レイアウトアウトライン TM2005/5/25 4層(500μ)200mmSQ.

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1 レイアウトアウトライン TM2005/5/25 4層(500μ)200mmSQ. ボンディング効率から半分の６４ｃｈ/chipとする　　４個のVA1使用すると、合計２５６ｃｈある GEM Spacer hole 3.2Φx４　　　（117x117) 250本のストリップライン VA1ｘ８ チップ抵抗,　　コンデンサー　エリア;　6.25mm２ｘ４　　　=25mm２ ストリップピッチ；　　　400μ ストリップ幅　　　　　表面;80μ　　　　　裏面;340μ　　　カプトン厚　　　　　　　　50μ AC Couple? １００mmSQ. 4mm 2層 (50μ) 110mmSQ. 30mm

2 レイアウト 拡大 Ideas VA1 １００mmSQ. 80μ 320μ 表面拡大 340μ 60μ 裏面
TM2005/5/25 拡大 Ideas VA1 128ch 6.12x4.04mm t;0.6mm x90μ Pad size １００mmSQ. 150μx3mmPads 80μ 320μ 表面拡大 340μ 60μ 3mm 裏面

3 スルーホール詳細 VA1 side Bonding wire(25μAu) Teadrop 0.5mmSQ. Pad 0.3Φスルーホール
TM2005/5/25 VA1 side Bonding wire(25μAu) 150μx3mmPads Teadrop mmSQ. Pad 0.3Φスルーホール 千鳥 180μ線幅 スルーホール詳細 340μ 60μ

4 TM2005/5/25 80μ線幅 表面 ６本はGNDに 340μ線幅 １００mmSQ. 接続パッド GEM接続パッド 裏面

5 Ideas VA1 Die size;6.12mm x 4.04mm thickness;600μ
TM2005/5/25 Ideas VA1 Die size;6.12mm x 4.04mm thickness;600μ Input bonding pads;pad size;50μx90μ pad pitch;91.2μ 　Output and power bonding pads;pad size;90μx90μ pad pitch;200μ Radiatin hardness;1Mrad Power rails;Vdd=2V ,Vss=‐2V Gain;12.5mV/fC nominal with differential outputs each driving 500Ω Current gain is about 10μA/fC. The gain depends on setting paramet- ers like VFS,Sha-bias etc.　 問題点　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１）ベアチップと基板のワイヤーボンディング後のワイヤー保護　　　２）基板等の反りによるワイヤーへのストレス　　　　　　　　　　　　　　３）量産時での対応 オプテカルセメント(belle;坪山氏）アラルダイト系

6 VA1 Power,Control,DAQ etc.
TM2005/5/25 VA1 Power,Control,DAQ etc. -Vdd;2V Vss;-2V Power dissipation;68～177mW→544～1416mW DC‐DC Converter; LT1963 , LM2991(1.5A,1A) -External power tab? -DAQ board(KEK-VME6U) -Analogue-OUT(1kΩ/1kΩ termination) ; I to V

7 ADC -CS ADC;camac,16CH RPC022
-V792(CAEN);vme,32ch,400pc,12bit Gain;100fC/count -CS ADC;vme,16CH RPV170,-1000pc,12bit