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TST-2@K 実験結果速報 目的 装置性能の向上 RF入射実験結果 可動リミター挿入 RFパワー依存性 トロイダル磁場依存性 密度依存性
可動リミター挿入 RFパワー依存性 トロイダル磁場依存性 密度依存性 RF Startup その他 まとめと課題
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TST-2@Kの目的 RF(8.2GHz/200kW)入射による，プラズマ加熱，電流駆動の実証。
（プラズマの位置制御による密度勾配長の制御。） 強磁場(0.3T)でのプラズマパラメータの向上。 長時間放電。 高イオン温度の実現。
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TST-2@k 装置性能の向上 RF(8.2GHz)入射。最大170kW入射。 CS(TF, OH)の冷却。 （コイルの発熱と除熱）
（コイルの発熱と除熱） 真空容器のベーキング90度？ 最大コイル電流値の向上 TF 22kA (0.28T) OH 18kA （電磁力による変位，振動） プラズマの位置（外側）のFeed Back制御。 電源，RFのインターロック制御 最大プラズマ電流 130kA 最長放電時間 300ms。
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可動リミターによる密度制御(I) 可動リミターをR671からR601mmまで内へ挿入し，RF部（リミター）の密度制御を試み，その時の密度勾配長とRF反射率を測定した。 リミターを挿入するとIpが下がるが，密度，密度勾配の系統的な変化は見られない。
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可動リミターによる密度制御(II) 密度勾配とRF反射率に正の相関がある？ リミター位置が内側になるほど，反射率が低くなる。
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RFパワーとRF反射率 (I) RFパワーを時間的に一定にして，ショットごとにパワーを変化させた。
パワーを下げると反射率が下がる？0.1kWを誤差と仮定してエラーバーを評価した。
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RFパワーとRF反射率 (II) RFパワーを時間的に増加もしくは減少させた。 あるパワーで最小となる？
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トロイダル磁場とRF反射率 (I) トロイダル磁場を下げていくとプラズマ電流が下がる傾向がある。
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トロイダル磁場とRF反射率 (II) (2nd-Harmonic) Resonanceとアンテナの位置関係に反射率は大きく影響されると予想した。 反射率とBtには正の相関がある？
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密度とRF反射率 (I) 線密度が変わっても，プローブ(+4mm, +8mm)の密度はあまり変わらない。 密度勾配とRF反射率の相関は弱い。
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密度とRF反射率 (II) プローブ(+0mm) の密度とRF反射率に正の相関がある？
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RF Startup (I) Steady State Discharge
Ip[kA] nel[1018m-2] Ha[a.u.] SBD, SBD+Be 反射率3% 100kW 170kW ?
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RF Startup (2) Transition
Ip? Ip[kA] nel[1018m-2] Transition Ha[a.u.] SBD, SBD+Be 100kW ?
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RF Startup (3) Oscillation
Ip[kA] nel[1018m-2] Ha[a.u.] SBD, SBD+Be 100kW ?
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その他(I) Btを反転しRF反射率(t=30ms)を比較した。O-modeではcutoffのため高い反射率が期待されたが，
Mode: Shot No.:Ibt[kA]:Ip[kA]:Rout[m]:neLm-2:PRF[kW]:Reflectivity X-mode: #301324:+21: : : 7x1018: 63: % O/X-mode: #301362:-20.5: 110: : 6x1018: 82: % Pre Ionization用RFのパワーとHard X線 84kW->5kWまで減らしてもプラズマ電流は立ち上がる。但し，Hard X線は顕著には変わらない。5kWで内寄せにしたとき，Hard X線の非常に少ない放電が得られた(#301388)。 金属の可視ラインのスキャン Mo I, Fe I, Fe II, Fe III, Al I, Al II, Al IIIを探したが見つからなかった。 CVのイオン温度は60-100eV。
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その他(II) RFアンテナ6系統（8系統）の位相をそろえたが，そろえる前と比較して顕著な変化は見られなかった。
実験終了後大気開放してアンテナ，リミターを目視点検したが，非常にきれいであった。 約1000shot以降で，密度が飽和し始める放電が得られた。それまでは，放電開始後，密度は線形に増加していた。 放射線(Hard X線)のレベルが高い。計測に支障が出る場合もある。ほとんどの場合Hard X線とRFには相関がないように見える。 RFのOn/Offに時にプローブのイオン飽和電流があまり変化しない。 Ipが立ち上がるまでは，R390とR505mmの線密度はほぼ等しく，密度分布は平坦だと推定される。
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まとめと課題 RF反射率をモード変換率の指標とし，モード変換率の密度勾配長依存性を調べた。プラズマの位置制御，可動リミターによる位置制御，密度の変化，磁場の強さ・向きを変えたが，勾配長の制御はできなかった。反射率と勾配長間の相関は弱い。但し，RF反射率は，可動リミターの位置，リミター表面での密度（正確にはイオン飽和電流）と相関がある。 RF反射率は5-10 %と低いレベルにある。このRF反射率は大きいか小さいか。 O-mode成分があっても反射率は大きくない。 漏れRF(電場)，密度揺動，磁場揺動，Hard X線とRF(反射率）の関係を解析する必要がある。 揺動とモード変換率の理論研究 速度空間での加熱と電流駆動の理論研究
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