2層SOI検出器における     放射線ダメージ耐性評価の研究 東北大学 理学部物理学科4年 素粒子実験研究室 篠田 直幸.

Slides:



Advertisements
Similar presentations
ゲームプログラミング講習 第2章 関数の使い方
Advertisements

サービス管理責任者等研修テキスト 分野別講義    「アセスメントと        支援提供の基本姿勢」 <児童発達支援管理責任者> 平成27年10月1日.
ヒトの思考プロセスの解明を目的とするワーキングメモリの研究
第27講 オームの法則 電気抵抗の役割について知る オームの法則を使えるようにする 抵抗の温度変化を理解する 教科書P.223~226
コラッツ予想の変形について 東邦大学 理学部 情報科 白柳研究室 山中 陽子.
コンパイラ 第3回 字句解析 ― 決定性有限オートマトンの導出 ―
第5章 家計に関する統計 ー 経済統計 ー.
公共財 公共経済論 II no.3 麻生良文.
VTX alignment D2 浅野秀光 2011年12月15日  放射線研ミーティング.
冷却フランシウム原子を用いた 電子の永久電気双極子能率探索のための ルビジウム磁力計の研究
生命情報学 (8) スケールフリーネットワーク
前半戦 「史上最強」風 札上げクイズ.

認知症を理解し 環境の重要性について考える
フッ化ナトリウムによる洗口 2010・9・13 宮崎市郡東諸県郡薬剤師会 学校薬剤師  日高 華代子.
食品の安全性に関わる社会システム:総括 健康弱者 ハイリスク集団 HACCP (食肉処理場・食品工場) 農場でのQAP 一般的衛生管理
規制改革とは? ○規制改革の目的は、経済の活性化と雇用の創出によって、   活力ある経済社会の実現を図ることにあります。
地域保健対策検討会 に関する私見(保健所のあり方)
公共政策大学院 鈴木一人 第8回 専門化する政治 公共政策大学院 鈴木一人
医薬品ネット販売規制について 2012年5月31日 ケンコーコム株式会社.
平成26年8月27日(水) 大阪府 健康医療部 薬務課 医療機器グループ
平成26年度 呼吸器学会からの提案結果 (オレンジ色の部分が承認された提案) 新規提案 既収載の変更 免疫組織化学染色、免疫細胞化学染色
エナジードリンクの危険性 2015年6月23日 経営学部市場戦略学科MR3195稲沢珠依.
自動吸引は 在宅を変えるか 大分協和病院 院長         山本 真.
毎月レポート ビジネスの情報 (2016年7月号).
医療の歴史と将来 医療と医薬品産業 個人的経験 3. 「これからの医療を考える」 (1)医薬品の研究開発 -タクロリムスの歴史-
社会福祉調査論 第4講 2.社会調査の概要 11月2日.
2015年12月28日-2016年3月28日 掲載分.
2010度 民事訴訟法講義 補論 関西大学法学部教授 栗田 隆.
腫瘍学概論 埼玉医科大学国際医療センター 包括的がんセンター 緩和医療科/緩和ケアチーム 奈良林 至
“企業リスクへの考え方に変化を求められています。 トータルなリスクマネジメント・サービスをプロデュースします。“
情報漏えい 経済情報学科 E  西村 諭 E  釣 洋平.
金融班(ミクロ).
第11回 2009年12月16日 今日の資料=A4・4枚+解答用紙 期末試験:2月3日(水)N2教室
【ABL用語集】(あいうえお順) No 用語 解説 12 公正市場価格 13 債権 14 指名債権 15 事業収益資産 16 集合動産 17
基礎理論(3) 情報の非対称性と逆選択 公共政策論II No.3 麻生良文.
浜中 健児 昭和42年3月27日生まれ 東京都在住 株式会社ピー・アール・エフ 代表取締役 (学歴) 高 校:千葉県立東葛飾高校 卒業
COPYRIGHT(C) 2011 KYUSHU UNIVERSITY. ALL RIGHTS RESERVED
Blosxom による CMS 構築と SEO テクニック
記入例 JAWS DAYS 2015 – JOB BOARD 会社名 採用職種 営業職/技術職/その他( ) 仕事内容 待遇 募集数
ネットビジネスの 企業と特性 MR1127 まさ.
Future Technology活用による業務改革
ネットビジネス論(杉浦) 第8回 ネットビジネスと情報技術.
g741001 長谷川 嵩 g740796 迫村 光秋 g741000 西田 健太郎 g741147 小井出 真聡
自然独占 公共経済論 II no.5 麻生良文.
Autonomic Resource Provisioning for Cloud-Based Software
Webショップにおける webデザイン 12/6 08A1022 甲斐 広大.
物理的な位置情報を活用した仮想クラウドの構築
ハイブリッドクラウドを実現させるポイントと SCSKのOSSへの取組み
寺尾 敦 青山学院大学社会情報学部 第12回 情報デザイン(4) 情報の構造化と表現 寺尾 敦 青山学院大学社会情報学部
【1−1.開発計画 – 設計・開発計画】 システム開発計画にはシステム開発を効率的、効果的に実行する根拠(人員と経験、開発手順、開発・導入するシステム・アプリケーション・サービス等)を記述すること。 システム開発の開始から終了までの全体スケジュールを記載すること。 アプリケーション機能配置、ソフトウェア、インフラ構成、ネットワーク構成について概要を示すこと。
6 日本のコーポレート・ガバナンス 2008年度「企業論」 川端 望.
急成長する中国ソフトウェア産業 中国ソフトウェアと情報サービス産業の規模 総売上高は5年間で約5.3倍の成長
米国ユタ州LDS病院胸部心臓外科フェローの経験
公益社団法人日本青年会議所 関東地区埼玉ブロック協議会 JCの情熱(おもい)育成委員会 2011年度第1回全体委員会
次世代大学教育研究会のこれまでの活動 2005年度次世代大学教育研究大会 明治大学駿河台校舎リバティタワー9階1096教室
子どもの本の情報 大阪府内の協力書店の情報 こちらをクリック 大阪府内の公立図書館・図書室の情報
第2回産業調査 小島浩道.
〈起点〉を示す格助詞「を」と「から」の選択について
広東省民弁本科高校日語専業骨幹教師研修会 ①日本語の格助詞の使い分け ②動詞の自他受身の選択について   -日本語教育と中日カルチャーショックの観点から- 名古屋大学 杉村 泰.
■5Ahバッテリー使用報告 事例紹介/東【その1】 ■iphon4S(晴れの昼間/AM8-PM3) ◆約1時間で68%⇒100%
『ワタシが!!』『地域の仲間で!!』 市民が始める自然エネルギー!!
ポイントカードの未来形を形にした「MUJI Passport」
SAP NetWeaver を支える Microsoft テクノロジーの全貌 (Appendix)
ガイダンス(内業) 測量学実習 第1回.
Python超入門 久保 幹雄 東京海洋大学.
熱力学の基礎 丸山 茂夫 東京大学大学院 工学系研究科 機械工学専攻
京都民医連中央病院 CHDF学習推進委員会
資料2-④ ④下水道.
Accessによる SQLの操作 ~実際にテーブルを操作してみよう!~.
Presentation transcript:

