Cypress 不揮発性RAMロードマップ

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1 Cypress 不揮発性RAMロードマップ
タイトルバックグラウンドに「タイトルのみ」テキストレイアウトを適用する。 Q1 2015 Document No Rev. *B

2 nvSRAMポートフォリオ 高密度 | 高速 パラレルnvSRAM SPI nvSRAM I2C nvSRAM
Parallel nvSRAM SPI nvSRAM I2C nvSRAM CY14V116F/G 16Mb; 3.0, 1.8 V I/O 30 ns; ONFI3 1.0 x8, x16; Ind1 CY14B116R/S 16Mb; 3.0 V 25, 45 ns; x32; Ind1 RTC2 より高い密度 DDRx6 nvSRAM NDA 必須 販売コンタクト CY14B108K/L 8Mb; 3.0 V 25, 45 ns; x8; Ind1 RTC2 CY14B108M/N 8Mb; 3.0 V 25, 45 ns; x16; Ind1 RTC2 CY14B116K/L 16Mb; 3.0 V 25, 45 ns; x8; Ind1 RTC2 CY14B116M/N 16Mb; 3.0 V 25, 45 ns; x16; Ind1 RTC2 より高い密度 QSPI5 nvSRAM NDA 必須 販売コンタクト 512Kb - 16Mb CY14B104K/LA 4Mb; 3.0 V 25, 45 ns; x8; Ind1 RTC2 CY14V104LA 4Mb; 3.0, 1.8 V I/O 25, 45 ns; x8; Ind1 CY14B104M/NA 4Mb; 3.0 V 25, 45 ns; x16; Ind1 RTC2 CY14V104NA 4Mb; 3.0, 1.8 V I/O 25, 45 ns; x16; Ind1 CY14V101PS 1Mb; 3.0, 1.8 V I/O 108 MHz QSPI5; Ind1 Ext. Ind7; RTC2 新しい CY14V101QS 1Mb; 3.0, 1.8 V I/O 108 MHz QSPI5; Ind1 Ext. Ind7 新しい CY14B101I 1Mb; 3.0 V 3.4 MHz I2C; Ind1 RTC2 CY14B101KA/LA 1Mb; 3.0 V 25, 45 ns; x8; Ind1 RTC2 CY14V101LA 1Mb; 3.0, 1.8 V I/O 25, 45 ns; x8; Ind1 CY14B101MA/NA 1Mb; 3.0 V 25, 45 ns; x16; Ind1 RTC2 CY14V101NA 1Mb; 3.0, 1.8 V I/O 25, 45 ns; x16; Ind1 CY14B101P 1Mb; 3.0 V 40 MHz SPI; Ind1 RTC2 CY14B512P 512Kb; 3.0 V 40 MHz SPI; Ind1 RTC2 CY14B512I 512Kb; 3.0 V 3.4 MHz I2C; Ind1 RTC2 CY14B256KA/LA 256Kb; 3.0 V 25, 45 ns; x8; Ind1 RTC2 CY14V/U256LA 256Kb; 3.0, 1.8V I/O 35 ns; x8; Ind1 CY14E256LA 256Kb; 5.0 V 25, 45 ns; x8; Ind1 STK14C88-5 256Kb; 5.0 V 35, 45 ns; x8; Mil4 CY14B256P 256Kb; 3.0 V 40 MHz SPI; Ind1 RTC2 CY14B256I 256Kb; 3.0 V 3.4 MHz I2C; Ind1 RTC2 64Kb - 256Kb STK11C68-5 64Kb; 5.0 V 35, 55 ns; x8; Mil4 STK12C68-5 64Kb; 5.0 V 35, 55 ns; x8; Mil4 CY14B064P 64Kb; 3.0 V 40 MHz SPI; Ind1 RTC2 CY14B064I 64Kb; 3.0 V 3.4 MHz I2C; Ind1 RTC2 1 工業グレード −40℃～+85℃ 2 リアルタイム クロック 3 オープンNANDフラッシュ インターフェース 4 超短波(UHF) ISO C 5 デュアル SPI 6ダブル·データ·レート 7 拡張工業用グレード−40℃～+105℃ 量産中 開発/企画中 QQYY 可用性 サンプリング コンセプト アップデート

