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「MEMS工学」第2回目の課題 (2017.07.07) レポート提出場所： 光メカトロニクス学科事務室前レポートＢＯＸ（Ｃ－１）
レポート提出場所： 光メカトロニクス学科事務室前レポートＢＯＸ（Ｃ－１） 提出期限： （月）まで
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１．半導体チップはおおよそ過去30年間、「ムーアの法則」と呼ばれる経験則に従って微細化を進めてきた。 過去10年間でも、
「130nm→90nm→65nm→45nm→32nm→22nm→16nm」 という微細化が実現された。 ① ムーアの法則とは? ② ムーアの法則はこの先も継続するのか? ２． EUVとは？そのメリットと課題について述べなさい。 ３． MEMS技術はシーズから始まったが，まだ十分なニーズは掴んでいないといわれている。その理由について述べなさい。 ４．PVD (Physical Vapor Deposition)とCVD (Chemical Vapor Deposition)の差異とそれぞれの長所・短所は何か？ ５．製品の誤差 𝜏 𝑤 =1に対し, 測定器の精度を 𝜏 𝑚 = 1 10 , のとしたとき, それぞれにおいての製品の測定精度𝜏 を求めなさい． ６．ポジ型とネガ型レジストの下記について述べなさい： ①光反応メカニズムの差異， ②それぞれの長所・短所は何か？ ７．LIGAプロセスとは？ X-線 LIGAプロセスでX-線を必要とする理由について述べなさい。 ８．半導体やMEMS業界ではマスクという言葉をよく用いるが，マスクには二つの意味があるがそれは何か？ ９．微細化が進むとステッパーの焦点深度が問題になってくるのは何故か？ １０．エッチングにはウェットエッチングとドライエッチングの２方式がある。その差異は何か？ １１．同方性エッチングと異方性エッチングの差異は何か？ １２．プラズマとは何か？ 高密度プラズマは何故必要か？ １３．単結晶シリコンの代表的な結晶方位面には図１のように(111), (110), (100)がある。 シリコンウェハ―の上面が(100)のとき，図２ のように 4の(111)面がピラミッド構造を 形成する。(111)面と底面との角度が約55°となることを計算で求めなさい。 Fig 2. ピラミッド構造 Fig 1. 単結晶シリコンの代表的方位面
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