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第6回 メモリの種類と特徴 主記憶装置、ROM、RAM
明星大学 情報学科 2010年度後期 コンピュータ設計論 第6回 メモリの種類と特徴 主記憶装置、ROM、RAM @ DENGINEER
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本日 の メニュー 1.主記憶装置 2.ROM 3.RAM 4.演習
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1.主記憶装置(1) コンピュータの基本構成 CPU 入力装置 制御装置 演算装置 出力装置 補助記憶装置 データの流れ 制御の流れ
(ALU) 出力装置 補助記憶装置 データの流れ 制御の流れ 主記憶装置
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1.主記憶装置(2) メインメモリ(Main Memory) 実行するプログラムは、 必ず主記憶装置に置く必要がある。
プロセッサが直接アクセスする記憶装置。 半導体素子を使った ROMやRAM を利用する。 (ノイマン型のコンピュータでは) 実行するプログラムは、 必ず主記憶装置に置く必要がある。
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1.主記憶装置(3) プログラムの種類 Boot Program( Bootstrap )
システムの立ち上げ時に実行するプログラム。 ROM上に書き込まれた Initial Program Loader(IPL) により、システムの最小限の初期化と補助記憶装置の 有効化を行ない、補助記憶装置上のOSプログラムを 読み込んで起動する処理が多い。 BIOS ( Basic Input/Output System ) システムの基本的な入出力を制御するサブルーチンの 集合体。ROMに書き込まれることが多い
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1.主記憶装置(4) プログラムの種類 OS( Operating System ) アプリケーションプログラム
システムにおいて各種制御に関する処理を抽象化し、 応用や発展をしやすくするための、基本ソフトウェア。 規模が大きかったり、用途により種類が違ったり、 機能改善のためのメンテナンスで入れ替えたりするため、 補助記憶装置上に記録され、必要に応じて、主記憶装置 (主にRAM)に読み出して展開されることが多い。 アプリケーションプログラム 実際の業務処理を行なうような、応用プログラム。 OSによって主記憶装置上に展開されて起動し、 OSの機能を使って実行する。
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2.ROM(1) ROM(Read Only Memory) 読み出し専用の記憶装置。 ・電源を落としても、内容が消えない。
・内容の書き込みや消去には、特別な方法で 行なう必要がある。
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2.ROM(2) ROMの種類 マスクROM PROM(Programmable ROM)
半導体デバイス製造時に、書き込むデータを指定して、 半導体工場で、物理的に作りこんでしまうROM。 初期費用がかかるが、製造単価が抑えられたので、 大量生産向きだった。 最近は、PROMの製造コストが下がったのと、きめ細かな 要望に対応した少量多品種の商品が多くなったので、 あまり利用されなくなってきた。 PROM(Programmable ROM) 使用者がデータを書き込める(Programmableな)ROM。 ただし、書き込みには、特別な方法や手順が必要となる。
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2.ROM(3) PROMの種類 OTPROM(One Time PROM) UV-EPROM(UV Erasable PROM)
何も書き込まれていない状態の新品(Blank状態)の物に 1度だけ書き込むことができるROM。 1度書き込んだものは、消去できない。 UV-EPROM(UV Erasable PROM) 紫外線による消去が可能なROM。 紫外線を当てるための消去用窓が設けられている。 書き込んだものは、内容が消えないように、 窓に遮光シールを貼る。 書き込みには、書き込み用の高い電圧を加えるものが多い。
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2.ROM(4) PROMの種類 EEPROM(Electrical Erasable PROM) Flash ROM
消去には、手順や消去電圧印加時間が指定されている。 書き込みは、UV-EPROMと同様。 用語として狭い意味では、1バイト単位での消去と 書き換えが可能なものを指すことが多い。 Flash ROM EEPROMの一種。 消去用回路を共通化してブロック単位での消去とし、 密度や効率を上げたもの。 最近では、技術が向上して、書き換え可能回数や速度が 飛躍的に進歩している。
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3.RAM(1) RAM(Ramdom Access Memory) 読み書き可能な揮発性メモリ。 ・自由に読み書きできる。
・読み書きの速度が、速い。 ・電源を落とすと、内容が消えてしまう。
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3.RAM(2) RAMの種類 SRAM(Static RAM) FlipFlop回路で値を保持する方式のRAM。
という名称がついている。 動作速度が速いので、キャッシュメモリに使われる。 1ビット当たりの回路に必要な素子数が多いので、 ビット当たりのコストはDRAMに比べて、高い。 アクセス方法が簡素なため、小規模な組み込み機器にも 適する。
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3.RAM(3) RAMの種類 DRAM(Dynamic RAM) コンデンサで値を保持する方式のRAM。
一定時間を越えると放電してしまうので、常に値を 書き戻さなければならないので、Dynamic(動的) という名称がついている。 1ビット当たりの回路に必要な素子数が少なくてすむので、 ビット当たりのコストはSRAMに比べて、安い。 書き戻し動作(リフレッシュ)が必要なため、アクセスの 制御が複雑。
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3.RAM(4) DRAMの種類 SDRAM(Synchronous DRAM) 素子の内部でパイプライン動作を行ない、
外部クロックに同期してデータの読み出しが できるようにすることで、データが安定するまでの ウェイトをなくして、アクセスの高速化と性能向上を 図ったもの。 アクセスタイミングの設計が容易になり、高速動作時の 安定性が向上するというメリットがある。
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3.RAM(5) DRAMの種類 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)
2倍の速度でデータの読み出しができるようにしたもの。 DDR2 SDRAM(Double Data Rate2 SDRAM) DDR3 SDRAM(Double Data Rate3 SDRAM) DDR SDRAMの同期用クロックを、内部で2倍(DDR2)や 4倍(DDR3)にすることで、アクセス速度をさらに高めた もの。速度の向上に伴ない、電源電圧も低くなっている。 現在のコンピュータシステムのメインメモリの主流。
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3.RAM(6) DIMM(Dual Inline Memory Module) レイテンシ(Latency)
コンピュータシステムにおいては、高速化などのため 同じDRAM素子を複数で使用することが多い。 そのため、いくつかの素子をモジュール化したものを 規格化して1つの部品とし、汎用性を持たせたもの。 これにより、不具合時の交換やメモリ容量の増加等、 システムの柔軟性が高まる。 レイテンシ(Latency) 読み出しのきっかけを与えてから、実際の読み出しが できるようになるまでに必要な時間。 SDRAMにおいては、読み出しコマンド発行から、 読み出せるまでのクロック数で表す。
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