サイプレスは業界で最もエネルギー効率の良い 2Mb/1Mb不揮発性RAMソリューションを提供します

Presentation on theme: "サイプレスは業界で最もエネルギー効率の良い 2Mb/1Mb不揮発性RAMソリューションを提供します"— Presentation transcript:

1 サイプレスは業界で最もエネルギー効率の良い 2Mb/1Mb不揮発性RAMソリューションを提供します
2Mb/1Mb F-RAM 新製品のご紹介 サイプレスは業界で最もエネルギー効率の良い 2Mb/1Mb不揮発性RAMソリューションを提供します 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）

2 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
不揮発性RAM（NVRAM）の全世界TAM1は 年に5億9000万米ドルで、 　　2018年まで年平均成長率が10%である予測。 サイプレスのNVRAMは、これら高成長のNVRAM市場に提供されます： 多機能プリンタ 工業用制御およびオートメーション スマートメーター 車載電子部品 コンピューティングおよびネットワーキング これら市場に提供される高性能のシステムは電力喪失時に 　　データを瞬時かつ正確に取り込むことを必要とします シンプルで電池不要でエネルギー効率の良いシステムが望まれます 代替ソリューションであるEEPROMおよびバッテリ バックアップSRAMは 　　上記いずれの要求にも対応できません 高性能のシステムは、高速で、信頼性が高くて、シンプルで、 　　エネルギー効率の良い不揮発性 メモリを必要とします 1 Total Available Market、ある商品の最大可能市場規模のこと。「有効市場」とも。 2 Web-Feet Research社 パラレルF-RAM シリアルF-RAM 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 3a

3 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
サイプレスはNVRAM市場のリーダー サイプレスは、シリアルとパラレル不揮発性 RAM 製品分野で最多の品揃えを提供 F-RAM™：業界で最もエネルギー効率の良いシリアルNVRAM nvSRAM：業界最速のパラレルNVRAM サイプレスは、業界で最もエネルギー効率が良く、信頼性が高いF-RAM製品の幅広い品揃えを提供 F-RAMは最先端のEEPROMの消費電力の30%を消費し、書き換え回数1 億回を提供 メモリ容量は 4Kb ～ 2Mb、電圧範囲は 2.0V ～ 5.5V SPI と I2C シリアル F-RAM 製品を SOIC8、DFN8、EIAJ パッケージで提供 リアルタイムクロックとカウンタ内蔵F-RAM製品も提供 サイプレスは、業界最速のパラレルnvSRAM製品を広範囲に提供 アクセス時間20ns～45ns、無制限の書き込み／読み込みサイクル回数 メモリ容量64Kb ～ 16Mb、3.0Vと5.0Vの電源電圧、1.8VのI/O電圧 非同期 x8, x16, x32 SRAM パラレルインターフェースを多種多様のパッケージで提供 リアルタイムクロック内蔵 nvSRAM 製品を提供 サイプレスは： F-RAMとnvSRAM製品を量産した最初の会社であり、25年以上の実績があります 新製品に重点を置いた投資を続けています 最も厳しい自動車用と軍用規格に準じた製品の提供に取り組んでいます F-RAMとnvSRAM製品の長期間供給を保証します 10億個以上のNVRAM製品を出荷しています サイプレスは、世界一クリティカルなデータを取り込み保護するために、業界で最速、 　　最もエネルギー効率が良く、最も信頼性が高い NVRAM ソリューションを提供しています 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 3b

4 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
サイプレスNVRAM 2MbシリアルF-RAM 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）

