Localized hole on Carbon acceptors in an n-type doped quantum wire. Toshiyuki Ihara ’05 11/29 For Akiyama Group members 11/29 this second version (latest)

Slides:



Advertisements
Similar presentations
顕微発光分光法による n 型ドープ量子細線の研 究 秋山研究室 D3 井原 章之 ’ 07 11/20 物性研究所 1次元電子ガスを内包し、 状態密度の発散や 強いクーロン相互作用の 発現が期待される。 しかし試料成長や測定が難しいた め、 バンド端エネルギー領域の 吸収スペクトルに現れる特徴を.
Advertisements

だい六か – クリスマスとお正月 ぶんぽう. て form review ► Group 1 Verbs ► Have two or more ひらがな in the verb stem AND ► The final sound of the verb stem is from the い row.
第 5 章 2 次元モデル Chapter 5 2-dimensional model. Contents 1.2 次元モデル 2-dimensional model 2. 弱形式 Weak form 3.FEM 近似 FEM approximation 4. まとめ Summary.
Essay writing rules for Japanese!!. * First ・ There are two directions you can write. ・よこがき / 横書き (same as we write English) ・たてがき / 縦書き (from right to.
VE 01 え form What is え form? え? You can do that many things with え form?
Magnetic Reconnection in the Magnetotail: Geotail Results
極紫外撮像分光装置 (EIS) 国立天文台 渡 邊 鉄 哉
格子間炭素とイエロールミネッセンスの相関について
PLの実験内容(2002~2003) He-Ne 一様励起のみ 魚の地図を作成 Ti-Sa 魚、船、原子的平面の温度依存性 (4K-60K)
導波路放出光解析による量子細線の光吸収測定
The ball being captured inside the net
量子細線における光学利得と多体効果 東大物性研 吉田正裕、秋山英文
Control of Power Generation in Actin-Myosin Gels
SP0 check.
How do you talk about Positions/ Locations?
100KeV以上のeventのHXRと電波の power-law indexの比較 NSRO
Irradiated Polarized Target
Report from Tsukuba Group (From Galaxies to LSS)
Shell model study of p-shell X hypernuclei (12XBe)
中性子過剰核での N = 8 魔法数の破れと一粒子描像
CRLA Project Assisting the Project of
Second RF-Gun beamline
顕微発光分光法によるドープ量子細線中の 1次元電子系の研究
ドープT型量子細線の発光(PL)および 発光励起(PLE)スペクトルと電子温度
WISHによるhigh-z QSOs 探査案 WISH Science Meeting (10 Mar. 三鷹
MBE成長GaAs表面の平坦化とそのAFM観察
井原章之 (Toshiyuki Ihara) 東京大学 秋山研究室 D2
2018/11/19 The Recent Results of (Pseudo-)Scalar Mesons/Glueballs at BES2 XU Guofa J/ Group IHEP,Beijing 2018/11/19 《全国第七届高能物理年会》 《全国第七届高能物理年会》
1次元電子系の有効フェルミオン模型と GWG法の発展
一連のドープ細線における バンド端とフェルミ端の構造
東京大学 物性研究所、CREST(JST)
T型量子細線レーザーの利得測定と 多体理論計算との比較 秋山研 助教 吉田正裕 Outline: 1. 背景と目的
グラフェンのランダウ準位構造 (+最近の進展)
Muonic atom and anti-nucleonic atom
全国粒子物理会 桂林 2019/1/14 Implications of the scalar meson structure from B SP decays within PQCD approach Yuelong Shen IHEP, CAS In collaboration with.
発光と発光励起スペクトルから見積もる 低次元電子系のキャリア温度
軽井沢合宿@上智大学セミナーハウス ( ) GaAs T型量子細線における 高密度キャリア効果 秋山研  吉田正裕.
My Favorite Movie I will introduce my favorite movie.
Kennard-Stepanov関係式を用いた ドープ量子井戸中の電子温度の絶対測定
単一のナノメートル半導体細線の強い光吸収を観測
Arm-Stem電流注入型T型 量子細線レーザーの発振特性
Arm-Stem電流注入型T型 量子細線レーザーの発振特性
T型量子細線における励起子-プラズマクロスオーバー(現状のまとめ)
高品質T型量子細線レーザーの作製と評価 東大物性研 吉田正裕、秋山英文
T型量子細線レーザーにおける光学利得のキャリア密度依存性
2019年4月8日星期一 I. EPL 84, (2008) 2019年4月8日星期一.
量子細線における1次元電子正孔系 の多体効果 物性研究所 秋山研 助手 吉田正裕 今回の発表内容 単一T型量子細線について
フレアの非熱的成分とサイズ依存性    D1 政田洋平      速報@太陽雑誌会(10/24).
FermiによるGRB観測を受けて CTAに期待すること
References and Discussion
宇宙線東西効果を利用した 電子―陽電子選別
2019/4/22 Warm-up ※Warm-up 1~3には、小学校外国語活動「アルファベットを探そう」(H26年度、神埼小学校におけるSTの授業実践)で、5年生が撮影した写真を使用しています(授業者より使用許諾済)。
A4-2 高強度レーザー テーマ:高強度レーザーと物質との相互作用 橋田昌樹 井上峻介 阪部周二 レーザー物質科学分科
顕微発光分光法によるドープ量子細線中の 1次元電子系の研究
銀河物理学特論 I: 講義3-5:銀河の力学構造の進化 Vogt et al
シミュレーションサマースクール課題 降着円盤とジェット
一連のドープ細線における バンド端とフェルミ端の構造
どのような特徴を見ているのか ― 計算の目的
発光励起スペクトル測定法で見る ドープ量子井戸の光放出と光吸収の関係
発光と発光励起スペクトルから見積もる 低次元電子系のキャリア温度
Igor Petenko et al. Geophysical Research Abstracts Vol. 15, EGU , 2013
New Sources in the Sgr B & C Regions
MO装置開発 Core part of RTR-MOI Photograph of core part.
JEFFREY WITZEL (University of Texas at Arlington, USA)
Measurements of J/ψ with PHENIX Muon Arms in 2003 p+p Collisions
Preflare Features in Radios and in Hard X-Rays
LMXB の統一描像 NS-LMXB の簡単な描像
T-型量子細線レーザーにおける発振および発光の温度特性
Goldscmidt2019, Barcelona, August 20, 2019
北大MMCセミナー 第28回 Date: 2014年10月3日(金)14:30~16:00 ※通常と開始時間が異なります
Presentation transcript:

