物理システム工学科3年次 物性工学概論 第5回光る半導体

Slides:



Advertisements
Similar presentations
半導体デバイス工学 講義資料 第4章 バイポーラデバイス (p.68~p.79).
Advertisements

物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第8回光エレクトロニクス(1) 光電変換:太陽電池、CCDカメラ
物理システム工学科3年次 物性工学概論 第火曜1限0023教室 第4回半導体の色
物理システム工学科3年次 物性工学概論 火曜1限0035教室 第4回半導体の色
環境表面科学講義 村松淳司 村松淳司.
較正用軟X線発生装置のX線強度変化とスペクトル変化
物理システム工学科3年次 物性工学概論 第火曜1限0023教室 第6回 光電変換
物理システム工学科3年次 物性工学概論 第火曜1限0035教室 第6回 光電変換
物理システム工学科3年次 物性工学概論 第火曜1限0031教室 第7回 光電変換
       光の種類 理工学部物理科学科 07232034 平方 章弘.
導波路放出光解析による量子細線の光吸収測定
金色の石に魅せられて -光で探る新しい 機能性材料-Part1
単一分子接合の電子輸送特性の実験的検証 東京工業大学 理工学研究科  化学専攻 木口学.
固体の圧電性.
第6回 制動放射 東京大学教養学部前期課程 2012年冬学期 宇宙科学II 松原英雄(JAXA宇宙研)
基盤科学への招待 クラスターの不思議 2005年6月3日  横浜市立大学 国際総合科学部  基盤科学コース 野々瀬真司.
物理システム工学科3年次 物性工学概論 第5回光る半導体
物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第5回半導体の色(2) ー半導体の電気的性質ー
第1回応用物理学科セミナー 日時: 5月19日(月) 15:00ー 場所:葛飾キャンパス研究棟8F第2セミナー室 Speaker:鹿野豊氏
第23回応用物理学科セミナー 日時: 6月23日(木) 16:10 – 17:40 場所:葛飾キャンパス研究棟8F第2セミナー室
固体電解コンデンサの耐電圧と漏れ電流 -アノード酸化皮膜の表面欠陥とカソード材料の接触界面-
電子物性第1 第6回 ー原子の結合と結晶ー 電子物性第1スライド6-1 目次 2 はじめに 3 原子の結合と分子 4 イオン結合
Real Time PCR Ver.1.00.
次世代半導体材料による 省エネルギーエレクトロニクス
有機EL材料を用いた 新しいシンチレーターの開発
前回の内容 結晶工学特論 第5回目 Braggの式とLaue関数 実格子と逆格子 回折(結晶による波の散乱) Ewald球
電子回路Ⅰ 第3回(2008/10/20) バイポーラトランジスタの動作原理.
物理システム工学科3年次 物性工学概論 第1回講義 火曜1限0035教室
金色の石に魅せられて -光で探る新しい 機能性材料- Part2
電界効果トランジスタの動作原理 トランジスタを用いた回路のバイアス
電界効果トランジスタの動作原理 トランジスタを用いた回路のバイアス
Dissociative Recombination of HeH+ at Large Center-of-Mass Energies
エレクトロニクスII第3回: 半導体について知ろう pn接合の原理を知ろう
エレクトロニクスII 第7回トランジスタの動作点 付:実用エレクトロニクス(3)CRT
物理システム工学科3年次 物性工学概論 第火曜1限0023教室 第8回 光エレクトロニクスと材料[1] レーザー
前期量子論 1.電子の理解 電子の電荷、比電荷の測定 2.原子模型 長岡モデルとラザフォードの実験 3.ボーアの理論 量子化条件と対応原理
エレクトロニクスII第2回: ACアダプターを分解しよう ーダイオードと整流回路ー
物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第10回光エレクトロニクス(3) 半導体レーザと光通信
結晶工学特論 第2回目 前回の内容 半導体デバイス LED, LD, HEMT 半導体デバイスと化合物半導体 種類の豊富さ、直接遷移型、
トリガー用プラスチックシンチレータ、観測用シンチレータ、光学系、IITとCCDカメラからなる装置である。(図1) プラスチックシンチレータ
光電子分光 物質中の電子の束縛エネルギー(IP)を測定する方法 IP=hn – K.E. 物質の性質~(外殻)電子の性質
電力 P ( Power ) 単位 ワット W = J / sec
半導体デバイスの基本構成要素 pn junction diode
プラズモン共鳴を用いたC-dot-Ag ナノ粒子-シリカコンポジット 薄膜蛍光増強
担当: 松田祐司 教授, 笠原裕一 准教授, 笠原成 助教
研究課題名 研究背景・目的 有機エレクトロニクス材料物質の基礎電子物性の理解 2. 理論 3. 計算方法、プログラムの現状
KEK 武藤 俊哉 設計指針 セラミックの設計 POISSONによる電界計算 GPTによる粒子トラッキング まとめ
量子力学の復習(水素原子の波動関数) 光の吸収と放出(ラビ振動)
光電効果と光量子仮説  泊口万里子.
物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第1回講義 火曜1限67番教室
GeneratorのX線スペクトル解析 私は、generatorのX線スペクトルを測定し、解析をしました。 宇宙物理実験研究室 星 理沙.

