=6μA カレントが多く流れていたサンプル
一部のピクセルに大きなカレントが流れている
HPK311-32-1A-002-4(400ピクセル) バイアス電圧=69.4V、ノイズレート=1MHz（T2Kでの使用領域) ぼんやりとピクセルの構造が見える→ノイズは局所化していない
まとめ 現在最もPDEが高いHPK製サンプルについて、100ピクセル、400ピクセル共にピクセル内、ピクセル毎の応答はよくそろっており、T2Kでの使用に向け一歩前進 買ったもの シリコン PIN photo diode PMT APD
Back up
100ピクセル1次元スキャン 1ピクセル内を0.5μmずつスキャン efficiency 有効面積比=46％ 68μm 100μm
400ピクセル1次元スキャン efficiency 有効面積比=55% 37μm 50μm
ブレイクダウン電圧のピクセル毎の違い 100ピクセル 400ピクセル RMS=0.05V RMS=0.1V