2層SOI検出器における     放射線ダメージ耐性評価の研究 東北大学 理学部物理学科4年 素粒子実験研究室 篠田 直幸

目次 ・SOI検出器について ・BelleⅡ実験への応用 ・SOI検出器の放射線ダメージについて -ダメージの種類 -補償実験について  -ダメージの種類  -補償実験について ・まとめ、今後の予定 Belle2実験への応用・・・SOI検出器が崩壊点検出器としてどのようにしてBelle2実験へ応用                されるかについて述べます。

SOI(Silicon On Insulator)検出器とは 回路層(SOI CMOS) 200nm 絶縁層 100~300μm センサー層(Si) SOI検出器の仕組み ・センサー層で生じた電荷をセンサー端子で回収 ・金属ビアを通じて回路層へ

SOIのメリット1 : モノリシック(一体)型検出器 ハイブリッド型 モノリシック型(SOI) 0.1mm 読み出し回路層 0.24mm~ SiO2 金属バンプ 0.1mm~ Si センサー層 金属バンプがないぶん、物質量が少なくなる。    ノイズが小さくなる分、信号も小さくしてもよい→センサー層を薄くできる ・メリット 1.物質量の低下 2.センサー周辺の寄生容量の減少 入射粒子の情報を損なわない ノイズ 小

高集積化 低消費電力・処理の高速化 SOIのメリット2 : 素子間の低寄生容量 ・SOI CMOSのBulk CMOSに対するメリット  各素子がSiO2により区切られている 左の図がSOI検出器の回路層に用いられているSOI CMOSという構造で、右側が一般的な回路層 に用いられているBulk Cmosという構造になります。 高集積化 低消費電力・処理の高速化 これらのメリットにより、SOI検出器は崩壊点検出器に適している。

