BZO添加量の異なるErBCO 薄膜の磁束ピンニング特性

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1 BZO添加量の異なるErBCO 薄膜の磁束ピンニング特性
藤吉孝則，春田正和，末吉哲郎，出崎公崇（熊本大） 向田昌志（九州大，CREST-JST） 松本要（京都大，CREST-JST） 吉田隆（名古屋大，CREST-JST） 一瀬中（電中研，CREST-JST） 堀井滋（東京大，CREST-JST） 淡路智，渡辺和雄（東北大）

2 はじめに 高磁場中の臨界電流密度Jcの向上． ナノ組織制御によって， 高温超伝導体に人工的に デザインされたナノスケー
ルのピン（APC）の導入． M. Mukaida et al. JJAP 44 (2005) L952

3 Er15 M. Mukaida et al. JJAP 44 (2005) L952

4 研究の目的 BaZrO3をドープしたErBCO薄膜の磁束ピンニング 特性の解明 研究内容 ・臨界電流密度の磁場依存性・角度依存性
・電界ー電流密度（E-J）特性 ・ピンニングパラメータの磁場依存性

5 実験 試料：BaZrO3をドープしたErBa2Cu3Oy薄膜 測定 Er05 ： 1mm×50m×376nm(Tc=88.5K )
(BaZrO3　0.5wt%添加) Er15 ： 1mm×50m×368nm(Tc=89.1K ) (BaZrO3　1.5wt%添加) Er30 ：1.2mm×280m×700nm(Tc=90.0K ) (BaZrO3 3.0wt%添加)  磁場 電流 c軸方向 測定 　Jcの磁場依存性 　Jcの磁場角度依存性 　電界－電流密度(E-J)特性

6 BZO-ナノロッド Er15

7 臨界電流密度の磁場依存性

8 臨界電流密度の磁場角度依存性 B∥c Bc

9 臨界電流密度の磁場角度依存性 B∥c Bc

10 抵抗の角度依存性

11 電界ー電流密度特性

12 局所的臨界電流密度分布 z: dynamic critical exponent

13 不可逆曲線

14 ピンニングパラメータ

15 まとめ (1) 1.5wt%程度のBZO添加により臨界電流密度Jc， 不可逆温度Tgが向上．
(2) B || cにおいてJcに幅広いピークが存在する． 　 （c軸相関ピンの存在） (3) BZO添加量が増加すると，ピン止め力の方向 　　の分散が大きくなる． (4) mの磁場依存性においてピークを観測． 　　（マッチング効果）