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電界効果トランジスタの動作原理 トランジスタを用いた回路のバイアス
電子回路Ⅰ 第４回(2008/10/27) 電界効果トランジスタの動作原理 トランジスタを用いた回路のバイアス
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今日の内容 電界効果トランジスタ(FET)とは？ FETの種類 接合型FETの構造 接合型FETの動作原理 MOSFETの構造
バイアス回路
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バイポーラトランジスタでは、ベース電流によってコレクタ電流を制御
電界効果トランジスタとは？ 電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor) 電界によってキャリア（電子、正孔）の流れる経路を変化させて、電流量を制御する素子 原理的には電界（＝電圧）のみ印加 バイポーラトランジスタでは、ベース電流によってコレクタ電流を制御
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FETの種類 接合型FET キャリアの移動する経路の幅を変化させて、電流を制御 MOSFET キャリアの密度を変化させて、電流を制御
集積回路、メモリなどで頻繁に利用されている どちらのタイプでもエンハンスメント型とデプレーション型がある
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接合型FETの構造（nチャネル） ゲート ソース ドレイン
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pn接合（前回の資料より） 接合直前 接合後 接合直後 アクセプタイオン ドナーイオン p n 空乏層 （空間電荷層） 電位
拡散によりキャリアが移動する 位置
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pn接合に逆バイアスを印加 p n 空乏層 （空間電荷層） バイアスを印加することにより、キャリアの存在できない領域を制御できる 電位 位置
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接合型FETの動作原理 ゲート電圧(VGS)によってチャネル幅を制御 VGSは逆バイアスなので、ゲート－ソース間に電流は流れない ゲート
ドレイン ソース
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MOSFETの構造（nチャネル） MOS ・・・ Metal – Oxide - Semiconductor
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ゲート電圧とチャネル VG<0 蓄積モード 0<VG<VT 空乏モード VG>VT 反転モード
VTのTはthresholdの頭文字 VG<0 蓄積モード 0<VG<VT 空乏モード VG>VT 反転モード
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MOSFETの動作原理 ゲート電圧(VGS)によってキャリア密度を制御 酸化膜（絶縁）があるので、ゲート－ソース間に電流は流れない
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nチャネルとpチャネル キャリアは電子 キャリアは正孔 電流の担い手は電子または正孔 ・・・ ユニポーラトランジスタ
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エンハンスメント型とデプレーション型 VGS増加でID増加 VGS増加でID減少
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nチャネル、pチャネル、エンハンスメント型、デプレーション型
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VGSとIDの関係は 入力と出力の関係はどのように定義するか？ バイポーラトランジスタでは a,b：電流増幅率 FETでは
C B RL IE 入力 IB 出力 IC VCE VBE バイポーラトランジスタでは a,b：電流増幅率 FETでは gm ：相互コンダクタンス 傾き=gm
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FETの回路記号 教科書の記号は古い 現在は○なし G2はSと同電位にすることが多い FET バイポーラTr ゲート ベース
ゲート ベース ソース エミッタ ドレイン コレクタ
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FETの基本的なバイアス回路 ゲートには逆バイアスを印加 ゲート電流は流れない ドレイン電流IDは次式で近似できる
IDSS：VGS=0におけるドレイン電流 VP：ピンチオフ電圧 n=1.5～2
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バイアス回路 なぜバイアス回路が必要か？ 微小信号iBを入力したとき、VBEに重畳して増幅する IBは交流信号（であることが多い）
トランジスタ、FETは負の電流は流せない 直流に交流を重畳して増幅 出力iCRC 入力iB
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入力と出力の関係 （ダイオードの場合） 出力 入力
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動作点の決め方 右の回路でどのようにR1を決めるか？ 使用するトランジスタの特性表を参照
出力の仕様（電力）によって抵抗RCと電源でVCCが決まる 負荷線の式 使用したい中心のICの値を決める 動作点
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FETのバイアス回路（2電源の場合） （nチャネル、デプレーション型）
ゲート電流は流れない(IG=0)ので、 RGの値は任意 負荷線
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FETのバイアス回路（1電源の場合） （nチャネル、デプレーション型）
ゲートバイアス用抵抗
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FETのバイアス回路 （nチャネル、エンハンスメント型）
R1とR2の比でゲート電圧を決める
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FETのバイアス回路 （デプレーション、エンハンスメント）
RSを入れると + + - - RS、 R1、 R2の選び方によって、 VGSは＋にもーにもできる
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例題 右図において、IDSS=10mA、VP=－0.80V、n=2.0のJFETをID=2.0mA、VDS=5.0Vで動作させたい。このときの回路定数（RD、RS）を求めよ。但しVG=2.0Vとする。 RD VDS 12V VGS VG RS
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