toffに関するモデルパラメータについて

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1 toffに関するモデルパラメータについて
パワーMOSFETのスイッチング特性 toffに関するモデルパラメータについて (1)モデル・パラメータL,W,TOXが若干影響する。 (2)ゲートチャージ特性に関わるモデルパラメータが一番影響している。 モデルパラメータCGSO,CGDO (3)スタンダードモデル(モデルパラメータ)の場合、ミラー容量に再現性 が無い為、モデルパラメータにミラー容量に再現性がある等価回路を 付加している。それがプロフェッショナルモデルです。プロフェッショナル モデルの等価回路の定数も関係します。 2012年3月16日(金曜日) 株式会社ビー・テクノロジー Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012

2 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
MOSFET: Gate charge: L L = 3u, Qgs=3.27n Qgd=6.617n L = 2u, Qgs=2.4809n Qgd=6.7434 L = 1u, Qgs=1.77n Qgd=6.9066 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012

3 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
MOSFET: Gate charge: W W=0.7037, Qgs=3.1258n Qgd=9.534n W=0.5073, Qgs=2.42n Qgd=6.8n W=0.3125, Qgs=1.66n Qgd=4.117 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012

4 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
MOSFET: turn-on charge: TOX TOX=0.14u, Qgs=2.0478n Qgd=6.7698n TOX=0.08u, Qgs=2.42n Qgd=6.8n TOX=0.04u, Qgs=3.244n Qgd=6.917n Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012

5 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
MOSFET: Gate charge: CGSO CGSO = 1n CGSO = 500p CGSO = 100p Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012

6 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
MOSFET: Gate charge: CGDO CGDO = 1n CGDO = 570p CGDO = 200p Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012

7 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
上記は、ゲートチャージ特性に再現性のある等価回路モデル (プロフェッショナルモデル)です。これらに関わる定数も影響します。 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012