核発生サイトの解明 ⇒ 1 mm 以上の単一ドメイン成長法の確立 A1-計画-分担斉木 幸一朗 (東大・新領域) 国内共同研究者:谷口貴章(NIMS ,A1 公募) TiO2 ナノシートのプラズマ処理 GO/TiO2 FETの特性評価 藤川安仁(弘前大,A2 公募) GOの還元 saiki@k.u-Tokyo.ac.jp 1.原料分子の形状が窒素ドープグラフェンの形成にあたえる影響を解明 RSC Adv. 6, 13392 (2016) 2.有機単結晶の成長中に電界を印加して配向を制御した(一部グラフェン電極) Langmuir 32, 644 (2016) 3.酸化グラフェンの還元法とグラフェン合成 に関する解説 酸化グラフェンの機能と応用,第2章第1, 4, 5, 6節(シーエムシー出版,2016) 4.熱放射顕微法によるグラフェン成長のリアルタイム観察 に関する解説 応用物理 85,485 (2016) 核発生サイトの解明 ⇒ 1 mm 以上の単一ドメイン成長法の確立 100 倍の向上 プラズマによる酸化グラフェンの高次還元 ⇒ 移動度 > 700 cm2/Vs