BelleⅡ実験への応用 -崩壊点検出器としての役割- について説明したいと思います。

Belle/Belle2実験とは 電子、陽電子を加速して衝突させ多量のB、B中間子を生成 Belle実験 BelleⅡ実験 B中間子におけるCP対称性の破れの発見 Belle2検出器 BelleⅡ実験 標準理論を超えた物理現象の探索 現在、統計量を増やすためにアップグレード中     →2015年に始動予定。 SuperKEKB加速器

BelleⅡ崩壊点検出器 SVD(Silicon Vertex Detector) , PXD(PiXel Detector) の目的 e-  崩壊点測定       ・精度の高い飛跡再構成  を行う e+ ビーム衝突点最近傍に設置

BelleⅡSVD最内層へのインストール PXD (mm) SVD最内層 ・導入により、現行案(DSSDを使用)と比較してセンサー厚 300mm→100mm、  占有率6.7%→0.016%を目指す。 ・ルミノシティーの増加による、バックグラウンド増加  → ビーム衝突点近に設置するため、高い放射線耐性が重要 私たちが取り組んでいるSOI検出器を導入することで、値はさらによくなりより正確に飛跡を再構成することが出来ます。

SOI検出器の放射線ダメージ -SEE,TIDとその対処法-

・SEE(Single event effect) 単発の放射線により、偶発的に起こる。 一般的なBulk CMOSでは影響が大きいが、 放射線ダメージの種類 主な半導体検出器における放射線ダメージ Bulk CMOS SOI CMOS ・SEE(Single event effect)  単発の放射線により、偶発的に起こる。  一般的なBulk CMOSでは影響が大きいが、  今回のSOI CMOSでは問題ではない。 ・TID効果(Total ionizing dose)  放射線の蓄積により生じる現象。  この影響が最も懸念されている。 荷電粒子 荷電粒子 酸化膜 絶縁層 空乏層 SO検出器のIセンサー層においては格子欠陥ダメージはそれほど深刻ではない           →センサー層を薄くできるため。 (格子欠陥ダメージはデバイスの大きさに依存) リーク電流の増加はヒット判定にさほど影響してこない。

TID(Total Ionizing Dose)効果 トラップされたホール + + + + + + + + 1.放射線の入射により、Si層、絶縁層で電離が生じる。 2.絶縁層の一部にホールがトラップされる。 3、トランジスタ下面に電子が誘起され、ゲート電圧に依存せず   電流が流れる。 ホールがBOX層にトラップされる 読み出し回路正常動作しない

BOX層にトラップした正電荷を仮定した際のTCAD シミュレーション結果 TID効果によるトランジスタの特性変化 BOX層にトラップした正電荷を仮定した際のTCAD シミュレーション結果 BOX層にトラップされる 正電荷が多いほど、 トランジスタ特性が負方向に シフトしている ドレイン電流(A) 閾値電圧の変化 ゲートに 正電圧を印加 BOX層に蓄積する正電荷量を増やすほど、グラフが左にシフトし電流が流れやすくなっていることが分かる(閾値電圧が小さくなっている) トランジスタ特性を測る際に、トランジスタが正常動作しない。 ゲート電圧(V) 通常時 TID効果あり

・2層SOI構造の導入 ・Nested Well構造の導入 放射線ダメージに対する解決策 これらの放射線ダメージを補償する仕組みとしては次の二つがあります。 ・2層SOI構造の導入 ・Nested Well構造の導入

解決策1 : 2層SOI構造による放射線ダメージ補償 新たに導入したMiddle Silicon層に 負電圧をかけ、たまった正電荷を相殺 ドレイン電流(A) -Vmid + + + + + + + Middle silicon 問題点もなく一番良い!! + + + + + + + ゲート電圧(V) 2層SOI構造 TCADによるシミュレーション結果 r=3.0*1017(/cm3)を仮定

△ 解決策2 : Nested Well構造 2層SOIと同様の原理で放射線ダメージの 補償を目的としている。 回路素子を覆う必要が (BNW:ホールトラップの相殺 BPW:電離電荷の回収) 回路素子を覆う必要が あるため、BNW、BPWが大きくなる 次のスライドで説明する2層SOI構造と同じ原理でダメージを補償している。 放射線ダメージを解決できることは大きい、がBNW/BPW間で生じる寄生容量が大きくなってしまう(ノイズ大) △ BNW,BPW間で生じる寄生容量が大きくなると予想される