5 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
シリアル不揮発性メモリの用語 不揮発性 メモリ（NVM） 電力喪失時に情報を保持するメモリ 不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM） アドレスを指定してアクセスし、データを順不同で格納できる不揮発性メモリ 強誘電体ランダムアクセスメモリ（F-RAM） 高速書き込み、高耐久性、省エネルギーの不揮発性メモリであり、データを保存するために強誘電体技術を使用するもの 電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（EEPROM） フローティングゲート技術を用いてデータを保存する、普通の不揮発性メモリ ページ書き込み 固定長の連続したメモリ ブロックへの書き込み 内部書き込み時間 データが入力バッファに入れられた後、EEPROM がページ書き込みを完了するのに必要な 5ms の時間 書き換え回数 不揮発性メモリセルが寿命に至るまでの書き換え可能な回数 消去回数の平均化 最大 8 倍の余剰容量を持つ EEPROM とソフトウェアアルゴリズムを使用して、セルの書き換え回数が 限界に達する前にストレージを未使用のアドレスに移動する、EEPROM の書き換え回数を向上させる方法 AEC-Q100 自動車向け電子部品評議会により規定された品質規格であり、ICの信頼性を検証し、 それらを 車載用アプリケーションに適合させるために使用されます 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 4

6 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
シリアル NVM 設計の問題 1. 多くの電子機器では、電力喪失後にシステムデータを不揮発性メモリに確実に保存する必要があります EEPROM は、ページ書き込みに 5ms の内部書き込み時間を要し、その間電力を維持する必要があります 内部書き込み時間は電力喪失時のページ書き込みのためにコンデンサか電池を必要とし、 そのためコストが増え信頼性が低下します メモリが放射線および／または磁場への曝露に起因して破壊された時に、 必要不可欠なデータが失われる可能性があります 2．多くのデータロギングアプリケーションは、EEPROM の 100 万回の書き込みサイクルの限界を 超えています ウェアレベリングは、製品寿命まで EEPROM の書き換え回数を向上させるために必要です ウェアレベリングは、最大8倍のメモリ容量とソフトウェアの付加を必要とし、そのため設計工数とコストが増えます 3．EEPROMを使用しているシステムは、過剰な電力を消費します EEPROM の内部書き込み時間 5 ms のため ウェアレベリングに必要な処理のため サイプレスの2MbのシリアルF-RAMは、これら問題を全て解決します。これは： 内部書き込み時間がないので、電力喪失時にページ書き込みを完了させるためのコンデンサと電池を必要としません 100兆回の書き込みサイクルを提供し、ウェアレベリングを必要としません アクティブ時の消費電力がEEPROMより2～5倍少ない 放射線と磁場耐性F-RAMメモリ セルでデータを保護します サイプレスの2Mb F-RAMは、EEPROMの書き換え回数の1億倍でアクティブ時の消費電力が2～5倍少ない 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 5

7 シリアル F-RAM は優れたソリューション
従来型の複雑な EEPROM ベースの設計を 簡略化する・・・ シリアル不揮発性メモリに F-RAM を選択することにより・・・ ミッションクリティカルなアプリケーションをはじめ、多くのアプリケーションに、 より低いコストで優れたソリューションを提供する。 2Mbシステム用の2x2Mb ウェアレベリング用の8倍のEEPROM容量 複合プリンタ 工業用制御 スマートメーター 車載電子部品 ウェアラブルな医療機器 ファイルシステム コントローラ メモリ 摩耗したセル EEPROM書き換え回数を向上させるために ウェアレベリングを実行するソフトウェアアルゴリズム SOIC8 EEPROMを F-RAM にそのまま交換 内部書き込み時間 5ms の間 電力を維持するために付加するコンデンサ 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 6

8 サイプレス2MbシリアルNVRAMと 競合製品の比較
機能 F-RAM FM25V20 F-RAM MB85RS2MT EEPROM M95M02 SPI速度 40MHz 25 MHz 5MHz 書き込み遅延 0ms 5ms 書き換え回数（サイクル数） 1014 1013 4 x 106 書き込み周波数1 15,855年 159年 83分 アクティブ書き込み電流2 0.6mA 2.2mA 3mA データ保持期間 100年 10年 200年 車載用AEC-Q100 有 無 1 EEPROMの内部書き込み時間5msにより制限される同等の書き込み周波数 2 条件：最大電流、SPI、5MHz、2.7～3.6V、−40°C～+85°C 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 7