Localized hole on Carbon acceptors in an n-type doped quantum wire. Toshiyuki Ihara ’05 11/29 For Akiyama Group members 11/29 this second version (latest) 11/25 first version

Motivation これまでのドープ細線の場合 Carbon Acceptor をドープした場合 Hawrylak et al. Solid State Commun. 81, 525 (1992) (1次元ドープ系の発光スペクトル理論計算) 破線:正孔が自由に動く場合( Band 端が強い) 実線:正孔がアクセプタに局在した場合( FES 効果で Fermi 端が強い) 発光スペクトルに FES 効果が強く現れるに違いない。 あわよくば吸収スペクトルにも変化があるかも。

Sample structure of an n-type doped quantum wire with carbon acceptor doping

Photograph of sample

I-V feature

Ref. PL and PLE overview - stem excitation PL and wire probe PLE I chose Arm Continuum onset (1.6eV) as E ex to measure PL spectra (in following pages) E prb = 1.57eV (wire probe) P ex = 10  W T = 5K Vg = 0V

PL Vg dependence Wire region E ex = 1.6eV(Arm Continuum ex.) P ex = 10  W T=5K Additional Emission peaks are observed !! Ref. Akiyama et al. Solid State Commun. 122, 169 (2002)

Arm Acceptor peak Arm region E ex = 1.6eV(Arm Continuum ex.) P ex = 10  W T=5K One of the additional Emission peaks is assigned as “Arm Acceptor” which comes from C-Acceptor state in Arm region !! I changed the sample position to measure “Arm region” without wire.

Wire Acceptor peak At the low excitation power, A clear “Wire Acceptor” emission peak appears !! Wire Acceptor emission peak is observed clearly at low excitation power. (Acceptor peak shows saturation with increasing excitation power !?) E ex = 1.6eV(Arm Continuum ex.) P ex = 3  W T=5K Wire region

PL ~ excitation power dependence Intensity of Acceptor PL peaks show saturation with increasing excitation power. PL spectra normalized by Wire Exciton peak intensity E ex = 1.6eV( Arm Continuum ex. ) Vg=0V T=5K

Energy gap between Exciton state and Acceptor state Arm の方が Exciton – Acceptor のエネルギー差が大きい。何を意味するか考 え中。

Arm Acceptor Resonant PLE In Acceptor system, both PL and PLE peak show blue shift with increasing electron density E prb = 1.563eV ( Arm Acceptor probe ) P ex = 10  W T = 5K

Wire Acceptor Resonant PLE

PL scan 中励起  W) E ex = 1.6eV(Arm Continuum ex.) P ex = 10  W T=5K There are still ML fluctuations

PL scan (low excitation power) 弱励起  W) 長時間露光 E ex = 1.6eV(Arm Continuum ex.) P ex = 3  W T=5K There are still ML fluctuations (and C-dope density fluctuation !?).

Carbon Acceptor 準位の発光ピークが wire/Arm 共に驚くほどきれいに現れた。 Arm Acceptor の PLE がとりあえず測定できた。 Wire Acceptor の PLE は難しそ う。 特に注目すべき点 : Wire ・ Arm 共に、 Acceptor の発光ピークが電子濃度 の増加と共にブルーシフトを示した (さらに、 Arm Acceptor の吸収は発光ピークとほぼ同じエネルギー) このことは、 Acceptor ⇔ Conduction band の遷移で FES 効果が強いことを表す。 Wire で Band edge の発光が消えるという事実は非常に重要。 ⇔ 一次元電子系の発光スペクトルの形状は、正孔の局在に非常に敏感 である。 以前の論文 ( Akiyama et al. Solid State Commun. 122, 169 (2002) ) で報告した 「発光スペクトルの高エネルギー側の肩に現れるモコモコ」は、 一部の正孔が局在するために現れる FES 効果と考えられる。Conclusion