第８回　 論理ゲートの中身と性質 論理ゲートについて，以下を理解する 内部構成 遅延時間，消費エネルギー 電圧・電流特性 瀬戸

論理ゲートは，トランジスタで実現される 論理ゲートの回路方式 CMOS方式 TTL方式 MOSトランジスタ バイポーラトランジスタ ダイオード CMOS 低消費電力のため よく用いられる （構造も簡単） NOTゲート TTL

MOSトランジスタ - 電圧でon/off可能なスイッチ Metal （金属），Oxcide(酸化膜），Semiconductor (半導体） NMOS, PMOSの２種類 ゲートと基板の間に電界　（電圧）をかけると，ONになる　 G (ゲート） 3V 金属 + - S (ソース) D （ドレイン） 酸化膜（ガラス） n型半導体 n型半導体 p型半導体 nMOS B (基板)

MOSトランジスタのまとめ （重要） 3V 0V G = 1 (H) G = 0 (L) ( ) ( ) NMOS G ON OFF PMOS G OFF ON 基板 1(3V) NMOS, PMOSを両方使う回路方式を，CMOSと呼ぶ (Complementary (相補的) MOS)

MOSトランジスタは，回路素子として表せる （重要） 　抵抗　そして　コンデンサ　である それぞれ　オン抵抗　、　ゲート容量　　と呼ぶ G (ゲート） 金属板 S (ソース) D （ドレイン） ガラス n型 半導体 n型 半導体 p型半導体 B (基板)

電源： ゲート回路で省略してきたが必要なもの 電源：　ゲート回路で省略してきたが必要なもの デジタル回路の動作には　電池　（直流電源）　が必要 ゲートレベルの回路図では、電池の配線は省略 トランジスタレベルの回路図で出現 3V 入力 出力 x x 1 ゲートレベルの 回路図 （ＮＯＴゲート） トランジスタレベルの回路図

ディジタル回路に出てくる電圧(0, 1)（復習） 高い電圧(Hレベル)と低い電圧(Lレベル)の２つ もちろん、変化の途中で、その中間の電圧になる 高い電圧って、何ボルト？ 使用する 電源 電圧のこと ICによって、異なる 5V, 3.3V, …, 1.8V （だんだん低くなっている） VDD , VCC などと書かれる 低い電圧って、何ボルト？ 　 0 V GND (グラウンド), VSS などと書かれる 電圧 H H L L L 時間

電源線、GND線の省略記法 すべてのゲートに 書くのは大変！ 上に書く VDD : 電源電圧(3V) VDD 3V 通常、省略する 水が上から下に 流れるイメージ すべてのゲートに 書くのは大変！ 上に書く VDD : 電源電圧(3V) VDD 3V 通常、省略する （慣れて下さい） GND GND: 電位の基準(0V) 下に書く

CMOS NOTゲートの動作 （１） 入力=1のとき，出力=0となることを確認しよう OFF OFF 入力 3V(1) 出力 0V(0) VDD 電源回路を 省略 3V OFF OFF 入力 3V(1) 出力 0V(0) 入力 3V(1) 出力 0V(0) ON ON GND 電位の基準(0V) 電位の基準(0V)

CMOS NOTゲートの動作 （２） 入力=0のとき，出力=1となることを確認しよう 入力 入力 出力 出力 ON ON 0V(0) 電源回路を 省略 VDD 3V 入力 0V(0) 出力 3V 入力 0V(0) 出力 3V ON ON OFF OFF GND 電位の基準(0V) 電位の基準(0V)

CMOSの特徴 ＝ 低消費エネルギー 常に一方のトランジスタ（スイッチ）が オフ 電流がゼロ ⇒ 低消費エネルギー(エコ） 入力 3V(1) 常に一方のトランジスタ（スイッチ）が　オフ 電流がゼロ ⇒ 低消費エネルギー(エコ） VDD(3V) VDD(3V) 入力 3V(1) 入力 0V(0) 出力 0V(0) 出力 3V(1) ON OFF OFF ON GND(0V) GND(0V)

NOTゲート以外の論理ゲートのCMOSによる実現 VDD(3V) プルアップ(pull up) 出力をVDD(1)に引き上げる PMOSを使用（電気的な理由） プルダウン(pull down) 出力をGND(0)に引き下げる NMOSを使用（電気的な理由） プルアップとプルダウンを同時に出力と接続してはならない 出力が，3Vと0Vの間の中途半端な電圧値になる プルアップ 接続 … 入力１ … 出力ｆ 入力n プルダウン 接続 … GND(0V)

CMOS NANDゲートの実現方法 f x y 左図の回路の真理値表 トランジスタ数は 4 個 面積はNOTゲートの ２ 倍 x f y x トランジスタ数は 4 個 面積はNOTゲートの ２ 倍 x プルアップ 接続 VDD(3V) f y x y プルアップ プルダウン f ON OFF 1 f x y プルダウン 接続 GND(0V)