9 F-RAM ポートフォリオ 低消費電力 | 高い書き換え耐性
SPI F-RAM I2C F-RAM プロセッサ用 ワイヤレス メモリ パラレルF-RAM FM25V20A 2Mb；2.0～3.6V 40MHz SPI；Ind1 より高い密度 NDAが必要 営業担当者に連絡 ワイヤレス メモリ NDAが必要 営業担当者に連絡 FM28V202A 2Mb；2.0～3.6V 60ns；x16；Ind1 FM25H20/V20 2Mb；H20：2.7～3.6V V20：2.0～3.6V 40MHz SPI；Ind1 FM25V10/VN10 1Mb；2.0～3.6V 40MHz SPI；Ind1 FM24V10/VN10 1Mb；2.0～3.6V 3.4 MHz I2C；Ind1 FM28V102A 1Mb；2.0～3.6V 60 ns；x16；Ind1 512Kb～8Mb FM25V05 512Kb；2.0～3.6V 40MHz SPI；Ind1 FM24V05 512Kb；2.0～3.6V 3.4 MHz I2C；Ind1 FM25V02/W256 256Kb；V02：2.0～3.6V W256：2.7～5.5V 20-、40-MHz SPI；Ind1 FM24V02/W256 256Kb；V02：2.0～3.6V W256：2.7～5.5V 1-、3.4-MHz I2C；Ind1 FM33256 256Kb；3.3V；16MHz SPI Ind1；RTC3；電源異常 ウォッチドッグ；カウンタ FM28V020 256Kb；2.0～3.6V 35ns；x8；Ind1 FM18W08 256Kb；2.7～5.5V 70ns；x8；Ind1 FM25V01 128Kb；2.0～3.6V 40MHz SPI；Ind1 FM24V01 128Kb；2.0～3.6V 3.4MHz I2C；Ind1 FM31256/31(L)278 256Kb；3.3、5.0V；1MHz I2C； Ind1； RTC3； 電源異常 　　エラー；ウォッチドッグ；カウンタ FM1808B 256Kb；5.0V 70ns；x8；Ind1 FM25640/CL64 64Kb；3.3、5.0V 20MHz SPI；Ind1、オートE2 FM24C64/CL64 64Kb；3.3、5.0V 1-MHz I2C；Ind1、Auto E2 FM3164/31(L)276 64Kb；3.3、5.0V；1MHz I2C； Ind1； RTC3； 電源異常 　　エラー；ウォッチドッグ；カウンタ FM16W08 64Kb；2.7～5.5V 70ns；x8；Ind1 4Kb～256Kb FM25C160/L16 16Kb；3.3、5.0V 20MHz SPI；Ind1、オートE2 FM24C16/CL16 16Kb；3.3、5.0V 1MHz I2C；Ind1 FM25040/L04 4Kb；3.3、5.0V 20-MHz SPI；Ind1、Auto E2 FM24C04/CL04 4Kb；3.3、5.0V 1-MHz I2C；Ind1 1工業用グレード−40ºC～+85ºC 2 AEC-Q100 −40º C～+125º C 3 リアルタイムクロック 量産中 開発／企画中 新製品 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 10

10 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
2Mb SPIシリアルF-RAM アプリケーション ブロック図 多機能プリンタ 工業用制御 スマートメーター 車載電子部品 ウェアラブルな医療機器 F-RAM アレイ データ I/O レジスタ ステータスレジスタ アドレス レジスタ 命令レジスタ 制御ロジック シリアル入力 2Mb SPIシリアルF-RAM 4 制御 特長 高速のシリアル ペリフェラル インタフェース（SPI） 百兆回の読み出し／書き込み回数 シリアルEEPROMからの置き換え 動作電圧範囲： V 少ないスタンバイ電流（120µA）とスリープ電流（3µA） 100 年間のデータ保持 工業用温度範囲で動作 車載用動作温度 パッケージ：8ピンTDFN、8ピンSOIC シリアル 出力 資料 出荷予定 暫定版データシート：営業担当者まで サンプリング：Q2 2014（工業用）、Q3 2014（車載用） 量産：Q2 2014（工業用）、Q3 2014（車載用） 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 11

