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Magnetic Semiconductor corps.
2003/ 11/ 22 H. Yuasa K. Minami J. Jogo (in USA) T. Nagatsuka Dr. V. Smirnov
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Purpose ・GaAs基板上にCd1-xMnxGeP2薄膜の作製 （室温で強磁性を示すものとしては世界初の薄膜！！）
Sato Lab. Purpose ・GaAs基板上にCd1-xMnxGeP2薄膜の作製 （室温で強磁性を示すものとしては世界初の薄膜！！） GaAs substrate Cd1-xMnxGeP2 (0≦x ≦1) GaAs substrate CdGeP2 (x=0) Cd 班 MnGeP2 (x=1) Mn 班
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MBE Sato Lab. Pump C.C gauge Growth temperature Base pressure
3.0×10-10 Torr Mn:450～550℃ Cd:200℃前後 Substrate Flux monitor REED Screen TBP (Gas) Cd Mn Ge (Solid)
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EDX (Mn) Mn Ge P 0.99 1.00 2.67
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EDX (Cd) Cd Ge P 0.68 1.00 2.62
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XRD (Mn) ??? MnP? MnGe?
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XRD (Cd) ???
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Plan ・ XRDのデータ解析 （リートベルト解析） ・ 基板の影響（InP…) ・ ラマン分光測定,TEM ・ 組成比
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おわり
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Mn:Ge:P Growth temperature Deposition time 0.85:1.00:1.05 450℃ 150 min
0.81:1.00:1.11 550℃ 90 min 1.11:1.00:1.17 415℃ 180 min 0.99:1.00:1.17 500℃ 120 min 1.72:1.00:2.99
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