[内容] 1. 実験の概要 2. ゲルマニウム検出器 3. 今後の計画 4. まとめ
半導体の歴史的経緯 1833年 ファラデー AgSの負の抵抗温度係数の発見
電子物性第1 第11回 ー金属の電気的性質ー 電子物性第1スライド11-1 目次 2 はじめに 3 導電率(電子バス) 4 欠陥の多い結晶
生体親和性発光ナノ粒子の医薬送達担体への応用
光スイッチングデバイス.
情報通信基礎実験1 第4回.
2.4 Continuum transitions Inelastic processes
極高真空カソード試験装置の開発 広大院先端 久保大輔 栗木雅夫 飯島北斗 第8回 高輝度・高周波電子銃研究会.
物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第4回半導体の色 ー半導体の光学的性質ー
キャリヤ密度の温度依存性 低温領域のキャリヤ密度                   ドナーからの電子供給→ドナーのイオン化電圧がわかる                              アクセプタへの電子供給→アクセプタのイオン化電圧がわかる             常温付近                            ドナー(アクセプタ)密度で飽和→ドナー(アクセプタ)密度がわかる.
機器分析学 赤外吸収スペクトル ラマンスペクトル.
ディラック電子系分子性導体への静電キャリア注入を目的とした電界効果トランジスタの作製および物性評価
13族-遷移金属間化合物の熱電材料としての応用
紫外線LEDの特性測定 理工学部 物理学科 宇宙粒子研究室   澤田 晃徳.
生体分子解析学 機器分析 分光学 X線結晶構造解析 質量分析 熱分析 その他機器分析.
弱電離気体プラズマの解析(LXXVI) スプラインとHigher Order Samplingを用いた 電子エネルギー分布のサンプリング
5×5×5㎝3純ヨウ化セシウムシンチレーションカウンターの基礎特性に関する研究
第2章 電子工学の基礎 2.1 半導体素子 2.2 電子回路 2.3 4端子網.
Presentation transcript:

物理システム工学科3年次 物性工学概論 第5回光る半導体 物理システム工学科3年次 物性工学概論 第5回光る半導体  佐藤勝昭

半導体とは何か 半導体にはどんな物質があるか バンド構造とバンドギャップ 半導体の透過色、反射色 吸収スペクトル:バンド間遷移 復習コーナー 半導体の光学現象 半導体とは何か 半導体にはどんな物質があるか バンド構造とバンドギャップ 半導体の透過色、反射色 吸収スペクトル:バンド間遷移 シリコン結晶の金属光沢の原因は?