11 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
サイプレスNVRAM 2Mb/1MbパラレルF-RAM 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）

12 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
パラレル不揮発性メモリの用語 不揮発性メモリ（NVM） 電力喪失時にデータを保持するメモリ 不揮発性ランダム アクセスメモリ（NVRAM） アドレスを指定してアクセスし、データを順不同で格納できる不揮発性メモリ 書き換え回数 不揮発性メモリセルが寿命に至るまでの書き換え可能な回数 バッテリバックアップSRAM（BBSRAM） 電池を接続し、電力喪失時にデータを保持するSRAMメモリ 有害物質規制（RoHS） 電子電気部品における環境的有害物質の使用を除去するように規制する欧州連合（EU）による指令 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 4

13 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
パラレルNVM設計の問題 1. 多くのシステムには、高い書き換え回数を有する高速不揮発性メモリが必要です 従来のEEPROMおよびフラッシュ不揮発性メモリは、書き込み時間が遅く（> 1ms）、書き込み回数に限度があります。 メモリが放射線および／または磁場への曝露に起因して破壊された時に、必要不可欠なデータが失われる可能性があります 2．従来型のBBSRAMソリューションは望ましくないトレードオフを強いられます。 電池には電源管理 回路およびファームウェアが必要となり、システム コストを追加し、複雑さを増加させます。 コイン型電池はソリューションの信頼性を低減させ、寿命があり、システムの保守と一時停止が必要になります システム電源が回復する前に電池の電荷が失われるとデータを失う危険性があるので、早期に修理が必要です 電池クレードルが回路基板の面積を消費します 電池はRoHS規制に違反する重金属を含みます。 サイプレスの2Mb、1MbのパラレルF-RAMは、これらの問題を解決しますそれらは： 90nsの読み出し／書き込みアクセス時間および百兆回の書き込み回数の信頼性を提供します 放射線と磁場耐性F-RAMメモリ セルでデータを保護します システムの全ライフサイクルでは電力喪失の時にデータを保持する電池を必要としません 電力喪失時の外部電源管理回路やファームウェアを必要とせず、データを確実に保存できます 電池クレードルに必要な基板面積を必要としません RoHS指令に準拠しています サイプレスRoHS準拠の2Mb、1MbのパラレルF-RAMは、従来の不揮発性メモリよりも速くて、 　　信頼性が高くてBBSRAMソリューションより実装し易いです 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 5

14 パラレルnvSRAMは優れたソリューション
複雑な BBSRAMベースの設計を簡略化する・・・ パラレル 不揮発性メモリ ソリューションとしてF-RAMを選択することにより・・・ ミッションクリティカルなアプリケーションのために、より高い速度でより少ないコストでより高い信頼性を持つソリューションを提供します。 標準SRAMメモリ 工業用オートメーション コンピューティングおよびネッ トワーキング 電力喪失時にデータを保持するための電池 電池不要のパラレルF-RAMソリューション 電池を配置するために 必要な基板領域 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 6

15 サイプレス2MbパラレルNVRAMと 競合製品との比較
機能 F-RAM FM28V202 非同期 SRAM1 + 電池 R1LV0216BSB MB85R4002A2 MRAM MR2A16A3 容量 2Mb 4Mb アクセス時間 90ns5 55ns 150ns 35ns 電池 不要 有 無 アクティブ書き込み電流2 7mA 9mA 20mA 40mA RoHS準拠 データ保持期間 100年 5年 10年 20年 磁場による破壊リスク 有6 1 低消費電力2Mb非同期SRAM 2 富士通社製4Mb F-RAM；富士通社は2MbのパラレルF-RAMを提供していません 3 Everspin社製4Mb MRAM；Everspin社は2MbのパラレルMRAMを提供していません 4 条件：最大電流、x16、150ns、2.7～3.6V、−40°C～+85°C 5 アクセス時間がさらなる短縮したい場合は、20nsのアクセス時間に対応するnvSRAM製品のポートフォリオを参照してください。 6MRAMはモータや電磁石の近くに発生した磁場によって破壊される可能性がある 16Mb nvSRAM新製品プレゼンテーション（エンジニアリング） 7a

