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電子回路Ⅰ 第2回(2008/10/6) 今日の内容 電気回路の復習 オームの法則 キルヒホッフの法則 テブナンの定理 線形素子と非線形素子
電子回路Ⅰ 第2回(2008/10/6) 今日の内容 電気回路の復習 オームの法則 キルヒホッフの法則 テブナンの定理 線形素子と非線形素子 ダイオードの特性
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オームの法則 i v R
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キルヒホッフの法則 接点において 閉回路において I1 I2 I3 R1 R2 R3 R4 I4 V1 V2 I1 I2 I3
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キルヒホッフの法則の利用 接点Bにおいて I1 I2 R1 R3 R2 V1 V2 I3 A B C F E D 閉回路ABEFAにおいて
閉回路BCDEBにおいて 整理すると
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テブナンの定理 A 電源、抵抗、コンデンサ、コイル、・・・ ZL v0 iL A’ v0：A-A’間の開放電圧 等価
Z0：A-A’からの右の回路のインピーダンス A Z0 v0 iL ZL A’
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コンデンサ、コイルの場合 i i v v C L 積分 微分
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電圧、電流が一定の周波数のとき インピーダンス
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実効値での表記 位相のズレが発生
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実効値での表記を使うと 右の回路の複素インピーダンスZは R L 電圧源Vを接続すると、流れる電流Iは C
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線形素子 抵抗 R、 コンデンサ C、 コイル L 共通点 素子に流れる電流と、素子にかかる電圧が比例する
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非線形素子 素子に流れる電流と、素子にかかる電圧が比例しない
ダイオード、トランジスタ（バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ）、サイリスタ、トライアック、 ・・・・
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ダイオードのI-V特性と整流
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ダイオードを用いた回路 R I V=5.0V 上の回路において、ダイオードを右図の電圧、電流で使用したい。抵抗Rは何Ωにすればよいか？
答 回路に流れる電流は20mA。抵抗Rに20mA流れることによる電圧降下とダイオードの電圧降下3.4Vを合わせると5.0Vになるので、
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バイポーラトランジスタの静特性 IC コレクタ IB VCE ベース IE エミッタ 増幅 小さなベース電流で大きなコレクタ電流を制御
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電界効果トランジスタの静特性 IＤ ドレイン VDS ゲート ソース VGS 消費電力が小さい ゲート電圧でドレイン電流を制御
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