トランジスタのスパイスモデル 2011年4月20日(水曜日)

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1 トランジスタのスパイスモデル 2011年4月20日(水曜日)
トランジスタのスパイスモデル 1.Gummel-Poonモデル(パラメータモデル) 2.パワー・トランジスタモデル 3.ダーリントントランジスタモデル 4.デジタルトランジスタモデル(=BRTモデル) 2011年4月20日(水曜日) 株式会社ビー・テクノロジー Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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トランジスタのスパイスモデル トランジスタのスパイスモデル 1.Gummel-Poonモデル(パラメータモデル) 2.パワー・トランジスタモデル 3.ダーリントントランジスタモデル 4.デジタルトランジスタモデル(=BRTモデル) Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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Gummel-Poonモデル C RC RB + VBC - VBE CJC + VCE - + - CJS IB CJE IC RE E Gummel-Poonモデル(電荷蓄積効果制御モデル) Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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Gummel-Poonモデル PSpiceのBipolar Junction Transistorのモデルについて Gummel-Poonモデルを改良している。 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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Gummel-Poonモデル 順方向電流ゲインを定めるパラメータ ⇒IS,BF,NF,ISE,IKF,NE 逆方向電流ゲインを定めるパラメータ ⇒BR,NR,ISC,IKF,NC 順方向及び逆方向領域の出力コンダクタンスを定めるパラメータ ⇒VAF,VAR 抵抗(RB,RC,RE)、但し、RBは大電流依存性を持つ事が可能である。 ベース電荷蓄積の影響はキャリアのベース領域走行時間(TF,TR)と 接合容量(CJ,VJ,MJ)による非線型空乏層容量で定義される。 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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パワー・トランジスタモデル Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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パワー・トランジスタモデル *$ *Part Number=Q2SD882 *NEC *All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2010 .SUBCKT Q2SD882 col base emtr Q1 col base emtr QPWR .67 Q2 col base2 emtr QPWR .33 RBS base base2 60.5 .MODEL QPWR NPN (IS=221f NF=1.00 BF=188 VAF=98.6 ・・・・・・・・・・・・・(省略) + XTB=1.5 CJE=153p VJE=0.600 MJE=0.300 CJC=97.0p VJC=0.220 + MJC=0.200 TF=635p TR=301n EG=1.12 ) .ENDS Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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ダーリントントランジスタのスパイスモデル Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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ダーリントントランジスタのスパイスモデル R1,R2の測定 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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ダーリントントランジスタのスパイスモデル Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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ダーリントントランジスタのスパイスモデル *$ *2SD985,NEC *All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2010 .SUBCKT Q2SD985 col base emtr Q1 col base eb QPWR .1 Q2 col eb emtr QPWR R1 base eb 10.0k R2 eb emtr 500 D2 eb base DSUB .MODEL QPWR NPN (IS=1.80p NF=1.00 BF=234 VAF=139 ・・・・・・・(省略) ・・・・・・・ (省略) + VJC=1.10 MJC=0.240 TF=89.5n TR=1.70u ) .MODEL DSUB D( IS=1.80p N=1 RS= BV=60.0 + IBV=.001 CJO=30.5p TT=1.70u ) .ENDS Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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デジタルトランジスタのスパイスモデル *$ *PART NUMBER: RN1962FS *Q1,Q2 : VCEO=20V, IC=50mA *All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2010 .SUBCKT RN1962FS Q_Q B1 1 QN R_R B1 10k R_R2 B1 1 10k Q_Q B2 2 QN R_R B2 10k R_R4 B2 2 10k .MODEL QN NPN + IS=4.00E-14 BF= IKF=52.610E-3 ISE=6.375E-6 NE=34.522 ・・・・・・・(省略) ・・・・・・・(省略) + CJE=2.00E-12 CJC=2.00E-12 VJC=1.50 MJC=.1 + TF=10.00E-9 XTF=10 VTF=10 ITF=1 TR=10.00E-9 .ENDS ローム製品：デジタルトランジスタ 東芝セミコンダクター社製品：BRT Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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デジタルトランジスタのスパイスモデル IC-VI(ON) Characteristics Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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デジタルトランジスタのスパイスモデル IC-VI(OFF) Characteristics Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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デジタルトランジスタのスパイスモデル hFE-IC Characteristics Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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デジタルトランジスタのスパイスモデル VCE(Sat)-IC Characteristics Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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回路解析シミュレーション及びデバイスモデリングの情報提供 デバイスモデリング研究所( Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011

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デバイスモデリング スパイス・パーク(スパイスモデル・ライブラリー)　 デザインキット コンセプトキット(準備中) デバイスモデリング教材 【本社】 株式会社ビー・テクノロジー 〒 　東京都港区芝大門二丁目2番7号 7セントラルビル4階 代表電話: 設立日:2002年9月10日 資本金:8,830万円 【子会社】 Bee Technologies Corporation (アメリカ) Siam Bee Technologies Co.,Ltd. (タイランド) 本ドキュメントは予告なき変更をする場合がございます。 ご了承下さい。また、本文中に登場する製品及びサービス の名称は全て関係各社または個人の各国における商標 または登録商標です。本原稿に関するお問い合わせは、 当社にご連絡下さい。 お問合わせ先) Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011