16 サイプレス1MbパラレルNVRAMと 競合製品との比較
機能 F-RAM FM28V102 非同期 SRAM1 + 電池 R1LV0108ESF MB85R1001A MRAM MR0A16A 容量 1Mb アクセス時間 90ns2 55ns 150ns 35ns 電池 不要 有 無 アクティブ書き込み電流3 7mA 9mA 15mA 36mA RoHS準拠 データ保持期間 100年 5年 10年 20年 磁場による破壊リスク 有4 1 低消費電力1Mb非同期SRAM 2 より高速なアクセス時間を必要とするアプリケーションでは、サイプレスのnvSRAMは、この密度での25nsのアクセス時間を提供しています 3 条件：最大電流、x16、150ns、2.7～3.6V、−40°C～+85°C 4MRAMはモータや電磁石の近くに発生した磁場によって破壊される可能性がある 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 7b

17 F-RAMポートフォリオ 低消費電力 | 高い書き換え耐性
SPI F-RAM I2C F-RAM プロセッサ用 ワイヤレス メモリ パラレルF-RAM FM25V20A 2Mb；2.0～3.6V 40MHz SPI；Ind1 より高い密度 NDAが必要 営業担当者に連絡 ワイヤレス メモリ NDAが必要 営業担当者に連絡 FM28V202A 2Mb；2.0～3.6V 60 ns；x16；Ind1 FM25H20/V20 2Mb；H20：2.7～3.6V V20：2.0～3.6V 40MHz SPI；Ind1 FM25V10/VN10 1Mb；2.0～3.6V 40MHz SPI；Ind1 FM24V10/VN10 1Mb；2.0～3.6V 3.4MHz I2C；Ind1 FM28V102A 1Mb；2.0～3.6V 60 ns；x16；Ind1 512Kb～8Mb FM25V05 512Kb；2.0～3.6V 40MHz SPI；Ind1 FM24V05 512Kb；2.0～3.6V 3.4MHz I2C；Ind1 FM25V02/W256 256Kb；V02：2.0～3.6V W256：2.7～5.5V 20、40MHz SPI；Ind1 FM24V02/W256 256Kb；V02：2.0～3.6V W256：2.7～5.5V 1、3.4MHz I2C；Ind1 FM33256 256Kb；3.3V；16MHz SPI Ind1；RTC3；電源異常 ウォッチドッグ；カウンタ FM28V020 256Kb；2.0～3.6V 70ns；x8；Ind1 FM18W08 256Kb；2.7～5.5V 70 ns；x8；Ind1 FM25V01 128Kb；2.0～3.6V 40MHz SPI；Ind1 FM24V01 128Kb；2.0～3.6V 3.4MHz I2C；Ind1 FM31256/31(L)278 256Kb；3.3、5.0V；1MHz I2C； Ind1； RTC3； 電源異常 　　　エラー；ウォッチドッグ ；カウンタ FM1808B 256Kb；5.0V 70ns；x8；Ind1 FM25640/CL64 64Kb；3.3、5.0V 20MHz SPI；Ind1、オートE2 FM24C64/CL64 64Kb；3.3、5.0V 1MHz I2C；Ind1、 オートE2 FM3164/31(L)276 64Kb；3.3、5.0V；1MHz I2C； Ind1； RTC3； 電源異常 　　　エラー；ウォッチドッグ ；カウンタ FM16W08 64Kb；2.7～5.5V 70 ns；x8；Ind1 4Kb～256Kb FM25C160/L16 16Kb；3.3、5.0V 20MHz SPI；Ind1、オートE2 FM24C16/CL16 16Kb；3.3、5.0V 1MHz I2C；Ind1 FM25040/L04 4Kb；3.3、5.0V 20MHz SPI；Ind1、オートE2 FM24C04/CL04 4Kb；3.3、5.0V 1MHz I2C；Ind1 1工業用グレード−40ºC～+85ºC 2 AEC-Q100 −40º C～+125º C 3 リアルタイムクロック 量産中 開発／企画中 新製品 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 10