3 F-RAMポートフォリオ 低消費電力 | 高い書き換え耐性
SPI F-RAM I2C F-RAM プロセッサ用 ワイヤレス メモリ パラレルF-RAM FM25H20/V20 2Mb; H20: V V20: V 40 MHz SPI; Ind1 新しい CY15B104Q 4Mb; V 40 MHz SPI; Ind1 FM22L16/LD16 4Mb; V 55 ns; x8; Ind1 CY15B102Q 2Mb; V 25 MHz SPI; Auto E3 新しい FM25V10/VN10 1Mb; V 40 MHz SPI; Ind1, Auto A2 FM24V10/VN10 1Mb; V 3.4 MHz I2C; Ind1 FM28V102A 1Mb; V 60 ns; x16; Ind1 FM28V202A 2Mb; V 60 ns; x16; Ind1 512Kb - 8Mb FM25V05 512Kb; V 40 MHz SPI; Ind1, Auto A2 FM24V05 512Kb; V 3.4 MHz I2C; Ind1 CY15B101N 1Mb; V 60 ns; x16; Auto A2 新しい CY15B102N 2Mb; V 60 ns; x16; Auto A2 新しい FM25V02/W256 256Kb; V02: V W256: V 40 MHz SPI; Ind1, Auto A2 FM24V02/W256 256Kb; V02: V W256: V 3.4 MHz I2C; Ind1, Auto A2 FM33256 256Kb; 3.3V; 16MHz SPI Ind1; RTC3; 電源異常 ウォッチドッグ; カウンタ ワイヤレスメモリー NDA 必須 販売コンタクト FM28V020 256Kb; V 70 ns; x8; Ind1 FM18W08 256Kb; V 70 ns; x8; Ind1 FM25V01 128Kb; V 40 MHz SPI; Ind1, Auto A2 FM24V01 128Kb; V 3.4 MHz I2C; Ind1, Auto A2 FM31256/31(L)278 256Kb; 3.3、5.0V; 1MHz I2C; Ind1; RTC3; 電源異常 ; ウォッチドッグ; カウンタ FM1808B 256Kb; 5.0 V 70 ns; x8; Ind1 FM16W08 64Kb; V 70 ns; x8; Ind1 FM25640/CL64 64Kb; 3.3, 5.0 V 20 MHz SPI; Ind1, Auto E3 FM24C64/CL64 64Kb; 3.3, 5.0 V 1 MHz I2C; Ind1, Auto E3 FM3164/31(L)276 64kb; 3.3、5.0V; 1MHz I2C; Ind1; RTC3; 電源異常 ; ウォッチドッグ; カウンタ 4Kb - 256Kb FM25C160/L16 16Kb; 3.3, 5.0 V 20 MHz SPI; Ind1, Auto E3 FM24C16/CL16 16Kb; 3.3, 5.0 V 1 MHz I2C; Ind1 FM25040/L04 4Kb; 3.3, 5.0 V 20 MHz SPI; Ind1, Auto E3 FM24C04/CL04 4Kb; 3.3, 5.0 V 1 MHz I2C; Ind1 1 工業グレード −40℃～+85℃ 2 AEC-Q100 −40℃～+85℃ 3 AEC-Q100 −40℃～+125℃ 4 リアルタイム クロック 量産中 開発/企画中 QQYY 可用性 サンプリング コンセプト アップデート

4 16MbパラレルnvSRAM (CY14B/V116) アプリケーション ブロック図 特長 資料 出荷予定 工業用オートメーション
プログラマブル ロジック コントローラ ゲーム機 工業用データロガー ネットワークおよびストレージ 通信機器 VCAP4 16Mbパラレル nvSRAM SONOSアレイ SRAMアレイ 電力制御 Store 制御 3 制御 ロジック Store/Recall 制御 特長 短いアクセス時間（25ns） パラレルおよびオープンNANDフラッシュ インターフェース (ONFI) バージョン1.0インターフェースが利用可能 無制限の読み込み／書き込み回数 電源異常時のSTOREサイクルが100万回 85℃ の周囲温度でデータ保持20年間 オプションのリアルタイム クロック (RTC)機能 工業用温度範囲で動作 パッケージ：44-TSOP II、48-TSOP I、54-TSOP II、165-FBGA HSB5 x32 データ I/O制御 Recall XIN1 アドレス デコーダ ソフトウェア コマンド検出 RTC XOUT2 INT3 x21 アドレス 資料 出荷予定 暫定版データシート：営業担当者まで 量産：今 1 水晶発振子　入力側 2 水晶発振子　出力側 3 割り込み出力/較正/方形波 4 外部コンデンサ接続 5 ハードウェアSTOREビジー

5 1MbクワッドSPI (QSPI) シリアルnvSRAM (CY14V101QS)
アプリケーション ブロック図 RAID制御 ネットワークおよびストレージ 通信機器 ルータおよびスイッチ 試験および測定機器 制御 ロジック HSB1 CS2 クロック 電力制御 VCAP3 ステータス レジスタ メモリデータ および アドレス制御 SONOSアレイ SRAMアレイ 連番機能 Recall Store 1MbクワッドSPI (QSPI) シリアルnvSRAM 特長 4 I/O 108MHz 高速 クワッド シリアル ペリフェラル インターフェース コアVCC = V; I/O VCCQ = V 少ないスタンバイ電流（250µA）とスリープ電流（10µA） 無制限の読み込み／書き込み回数 電源異常時のSTOREサイクルが100万回 85℃の周囲温度でデータ保持20年間 工業用温度範囲で動作 パッケージ：16-pin SOIC 資料 出荷予定 暫定版データシート：営業担当者まで サンプル：Q2 2015 量産：Q3 2015 1 ハードウェアSTOREビジー 2 チップセレクト 3 外部コンデンサ接続

6 4Mb SPIシリアルF-RAM アプリケーション ブロック図 特長 資料 出荷予定 多機能プリンター 産業用制御およびオートメーション
ウェアラブル医療機器 テストと測定機器 スマートメーター 4Mb SPIシリアルF-RAM 制御ロジック 4 制御 F-RAMアレイ 命令レジスタ 特長 40MHz SPIインターフェース 100兆回の読み出し／書き込み可能回数 動作電圧範囲: 2.0～3.6V 低いスリープ電流 (8µA) 100年のデータ保持期間 産業用温度範囲で動作 パッケージ: 8ピンTDFN、8ピンSOIC アドレス レジスタ シリアル 入力 データI/O レジスタ シリアル出力 ステータス レジスタ 資料 出荷予定 暫定版データシート: 営業担当者まで サンプル：Q2 2015 量産：Q4 2015