復習コーナー 半導体とは何か 半導体の抵抗率の範囲とバンドギャップ (佐藤・越田:応用電子物性工学 図4.2)

復習コーナー 半導体の電気抵抗の温度変化 金属と半導体の電気抵抗の温度変化の比較

復習コーナー 導電率、キャリア密度、移動度 導電率、キャリア密度n、移動度の間には   = ne の関係式が成り立つ。 抵抗率と導電率の関係は =1/ である。 移動度とは、単位電界E[V/cm]によって得られる平均速度v[cm/s]を表し、v=E である。 例:1mのシリコン膜の表裏の間に1Vの電圧を印加したとき、E=104V/cm、シリコンの=1000cm2/Vsとしてv= E =107cm/sとなる。 このときの導電率はキャリア数1016cm-3として  = ne =10161.6 10-19 103=1.6S/cm: =0.625cm

復習コーナー 周期表と半導体 IIB IIIB IV V VI B C N O Al Si P S Zn Ga Ge As Se Cd In Sn Sb Te Hg Tl Pb Bi Po IV族(Si, Ge) III-V族(GaAs, GaN, InP, InSb) II-VI族(CdS, CdTe, ZnS, ZnSe) I-VII族(CuCl, CuI) I-III-VI2族(CuAlS2,CuInSe2) II-IV-V2族(CdGeAs2, ZnSiP2))

ダイヤモンド構造 閃亜鉛鉱(ジンクブレンド)構造 黄銅鉱(カルコパイライト)構造 復習コーナー 半導体の結晶構造    閃亜鉛鉱構造      カルコパイライト構造 ダイヤモンド構造

復習コーナー バンド構造による金属・半導体の区別

自由電子からの近似 孤立原子に束縛された電子からの近似 復習コーナー エネルギー帯の考え方 Hartree-Fockの近似 E=(k)2/2m 放物線バンド 孤立原子に束縛された電子からの近似 Heitler-Londonの近似 原子の電子波動関数(s, p, dなど)の1次結合 電子間相互作用を考慮しやすい k

復習コーナー シリコンのバンドと バンドギャップ 孤立原子からの近似

復習コーナー 半導体の光吸収スペクトル 直接吸収端 InSb, InP, GaAs 間接吸収端 Ge, Si, GaP

復習コーナー バンドギャップと半導体の吸収端 フォトン・エネルギーE=hがエネルギー・ギャップEgより小さいとき、価電子帯の電子がE=hを得ても、伝導帯に遷移できないので、光は吸収されず透過する。 フォトン・エネルギーがエネルギー・ギャップよりも大きいと、価電子帯の電子が伝導帯に遷移することができるので、光吸収が起きる。吸収が始まる端っこということで、エネルギー・ギャップを吸収端のエネルギー、それに相当する波長を吸収端の波長という。吸収端の波長より長い波長の光は透過する。 伝導帯 Eg h>Eg h 価電子帯

復習コーナー 半導体のバンドギャップと透過光の色 1.5eV CdS GaP HgS GaAs 3eV 2.5eV 2eV 800nm 300nm   ZnS Eg=2eV Eg=2.2eV Eg=2.6eV Eg=3.5eV Eg=1.5eV 白 黄 橙 赤 黒 3.5eV 4eV 透過域

復習コーナー 半導体のバンドギャップと絵の具の色 Mixed crystals of yellow cadmium sulfide CdS and black cadmium selenide CdSe, showing the intermediate-band-gap colors http://webexhibits.org/causesofcolor/10.html

復習コーナー 第4回の問題 さまざまな半導体のバンドギャップ(室温) 半導体 Eg[eV] g[nm] 透過光の色 Si 1.11 1117 不透明 GaAs 1.42 873 不透明 CdSe 1.74 712 赤 GaP 2.26 549 橙 CdS 2.42 512 黄 ZnSe 2.67 463 淡黄 GaN 3.39 366 無色透明 ZnS 3.68 337 無色透明