18 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
アプリケーション ブロック図 工業用オートメーション コンピューティングおよびネットワーキング 2MbパラレルF-RAM 列デコーダ F-RAMアレイ 17 アドレス アドレス ラッチ 特長 非同期パラレル インターフェース：25nsのアクセス時間、 x8、x16、x32のバス 百兆回の読み出し／書き込み回数 動作電圧範囲： V 少ないスタンバイ電流（120µA）とスリープ電流（3µA） 100年間のデータ保持 工業用温度範囲で動作 パッケージ：44ピンTSOP II 行デコーダ 5 制御 ロジック I/Oラッチ&バス ドライバ 16 制御 データ 資料 出荷予定 暫定版データシート：営業担当者まで サンプル：Q2 2014 量産：Q2 2014 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 11a

19 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
アプリケーション ブロック図 工業用オートメーション コンピューティングおよびネットワーキング 1MbパラレルF-RAM 列デコーダ F-RAMアレイ 16 アドレス アドレス ラッチ 特長 行デコーダ 非同期パラレル インターフェース：90nsのアクセス時間、 x16バス幅 百兆回の読み出し／書き込み回数 動作電圧範囲： V 少ないスタンバイ電流（120µA）とスリープ電流（3µA） 100年間のデータ保持 工業用温度範囲で動作 パッケージ：44ピンTSOP II 5 制御 ロジック 16 制御 I/Oラッチ&バス ドライバ データ 資料 出荷予定 暫定版データシート：営業担当者まで サンプル：Q2 2014 量産：Q2 2014 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 11b

20 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
活動開始に当って F-RAMのSPIガイドをダウンロード オンライン技術サポートを受けるために 、 暫定版データシート：営業担当者まで インフォテインメント システム Hyundai社製 自動車安全システム Hyundai社製 モータ制御SEW社製 スマート E メーター Landis ＋ Gyr社製 複合プリンタ リコー社製 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 12

21 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
付録 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 15 21

22 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
製品セレクタ ガイド 2MbシリアルF-RAM部品番号 インターフェース 周波数 電源電圧（Min.） 電源電圧（Max.） 温度 パッケージ FM25V20A-DG SPI 40MHz 2.0V 3.6V -40-85° C 8-TDFN FM25V20A-G 3.6 V 8-SOIC FM25V20A-DGQ 33MHz ° C CY15B102Q-SXE 25MHz -40～125° C 2MbシリアルF-RAM部品番号デコーダ FM 25 V 20 A – XX X 温度範囲：空白 = 工業用、Q = 拡大された工業用 パッケージ：DG=8-TDFN、G=SOIC ダイ改訂： 密度：20=2Mb 電圧：2.0～3.6V インターフェース：25 = SPI 会社ID：FM = Cypress CY 15 B 102 Q – S X E 2Mb車載用シリアルF-RAM部品番号デコーダ 温度範囲：E = 車載用-E パッケージ：S = 8-SOIC インターフェース：Q = SPI 密度：102 = 2Mb マーケティング コード：15 = F-RAM 会社ID：CY = サイプレス 電圧：B = V 鉛含有：X = 無鉛 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 16a

23 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
製品セレクタ ガイド 2Mb/1MbパラレルF-RAM 部品番号 インターフェース 容量 アクセス時間 バス幅 最小値電源電圧 最大値電源電圧 温度 パッケージ FM28V202A-TG 非同期パラレル 2Mb 90ns x16 2.0V 3.6V -40～85° C 44TSOP II FM28V102A-TG 1Mb 2Mb/1MbパラレルF-RAM部品番号デコーダ FM 28 V XXX A - TG パッケージ：TG = 8-TSOP II ダイ改訂： 密度：202 = 2Mb、102 = 1Mb 電圧：2.0～3.6V インターフェース：28 = 非同期パラレル 会社ID：FM = Cypress 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 16b

