ストレージ・メモリ分野の技術マップ ストレージ・メモリデバイス 新規デバイス ● ● ● ● ● ● ● ● ● 凡例 項目 開発技術 分類 ストレージ・メモリ分野の技術マップ 主たる性能分類 ・大容量化技術 ● ・高速化技術 ● ・省電力化技術 ● 凡例 ストレージ・メモリデバイス 項目 開発技術 分類 磁性系ストレージ （HDD） 媒体技術（パターン媒体、熱アシスト対応媒体） ● ● 記録ヘッド技術（熱アシスト方式、微細加工技術） 再生ヘッド技術（TMR、CPP-GMR、スピントロニクス応用） 光系ストレージ 高データ転送速度化技術（並列化処理） ● ビット微細化技術（スーパーレンズ、SIL） 三次元記録技術（ホログラム、2光子吸収） FLASH （NAND型、NOR型） 低アスペクト比セル（ナノドット、TANOS） ● 多値化技術（低セル間干渉、 高誘電体ゲート絶縁膜） 多層化技術（3D、BiCS） FeRAM 新メモリセル構成技術（Chain型、1T型、3Dキャパシタ） 材料技術（新強誘電体材料） MRAM 大容量化技術（誘導磁場型、スピン注入型、垂直磁化型） 高速読み出し技術（高出力化、材料） 書込み技術（スピン注入反転、磁壁移動） ● ● メモリセル構成技術（高速動作、多層、多値、ｸﾛｽﾎﾟｲﾝﾄ、論理回路） PRAM 材料技術（新相変化材料 ） 多値化技術（多値 ） 3次元化（3D ） 新規デバイス 項目 開発技術 分類 ReRAM 大容量化技術 ● 材料技術 機構解明 PMC-RAM （原子スイッチ、ナノブリッジメモリ等） 書き換え回数増大化技術 低消費電力化技術 カード型ホログラムメモリ 導波路型（材料、構造、記録方式） 体積記録型（材料、構造、記録方式） MEMSプローブメモリ トポ記録方式 強誘電／強磁性方式 磁壁移動固体メモリ スピントロニクス技術 高集積化技術 有機メモリ 分子メモリ 大容量化技術、低消費電力化技術 ● ● ナノチューブメモリ 微細プロセス技術
ストレージ・メモリ分野（技術俯瞰図①） ストレージ技術の位置付け ストレージ技術の主な適用用途 ：現状範囲 ：3 ～5年後 ：技術の方向 注1： 転送速度 注2： PRAM ：チップあたり FLASH ：チップあたり 光系ストレージ ：ディスクあたり 磁性系ストレージ：プラッタあたり ストレージ技術の主な適用用途 ：現状範囲 ：3 ～5年後 注1： 転送速度 注2： PRAM ：チップあたり FLASH ：チップあたり 光系ストレージ ：ディスクあたり 磁性系ストレージ：プラッタあたり （用途には複数のチップ、ディスク、 プラッタを用いるものも含む）
ストレージ・メモリ分野（技術俯瞰図②） メモリ技術の位置付け メモリ技術の主な適用用途 ：現状範囲 ：3 ～5年後 ：揮発性RAM（参考) ：技術の方向 ：揮発性RAM（参考) 注1： 読出/書込を律速する速度 注2： チップあたり メモリ技術の主な適用用途 ：現状範囲 ：3 ～5年後 ：揮発性RAM（参考) 注1： 読出/書込を律速する速度 注2： チップあたり （用途には複数チップを 用いるものも含む）