大学院工学研究科 磁性工学特論第10回 -磁気光学効果の測定法-

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大学院工学研究科 磁性工学特論第10回 -磁気光学効果の測定法- 大学院工学研究科 磁性工学特論第10回 -磁気光学効果の測定法- 佐藤勝昭 農工大大学院ナノ未来科学研究拠点

磁気光学効果の測定法 直交偏光子法 振動偏光子法 回転検光子法 ファラデー変調法 光学遅延変調法 スペクトル測定システム 楕円率の評価

直交偏光子法(クロスニコル) /4 rotation /2 rotation  rotation P B A D P F L P B A D P F A I P=A+/2 /4 rotation /2 rotation  rotation (a) (b) S

直交偏光子法の説明 検出器に現れる出力Iは,偏光子の方位角をθp,検光子の方位角をθA,ファラデー回転をθFとすると, (5.1)        (5.1) と表される.ここにθP,θAはそれぞれ偏光子と検光子の透過方向の角度を表している.直交条件では,θP-θA=π/2となるので,この式は        (5.2) となる.

振動偏光子法 P B P F +F A D ID S

振動偏光子法の説明 偏光子と検光子を直交させておき,偏光子を のように小さな角度θ0の振幅で角周波数pで振動させると,信号出力IDは Jn: n次のベッセル関数

振動偏光子法の説明(cont) θFが小さければ,角周波数pの成分が光強度I0およびθFに比例し,角周波数2pの成分はほぼ光強度I0に比例するので,この比をとればθFを測定できる

回転検光子法 P A D S B E F A=pt ID

回転検光子法 検光子が角周波数pで回転するならば,θA=ptと書けるので,検出器出力IDは, と表される.すなわち,光検出器Dには回転角周波数の2倍の角周波数2pの電気信号が現れる.求めるべき回転角θFは,出力光の位相が,磁界ゼロの場合からずれの大きさΨを測定すれば,Ψ/2として旋光角が求まる.

ファラデー変調器法 =0+sin pt Faraday modulator F B ID S D I=I0+ I sin pt

ファラデー変調器法 試料のファラデー効果によって起きた回転をファラデーセルによって補償し,自動的に零位法測定を行う 光検出器Dの出力が0になるようにファラデーセルに電流を流して偏光の向きを回転して試料による回転を打ち消している.感度を上げるために,ファラデーセルに加える直流電流に,変調用の交流を重畳させておき,Dの出力を,ロックイン・アンプなどの高感度増幅器で増幅した出力をフィードバックする.

ファラデー変調器法つづき 検出器出力IDは, となって,p成分の強度はsin(θ0-θF)に比例する.この信号を0にするように(θ0=θFとなるように)ファラデーセルに流す電流の直流成分にフィードバックする。

楕円率の測定法 x y x’ y’ l/4plate h E0 E0sinh E0cosh Optic axis E’ E

円偏光変調法(光学遅延変調法) PEM(光弾性変調器)を用いる i /4 B D j PEM A quartz P Retardation Isotropic medium B fused silica CaF2 Ge etc. Piezoelectric crystal amplitude position l Retardation =(2/)nl sin pt =0sin pt PEM(光弾性変調器)を用いる

円偏光変調法の原理 直線偏光(45) Y成分のみδ遅延 円偏光座標に変換 右円偏光および左円偏光に対する反射率をかける 元の座標系に戻す x軸からφの角度の透過方向をもつ検光子からの出力光 光強度を求める

円偏光変調法の原理 磁気光学パラメータに書き換え φ=0 かつθKが小のとき = 0sinptを代入してBessel関数展開 周波数pの成分が楕円率、2pの成分が回転角

円偏光変調法の図解 図 (a)は光弾性変調器(PEM) Mによって生じる光学的遅延δの時間変化を表す.この図においてδの振幅δ0はπ/2であると仮定するとδの正負のピークは円偏光に対応する. 試料Sが旋光性も円二色性ももたないとすると,電界ベクトルの軌跡は図(b)に示すように1周期の間にLP-RCP-LP-LCP-LPという順に変化する.(ここに,LPは直線偏光,RCPは右円偏光,LCPは左円偏光を表す.) 検光子の透過方向の射影は図(c)に示す様に時間に対して一定値をとる. 旋光性があるとベクトル軌跡は図(d)のようになり,その射影は(e)に示すごとく角周波数2p[rad/s]で振動する.一方,円二色性があるとRCPとLCPとのベクトルの長さに差が生じ,射影(g)には角周波数p[rad/s]の成分が現れる.

円偏光変調法の特徴 同じ光学系を用いて旋光角と楕円率を測定できるという特徴をもっている. また,変調法をとっているため高感度化ができるという利点ももつ. この方法は零位法ではないので,何らかの手段による校正が必要である.

磁気光学スペクトル測定系 M1 L MC PEM S P C (f Hz) M2 A D LA1 (f Hz) LA2 (p Hz) Electromagnet D Preamplifier LA1 (f Hz) LA2 (p Hz) LA3 (2p Hz)

磁気光学スペクトル測定上の注意点 磁気光学スペクトルの測定には,光源,偏光子,分光器,集光系,検出器の一式が必要であるが,各々の機器の分光特性が問題になる.さらに,試料の冷却が必要な場合,あるいは,真空中での測定が必要な場合には,窓材の透過特性が問題になる.