半導体からの発光 基底状態から何らかの形で励起状態に遷移が起きたとき、基底状態に戻るときに、熱や光の形でエネルギーを放出する。光を放出する現象をルミネセンスという。 光で励起:フォトルミネセンス(PL) 電界で励起:エレクトロルミネセンス(EL) キャリア注入で励起:発光ダイオード(LED) 電子線で励起:カソードルミネセンス(CL)

フォトルミネセンス(PL)(光で励起) 光子(h>Eg)入射 価電子帯から伝導帯へ電子が遷移 伝導帯に電子、価電子帯にホール生成 電子、ホールが移動 再結合してエネルギー差を光子として放出 伝導帯 価電子帯 光を吸収 光を放出

バンド間直接遷移による発光 伝導帯 伝導帯電子と価電子帯ホールの直接再結合 価電子帯

バンド・不純物準位間遷移 伝導帯電子と、アクセプターに束縛されたホールの再結合 Free to Bound Transition (FB) ドナーに束縛された電子と価電子帯ホールの再結合 Bound to Free Transition (BF) 伝導帯 伝導帯 価電子帯 価電子帯 伝導帯→アクセプター ドナー→価電子帯

ドナーアクセプター対遷移 ドナーに捉えられた電子とアクセプターに捉えられたホールとの再結合 伝導帯 光を放出 価電子帯

励起子発光 自由励起子(電子とホールがクーロン力で束縛された状態) 束縛励起子(電子とアクセプタホールが束縛された状態)

自由励起子とは 電子・ホールがクーロン力で束縛された状態 Eg 伝導帯 En n=2 -Eb/4 n=1 -Eb ホール 解離 価電子帯 Eg -Eb/4 n=1 n=2 En ホール 解離 電子が伝導帯に 電子 ホールは価電子帯に

ルミネセンスの種類と応用例 光で励起:フォトルミネセンス(PL) 電界で励起:エレクトロルミネセンス(EL) プラズマディスプレイ(PDP) 電界で励起:エレクトロルミネセンス(EL) キャリア注入で励起:発光ダイオード(LED) 電子線で励起:カソードルミネセンス(CL)

プラズマディスプレイ(PDP) 微小電極間で放電 →気体原子が励起 →紫外線を放出 →紫外線が蛍光体を励起 →可視光発光 予備放電→書き込み放電→維持放電→消去放電 カラーPDPの原理は蛍光灯とよく似ており、極小の蛍光ランプが無数に並んで1枚の画面を作っている、そんなイメージです。 ハイビジョン用 (55V型) 富士通日立プラズマディスプレイ㈱のHPより NECプラズマディスプレイ㈱のHPより

ルミネセンスの種類と応用例 光で励起:フォトルミネセンス(PL):PDP 電界で励起:エレクトロルミネセンス(EL) キャリア注入で励起:発光ダイオード(LED) 電子線で励起:カソードルミネセンス(CL)

無機エレクトロルミネセンス 電子が電界により絶縁体/ZnS界面から放出される 電界で加速されホットエレクトロンとして移動 ホットエレクトロンがMnなど発光中心に衝突 発光中心の電子系が励起される 励起状態から光を放出して基底状態に戻る TDKのHPより

ZnS:Mnの発光(結晶場遷移) ZnS:Mnの発光は、Mn2+イオンの3d5多電子系における励起状態4T1から基底状態6A1へのd-d遷移による。 このような遷移を結晶場遷移または配位子場遷移とよぶ。 1電子系のバンド図では説明できない 基底状態 励起状態 4T2 4T1 4A1 http://sharp-world.com/

有機エレクトロルミネセンス 有機ELは、有機発光層を金属電極と透明電極ではさんだ構造をとっている。 金属電極と透明電極との間に電圧を加えると、有機分子上を電荷が対向電極に向かって移動する。この移動中に、ホールと電子が出会うと、有機発光層の中で再結合し、この時エネルギーを放出する。このエネルギーによって有機発光層が発光する。 (有機LEDともいう) 光産業技術振興協会のHPより 三洋電機のHPより

