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Appendix. 【磁性の基礎】 (1)磁性の分類[:表3参照] :原子固有の不対電子*)のスピン(電子の自転)による磁気モ-メントの配列の 仕方で、磁性は分類される *)不対電子を有する原子・・・遷移金属[:表4参照] ↓ 『磁性現象を示す原子』 ①常磁性 :不対電子による磁気モ-メントがバラバラの方向をとるもの ②反強磁性 :2つの磁気モ-メントが、完全に正・負を打消すように配列 ③フェリ磁性:反強磁性と同じ配列をするが、2つの磁気モ-メント間に大きさの 差があり、ある方向に強い磁性を示す ④強磁性 :全ての磁気モ-メントが外部磁場によって完全に1つの方向に揃い、 強い磁性を示す(→“実用的な磁性”)
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表3 磁性の分類
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(2)強磁性体の特徴 :外部磁場に対し、特有の磁化挙動を呈する ↓ “磁化曲線=ヒステリシス曲線”[:図5参照] ・・・強磁性体の単位体積当りの磁化の大きさMの外部磁場Hによる変化を示す 磁化M:原子の孤立電子(不対電子)によって発生する磁気モ-メントの総和 (結晶を構成する不対電子を有する全原子の和) 磁場H:外部より印加する磁場
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◎強磁性体の磁化過程 ①:最初の状態(H=0,M=0) ②:初磁化過程 (χr:磁化率,MS:飽和磁化) ③:外部磁場を取りさった状態 (Mr:残留磁化(H=0)) ④:-HCの磁場でで強磁性体の磁化 は完全にゼロになる(Hc:保磁 力) ⑤:②とは反対方向に飽和磁化した状 態 ⑥:③とは反対方向に生じた残留磁化 ⑦:④とは反対方向のHc ⑧:②と同一方向への飽和磁化状態 図5 ヒステリシス曲線(M-H曲線) [・・・ヒステリシス曲線は閉じる] 注)χr:強磁性体に磁場を印加した時の最初の傾き[・・・磁化率χr=M/H] MS:強磁性体内の全ての磁気モ-メントが印加磁場(外部磁場)方向に配列し た時に生じる磁化[・・・飽和磁化] Mr:飽和磁化状態にある強磁性体に逆方向の磁場を印加し、H=0で強磁性中 に残存する磁化[・・・残留磁化] Hc:強磁性体中に残存したMrを消すために必要な過剰な磁場
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(2)磁性材料(強磁性体材料)の実用的分類[:図6参照]
①軟磁性材料(ソフト磁性材料) ・・・保磁力Hcが小さく、磁化率χrが大きい(:M/Hが大きい)材料 ex.磁気ヘッド,トランス用磁芯材料 ②硬磁性材料(ハ-ド磁性材料) ・・・保磁力Hcが大きく、かつ飽和磁化MS,残留磁化Mrが共に大きい材料 ex.永久磁石材料 ③半硬磁性材料(セミ・ハ-ド磁性材料) ・・・①と②の中間的性質を示す磁性材料 ex.磁気記録用材料:磁気テ-プ材料,磁気ディスク材料,垂直磁気 記録材料,光磁気記録材料 B:磁束密度[単位:Gauss] (強磁性体中の磁化の大きさMと 外部磁場Hの両者を合せた物理量) 図6 磁性材料とB-Hヒステリシス曲線 ①磁芯材料,②永久磁石材料,③磁気記録材料
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光通信用ガラスファイバー[:SiO2(石英ガラス)製ファイバー]
・・・可視光(人間が目で見ることができる波長の光)を最も良く伝える固体 [概要]:①直径20μm ②1本の光ファイバーで電話1万本の回線を通す ③光信号(デジタル信号)により、1秒間に1億個の信号を送信する [要求特性]:光の減衰率が1デシベル(dB)以下のSiO2 光がガラス中を1㎞伝播することによって、1/1に減衰するとき 1デシベル(dB)とする=“1㎞での減衰率がゼロ” [光ファイバーの構造(:図22参照)] ・・・中心部コア:(Si(+Ge)O2 ・・・外筒部クラッド:(SiO2) ↓ コアの屈折率がクラッドよりも高いため、コアに入った光はクラッドとの境界部で 全反射を繰り返し、外部に光がもれないでファイバー中を伝播する =
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図22 光ファイバーの光の伝わり方 [製造法]:原料ガス(SiCl4(四塩化ケイ素)+GeCl4(四塩化ゲルマニウム)+O2+H2) を石英ガラスチューブ中で燃焼 ↓ 原料ガス中からSi(+Ge)O2の析出 石英ガラスチューブごと加熱して引き伸ばす
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