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核発生サイトの解明 ⇒ 1 mm 以上の単一ドメイン成長法の確立
A1-計画-分担斉木 幸一朗 (東大・新領域) 国内共同研究者：谷口貴章（NIMS ，A1 公募） TiO2 ナノシートのプラズマ処理 GO/TiO2 FETの特性評価 藤川安仁（弘前大，A2 公募） GOの還元 １．原料分子の形状が窒素ドープグラフェンの形成にあたえる影響を解明 RSC Adv. 6, (2016) ２．有機単結晶の成長中に電界を印加して配向を制御した（一部グラフェン電極） Langmuir 32, 644 (2016) ３．酸化グラフェンの還元法とグラフェン合成 に関する解説 酸化グラフェンの機能と応用，第2章第1, 4, 5, 6節（シーエムシー出版，2016） ４．熱放射顕微法によるグラフェン成長のリアルタイム観察 に関する解説 応用物理 85，485 (2016) 核発生サイトの解明 ⇒ 1 mm 以上の単一ドメイン成長法の確立 100 倍の向上 プラズマによる酸化グラフェンの高次還元 ⇒ 移動度 > 700 cm2/Vs
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