キャリヤ密度の温度依存性 低温領域のキャリヤ密度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ドナーからの電子供給→ドナーのイオン化電圧がわかる　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　アクセプタへの電子供給→アクセプタのイオン化電圧がわかる　　　　　　　　　　　　 常温付近　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ドナー（アクセプタ）密度で飽和→ドナー（アクセプタ）密度がわかる.

Presentation on theme: "キャリヤ密度の温度依存性 低温領域のキャリヤ密度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ドナーからの電子供給→ドナーのイオン化電圧がわかる　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　アクセプタへの電子供給→アクセプタのイオン化電圧がわかる　　　　　　　　　　　　 常温付近　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ドナー（アクセプタ）密度で飽和→ドナー（アクセプタ）密度がわかる."— Presentation transcript:

1 キャリヤ密度の温度依存性 低温領域のキャリヤ密度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ドナーからの電子供給→ドナーのイオン化電圧がわかる　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　アクセプタへの電子供給→アクセプタのイオン化電圧がわかる　　　　　　　　　　　　 常温付近　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ドナー（アクセプタ）密度で飽和→ドナー（アクセプタ）密度がわかる 高温領域　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　価電子帯から電子供給→禁制帯幅がわかる

2 ３・５不純物半導体の 少数キャリヤ密度 ｎ形半導体の電子密度（多数キャリヤ密度） ドナー密度
３・５不純物半導体の 　　　　少数キャリヤ密度 ｎ形半導体の電子密度（多数キャリヤ密度）　　　　　　　ドナー密度 ｎ形半導体の正孔密度（少数キャリヤ密度）　　　　　　ｎｐ積が一定→ ｐ形半導体の正孔密度（多数キャリヤ密度）　　　　　アクセプタ密度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ｎｐ積が一定→

3 第４章半導体の電気伝導 ４・１半導体のキャリヤの運動
固体内のキャリヤ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ランダムな熱運動→電気伝導はない 散乱（scattering) ：空間的な減衰要因 格子散乱(lattice scattering) →格子の熱振動　　　　　　不純物散乱(impurity scattering)→不純物イオンの静電力 再結合(recombination)　：時間的な減衰要因　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　伝導電子はある寿命で価電子帯に落ち、正孔と結合 レート方程式　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　dn／dt=Ｆ（生成）－Ｌ（損失）

4 ４・２電界によるドリフト 電界がないとき トータルでゼロ 電界のみ 等加速度運動 電界があり散乱するとき 衝突を繰り返し一方向に進む
電界がないとき　　トータルでゼロ 電界のみ　　等加速度運動 電界があり散乱するとき　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　衝突を繰り返し一方向に進む 電界方向の平均速度→ドリフト速度 ドリフト速度は電界に比例 比例係数を移動度と呼ぶ

5 ４・２・２ドリフト移動度 格子散乱移動度(lattice-scattering mobility) 高温になると格子振動がによる散乱が大きい
不純物散乱移動度(impurity scattering mobility) 高温になるとキャリヤが高速になり散乱する前に通過する 移動度の合成 移動度の温度特性　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　低温では不純物散乱、高温では格子散乱が支配的 移動殿の不純物濃度特性　　　　　　　　　　　　　　　　　　高濃度で不純物散乱、低濃度で格子散乱が支配的

6 演習問題 教科書５５ページ問題（５）および（６）を解け。