光源 ハロゲン・ランプ (近赤外-可視) キセノンランプ(近赤外-近紫外) 重水素ランプ(紫外)

偏光子 複屈折(プリズム)偏光子 二色性偏光子(偏光板) ワイヤグリッド偏光子

分光器 分解能よりも明るさに重点を置いて選ぶ必要がある.焦点距離25cm程度で,fナンバーが3~4のものが望ましい. 回折格子は刻線数とブレーズ波長によって特徴づけられる. 高次光カットフィルタが必要

集光系 狭い波長範囲:レンズ使用 広い波長範囲:ミラー使用 色収差が重要 たとえば,石英ガラスのレンズを用いて,0.4~2μmの間で測定するとすれば,δf/f=-0.067となり,f=15cmならばδf~1cmとなる.

検出器 光電子増倍管 半導体光検出器

 電磁石と冷却装置、素子の配置 ファラデー配置とフォークト配置 穴あき電磁石 鉄芯マグネット 超伝導マグネット (a) (b)

電気信号の処理

磁気光学効果を用いたヒステリシス測定 差動検出器 コイル 試料 偏光板 青色LED 電磁石

差動検出系 差動検出による高感度化 偏光ビームスプリッター 光センサー P偏光 偏光 S偏光 - 出力 + 光センサー

(Gd2Bi)(Fe4Ga)O12の ファラデーヒステリシスループ

磁気光学顕微鏡による磁区観察 クロスニコル条件では、磁化の正負に対して対称になり、磁気コントラストがでないので、偏光子と検光子の角度を90度から4度程度ずらしておくと、コントラストが得られる。

ファラデー効果を用いた 磁区のイメージング 検光子 偏光子 対物レンズ 試料 穴あき電磁石 光源 CCDカメラ ファラデー効果で観察した (Gd,Bi)3(Fe,Ga)5O12の磁区 NHK技研 玉城氏のご厚意による

CCDカメラによる磁気光学イメージング

磁性ガーネットの磁区の変化 趙(東工大)、 佐藤(農工大)

各種材料の磁気光学効果 酸化物磁性体:磁性ガーネット 金属磁性体:Fe, Co, Ni 金属間化合物・合金:PtMnSbなど 磁性半導体:CdMnTeなど アモルファス:TbFeCo, GdFeCoなど 人工構造膜:Fe/Au, Pt/Coなど

磁性ガーネット 磁性ガーネット: 3つのカチオンサイト: YIG(Y3Fe5O12)をベースとする鉄酸化物;Y→希土類、Biに置換して物性制御 3つのカチオンサイト: 希土類:12面体位置を占有 鉄Fe3+:4面体位置と8面体位置、反強磁性結合 フェリ磁性体 ガーネットの結晶構造

YIGの光吸収スペクトル 電荷移動型(CT)遷移(強い光吸収)2.5eV 配位子場遷移 (弱い光吸収) 4面体配位:2.03eV 8面体配位:1.77eV,1.37eV,1.26eV

磁性ガーネットの3d52p6電子状態 品川による Jz= J=7/2 3/2 6P (6T2, 6T1g) 5/2 7/2 -7/2 - 6S (6A1, 6A1g) 6P (6T2, 6T1g) without perturbation spin-orbit interaction tetrahedral crystal field (Td) octahedral (Oh) J=7/2 J=5/2 J=3/2 5/2 -3/2 - Jz= 3/2 7/2 5/2 -5/2 -3/2 -7/2 P+ P- 品川による

Faraday rotation (arb. unit) Faraday rotation (deg/cm) YIGの磁気光学スペクトル experiment calculation 300 400 500 600 wavelength (nm) Faraday rotation (arb. unit) -2 +2 Faraday rotation (deg/cm) 0.4 x104 0.8 -0.4 (a) (b) 電荷移動型遷移を多電子系として扱い計算。

Bi置換磁性ガーネット Bi:12面体位置を置換 ファラデー回転係数:Bi置換量に比例して増加。 Biのもつ大きなスピン軌道相互作用が原因。

Bi置換YIGの磁気光学スペクトル 実験結果と計算結果 スペクトルの計算 3d=300cm-1, 2p=50cm-1 for YIG 2p=2000cm-1 for Bi0.3Y2.7IG K.Shinagawa:Magneto-Optics, eds. Sugano, Kojima, Springer, 1999, Chap.5, 137

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ハーフメタル:PtMnSb ↑スピンは金属、↓スピンは半導体

希薄磁性半導体CdMnTe Photon Energy (eV) Faraday Rotation(x10-3 deg/cm) x=0.21

アモルファスGdCo膜の磁気光学効果

アモルファス希土類Co膜の 磁気光学スペクトル Wavelength (nm) 300 400 500 600 700 -0.2 Polar Kerr rotation (deg) -0.4 -0.6 5 4 3 2 Photon Energy (eV)