ルミネセンスの種類と応用例 光で励起:フォトルミネセンス(PL):PDP 電界で励起:エレクトロルミネセンス(EL) 発光ダイオード(LED) 電子線で励起:カソードルミネセンス(CL)

発光ダイオード(LED)と半導体レーザ (LD)

交通信号機が変わった

半導体pn接合 E P形 N形 P形とN形を接合するとキャリア拡散が起きる - 拡散電位差 - + + 拡散電位差

LEDの原理 p型 n型 再結合 空間電荷層 + - pn接合を順バイアス 電子は、p層に注入 ホールはn層に注入 界面付近で再結合

青色LEDの発光スペクトル 350nm 450nm 550nm

赤色LEDスペクトル

ルミネセンスの種類と応用例 光で励起:フォトルミネセンス(PL):PDP 電界で励起:エレクトロルミネセンス(EL) 電子線で励起:カソードルミネセンス(CL) ブラウン管(CRT) 電界放出型ディスプレイ(FED)

CRTの構造 電子銃、偏向板(オシロスコープ)または偏向ヨーク(ブラウン管)、シャドウマスク、蛍光スクリーンから構成される。 小林洋志「発光の物理」(朝倉書店)より

カラーCRTの原理 赤、緑、青の微小な領域に蛍光体が塗り分けられており、各発光色に対応して、3本の電子銃が用いられ、別々に電子ビーム強度が制御される。 小林洋志「発光の物理」(朝倉書店)より

カラーCRTの蛍光体 赤:Y2O2S:Eu 緑:ZnS:Cu,Al 青:ZnS:Ag 緑 青 赤 発光強度 400 500 600 700 波長[nm] 小林洋志「発光の物理」(朝倉書店)より

FED(電界放出型ディスプレイ) 真空中において電極から電子を電界放出 低速電子線が対抗電極上の蛍光体を励起 光産業技術協会HP

さまざまな電界放出電子源 スピント型電子源 カーボンナノチューブ (CNT)電子源 表面電導電子 (SCE)電子源 弾道電子表面放出デバイス (BSD) 高効率電界放出デバイス (HEED) 金属・絶縁体・金属(MIM) 電子源

電界放出ディスプレイの原理 電界放出とは? 電界放出とは?   固体表面に強い電場がかかると、電子を固体内に閉じこめている表面のポテンシャル障壁が低くかつ薄くなり、トンネル効果により電子が真空中に放出される。この現象を「電界放出(field emission)」と呼んでいる。  この現象を観測するには、非常に強い電場を固体にかけなくてはならない。そのとき、電圧をかける面積が小さくなればその分だけ電場が集中するので、「電界放出型電子源」の金属針の先端は、鋭くとがらせたものを用いるのが一般的だ。 http://www.nanoelectronics.jp/kaitai/nanotube/fed.htm

FEDの仕組み http://www.nanoelectronics.jp/kaitai/fed/

FEDの構造 FEDの大まかな構造は、真空の空間が二つのガラスシートによってはさまれたものになっている。そのガラスシートのうち、カソード(陰極)からは電界放出によって電子が放たれる。このときの電子はカソードとゲート電極の間の電圧の差によって生じる。  真空中に放出された電子はアノード(陽極)の方に向かって進み、途中で蛍光体に衝突して光を放つ。こうして、RGBの三つの蛍光体一組から発せられた可視光が、ディスプレイの1ピクセルに相当する。

ノリタケ双葉電子

ミニテストの結果について 平均点 85.9/100 問題1 25.7/30 問題2 36.5/40 問題3 11.5/15 平均点 85.9/100 問題1 25.7/30 問題2 36.5/40 問題3 11.5/15 問題4 12.2/15

来週の予定 光電変換:光を電気に変える 光伝導(photoconductivity) 光電子放出(photoelectron emission) 光起電力効果(photovoltaic effect) フォトダイオード、フォトトランジスタ 太陽電池

第5回の問題 励起のメカニズムによりルミネッセンスを分類し、それぞれどのように応用されているかを述べよ。