24 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
参考およびリンク サイプレス不揮発性製品ウェブサイト： 一般に公開された不揮発性製品のドキュメントおよび添付資料 サイプレス不揮発性製品ロードマップ：サイプレス不揮発性RAMロードマップ データシート、およびNDAロードマップについては、 アドレスまでご連絡ください。 アプリケーション ノート： 不揮発性製品アプリケーション ノート 知識ベース：不揮発性製品知識ベース記事 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 18

25 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
$4.32 $0.40 $0.50 $5.22 競合企業 競合製品 EEPROM：（2x）ST M95M02 2Mb 価格：（2 x $2.16）：$4.321 その他部材費 ページ書き込み毎の内部書き込み時間5ms： 　　次善のオプション追加の2.2mF基板静電容量 　　を必要とする 価格：$0.401 付加価値 ウェアレベリング ファームウェアの開発 新しいファームウェアの開発、試験および認証 $2,000/人週（100,000製品で償却済み） 追加価値：$0.50 ページ書き込み毎の内部書き込み時間5ms 部品表の統合化の価値 ウェアレベリング ファームウェアの開発 総付加価値 合計価格 サイプレスの対抗ソリューション： 合計費用； 4%の合計節約； FM25V20A-G $5.00 $0.22 11k単位の価格 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 19a

26 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
$2.12 $3.70 $5.82 $9.93 $0.12 $10.05 $18.11 競合企業 電池+クレードル 電源管理回路 その他部材費 出荷後の電池交換 基板面積の節約 付加価値合計 合計価格 競合製品 低消費電力SRAM：R1LV0216BSB-5SI 価格：$2.241 その他部材費 電池+クレードル：Panasonic CR Memory Protection Devices Inc. BH1000G-ND 価格：$2.121 電源管理回路：Maxim MXD1210ESA 価格：$3.702 付加価値 出荷後に電池交換する費用 価格：$9.933 基板面積の節約 価格：$0.124 $2.24 サイプレスの対抗ソリューション： 合計費用； 31%の合計節約； FM28V202A-TG $12.50 $5.61 1 1k単位の価格 2 メーカーのウェブサイトからの価格 3 $5.76（15年間に4回、電池代$1.44）+ 人件費：$4.17（15年間に4回 、人件費が$50/時間、交換時間を 電池1個につき75秒と見積もる） 48層のプリント基板の場合の、平方センチにつき0.01米ドル節約形式に基づいた、12.25平方センチに当たる削除金額 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 19b

27 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング）
競合製品 低消費電力SRAM：R1LV0108ESF-5SI 価格：$0.941 その他部材費 電池+クレードル：Panasonic CR Memory Protection Devices Inc. BH1000G-ND 価格：$2.121 電源管理回路：Maxim MXD1210ESA 価格：$3.702 付加価値 出荷後に電池交換する費用 価格：$9.933 基板面積の節約 価格：$0.124 競合企業 $0.94 電池+クレードル $2.12 電源管理回路 $3.70 部品表の統合化の価値 $5.82 出荷後の電池交換 $9.93 基板面積の節約 $0.12 付加価値合計 $10.05 合計価格 $16.81 サイプレスの対抗ソリューション： 合計費用； 43%の費用削減： FM28V102A-TG $9.66 $7.15 11k単位の価格 2 メーカーのウェブサイトからの価格 3 $5.76（15年間に4回、電池代$1.44）+ 人件費：$4.17（15年間に4回 、人件費が$50/時間、交換時間を 電池1個につき75秒と見積もる） 4 8層のプリント基板の場合の、平方センチにつき0.01米ドル節約形式に基づいた、12.25平方センチに当たる削除金額 2Mb/1Mb F-RAM新製品のご紹介（エンジニアリング） 19c