放射線ダメージによるトランジスタ特性変化測定 試験内容と目的 以下の試験を行います。 放射線ダメージによるトランジスタ特性変化測定                        (シフト量) ・0kradから100Mradまでの12点の照射量を照射し、 その都度、再度トランジスタ特性の評価  これらのシミュレーションを実証するために以下の試験を行います。 (X線源:封入型X線発生装置 SA-HFM3使用)

ゲート電圧、ドレイン電圧、middle silicon電圧を 変化させたときのドレイン電流を測定する 測定項目 ゲート電圧、ドレイン電圧、middle silicon電圧を 変化させたときのドレイン電流を測定する 測定対象:2層SOI構造(NMOS,PMOSそれぞれ2個ずつ)        Nested Well構造(NMOS,PMOSそれぞれ2個ずつ)  G 印加電圧の図 D S Vback=Vsource=0 Vmid ・印加電圧の図 back

トランジスタ特性の測定 PC Agilent 4155A リレーボード サブボード 半導体パラメータアナライザ 電圧制御、 電流精密測定 リレー選択信号 *D G Comp B リレーボード (サブボード上のトランジスタをリレー素子で選択) 電圧の印加 トランジスタ特性測定時の様子 サブボード * D:Drain G:Gate B:Back gate 測定チップ

シフト量、補償電圧 シフト量 Ith= 1 2 mCox 𝑊 𝐿 Vd2 補償電圧 (DVth:各グラフのIthにおけるゲート電圧の差で求まる) Ith= 1 2 mCox 𝑊 𝐿 Vd2 m : キャリアの移動度 Cox : ゲート酸化膜単位面積当たりの容量 L : チャネル長 、 W : チャネル幅 放射線量変化によるId-Vg特性変化 補償電圧はシフトした分を元に戻す値に設定して印加し、ちゃんとダメージが相殺されているかを確認するため 再度トランジスタ特性を測定する 補償電圧 シフトした分を元に戻す電圧 トランジスタパラメータ

これまでに行った内容 トランジスタ特性測定を行うための測定プログラム作成 トランジスタ特性のグラフ作成、シフト量測定のためのROOTを用いた解析プログラムの作成 現在は放射線照射の際に使用する、 Dose量(単位時間あたりに絶縁層に落とすエネルギー量) を計算するためのプログラム作成中

まとめ、今後の予定 まとめ SOI検出器は崩壊点検出器としての機能(占有率 小、物質量 小)を 十分に備えている   十分に備えている 崩壊点付近では放射線耐性が必要(~100Mrad) 2層SOI、Nested Well構造で放射線耐性の問題点は解決できる 予定 3月下旬~4月上旬にかけて、KEKで放射線ダメージ耐性試験を行う 実験結果の解析を4月中に行い、秋のIEEE(米国電気電子学会)にて   発表をする予定 2012年秋季日本物理学会にて測定結果の発表予定

Back up Slide

照射量とトラップした正電荷との対応 TCAD : 8*1016(/cm3)の正電荷を仮定したものと、   X線照射時 : 200kradがほぼ同じシフト量である。 ホールトラップの蓄積メカニズムはまだ不明確。

1.ゲート電極に電圧をかけることで 酸化膜層下面に空乏層が生じる。 2.さらにゲート電圧を大きくすると空乏層が広がる ダメージを受ける前の回路素子の働き Gate Source Drain +++ 電流 n- - - - n- p- SiO2 Si back 回路素子の構造 回路素子の動作原理 1.ゲート電極に電圧をかけることで 酸化膜層下面に空乏層が生じる。 2.さらにゲート電圧を大きくすると空乏層が広がる       電子の通路が生じ、電流が流れる。

SEE(Single Event Effect)効果-BulkCMOS,SOICMOS- 重粒子線(α線など) Bulk CMOS SOI CMOS Si層にて高密度の 電離電荷の発生 電極に回収されて 疑似信号となる (メモリ反転現象) 電離電荷が絶縁層: SiO2層の存在により遮蔽 SEEに対して 非常に強い耐性がある Bulk CMOSでは空乏層が広く、多量の電離電荷が生じる。                      SOI CMOSでは空乏層が狭く、生じる電荷は少ない。  これが電極に回収され、疑似信号と認識されてしまう。                         電荷が生じても、絶縁層でブロックされるため、影響はないのである。