現実のゲートでは， 伝搬遅延 が発生する x f=x ゲートGの入力xが変化してから，出力fが変化するまでに， 一瞬だけ，遅れること 現実のゲートでは，　伝搬遅延 　が発生する ゲートGの入力xが変化してから，出力fが変化するまでに， 　一瞬だけ，遅れること ゲートG x f=x H H 入力x 入力x L L H H 出力f 出力f L L 理想 (伝搬遅延 ＝ 0) 現実 (伝搬遅延 ≠ 0) なぜ？

ゲートに伝搬遅延が発生する理由は？ 答： 過渡（ かと ）現象 （ＲとCに起因） x f=x x f=x ゲート容量Ｃ （コンデンサ） ゲートG x f=x ゲート容量Ｃ （コンデンサ） オン抵抗R x f=x

出力fが0から，１に変化するときの遅延時間 f f f=0 ⇒ “ゲート容量が 空 ” の状態 f=1 ⇒ “ゲート容量が 満杯 ” の状態 ゲート容量を　充電　　する時間がかかる VDD(3V) オン抵抗 ON 電流 f f ゲート容量 OFF GND(0V)

出力が1から，0に変化するときの遅延時間 f f=1 ⇒ “ゲート容量が 満杯 ” の状態 f=0 ⇒ “ゲート容量が 空 ” の状態 ゲート容量を　放電　　する時間がかかる VDD(3V) OFF 1 電流 f ゲート容量 ON GND(0V)

ファンアウト （fanout) ゲートの 出力 に接続可能な ゲート数 のこと 現実には、ファンアウトが増えると 遅延時間が増える ゲートの　出力　に接続可能な　ゲート数　のこと 現実には、ファンアウトが増えると　遅延時間が増える キャパシタンスが増えるため（ゲート容量） ファンアウト 1 扇(fan)状に 広がる ファンアウト 4

ファンイン(fanin) ゲートへ入ってくる 入力 の数 ファンインが増すとゲート面積増加 トランジスタ数が増加するため ファンイン 2 プルアップ 接続 VDD(3V) ゲートへ入ってくる　入力　の数 ファンインが増すとゲート面積増加 　トランジスタ数が増加するため ファンイン 2 ファンイン 5 プルダウン 接続 GND(0V)

ジュール熱によるCMOSの消費電力 ON OFF 1 ON OFF 充放電時に、一瞬，わずかな電流が流れる ⇒ ジュール熱 が発生 ⇒　ジュール熱　が発生 VDD(3V) VDD(3V) ３億個の トランジスタ 100W（ワット） ON OFF 電流(　充電　） 1 コンデンサＣ （ゲート容量） コンデンサＣ （ゲート容量） OFF ON 電流(　放電　） GND(0V) GND(0V)

Texas Instrument 社データシートより TTL方式　(7404) のNOTゲート 詳細はここで理解不要 (教科書：　P108-112) CMOSと異なり，TTLでは，　　 常に入出力に電流が流れる しかも，向きは逆転する 電流の向き 出力Y H：　流出 L：　吸い込み 入力A H：　吸い込み L：　流出 流出 入力A 流出 出力Y 吸い込み 吸い込み Texas Instrument 社データシートより

TTLゲートの電流特性と，ファンアウトの計算 項目 電流値 備考 Hレベル入力電流 IIH 20μA 入力Hのとき吸い込む最大電流 Lレベル入力電流 IIL -0.4mA 入力Lのとき流出する最大電流 Hレベル出力電流 IOH 出力Hのとき流出できる最大電流 Lレベル出力電流 IOL 8mA 出力Lのとき吸い込める最大電流 1(H)のとき、最大 H IOH 0.4mA = = 20個 IIH =20μA IOH =0.4mA IIH 20μA 0(H)のとき、最大 L IOL 8mA = = 20個 IIL=-0.4mA IOL=8mA IIL 0.4mA 結局このTTLゲートは、ファンアウト20まで付けられる ( ドライブ 　（駆動）できる）

論理ゲートの直流入出力電圧特性 Vout 5 VOH VOL Vin VIL Vt VIH 5 Hレベル入力電圧 VIH Lレベル入力電圧VIL 入力をLとして認識する場合の最大電圧 Hレベル出力電圧VOH 出力がHのときの、出力電圧の最小値 Lレベル出力電圧VOL 出力がLのときの、出力電圧の最大値 5 VOH VOL Vin VIL Vt VIH 5 入力 出力 入力 出力 5V VOH=4.9 VIH=3.5 VOH=2.7 VIH =2.0 VIL=1.5 VIL =0.8 VOL=0.4 VOL=0.1 0V TTL CMOS

まとめ 論理ゲートの２種類の実現方式： CMOS, TTL CMOSに重点を置いて説明 論理ゲートの電気的特徴 遅延時間，消費電力，電圧・電流特性