レイアウトアウトライン TM2005/5/25 4層(500μ)200mmSQ. ボンディング効率から半分の６４ｃｈ/chipとする ４個のVA1使用すると、合計２５６ｃｈある GEM Spacer hole 3.2Φx４ （117x117) 250本のストリップライン VA1ｘ８ チップ抵抗, コンデンサー エリア; 6.25mm２ｘ４ =25mm２ ストリップピッチ； 400μ ストリップ幅 表面;80μ 裏面;340μ カプトン厚 50μ AC Couple? １００mmSQ. 4mm 2層 (50μ) 110mmSQ. 30mm
レイアウト 拡大 Ideas VA1 １００mmSQ. 80μ 320μ 表面拡大 340μ 60μ 裏面 TM2005/5/25 拡大 Ideas VA1 128ch 6.12x4.04mm t;0.6mm 50x90μ Pad size １００mmSQ. 150μx3mmPads 80μ 320μ 表面拡大 340μ 60μ 3mm 裏面
スルーホール詳細 VA1 side Bonding wire(25μAu) Teadrop 0.5mmSQ. Pad 0.3Φスルーホール TM2005/5/25 VA1 side Bonding wire(25μAu) 150μx3mmPads Teadrop 0.5mmSQ. Pad 0.3Φスルーホール 千鳥 180μ線幅 スルーホール詳細 340μ 60μ
TM2005/5/25 80μ線幅 表面 ６本はGNDに 340μ線幅 １００mmSQ. 接続パッド GEM接続パッド 裏面
Ideas VA1 Die size;6.12mm x 4.04mm thickness;600μ TM2005/5/25 Ideas VA1 Die size;6.12mm x 4.04mm thickness;600μ Input bonding pads;pad size;50μx90μ pad pitch;91.2μ Output and power bonding pads;pad size;90μx90μ pad pitch;200μ Radiatin hardness;1Mrad Power rails;Vdd=2V ,Vss=‐2V Gain;12.5mV/fC nominal with differential outputs each driving 500Ω Current gain is about 10μA/fC. The gain depends on setting paramet- ers like VFS,Sha-bias etc. 問題点 １）ベアチップと基板のワイヤーボンディング後のワイヤー保護 ２）基板等の反りによるワイヤーへのストレス ３）量産時での対応 オプテカルセメント(belle;坪山氏）アラルダイト系
VA1 Power,Control,DAQ etc. TM2005/5/25 VA1 Power,Control,DAQ etc. -Vdd;2V Vss;-2V Power dissipation;68～177mW→544～1416mW DC‐DC Converter; LT1963 , LM2991(1.5A,1A) -External power tab? -DAQ board(KEK-VME6U) -Analogue-OUT(1kΩ/1kΩ termination) ; I to V
ADC -CS ADC;camac,16CH RPC022 -V792(CAEN);vme,32ch,400pc,12bit Gain;100fC/count -CS ADC;vme,16CH RPV170,-1000pc,12bit