電気伝導の不思議 元素周期表と物質の多様性 「自由電子」って、ほんとに自 由？ 電気の流れやすさ、流れにくさ 電子は波だ 電子はフェルミ粒子 金属と絶縁体の違いの根源 超伝導の性質 阪大基礎工 三宅和正.

燃料電池、太陽光発電の原 理の現状と問題点の調査 2S12 番 谷藤隆彦 ２ S08 番 澤田紘志 監修 木下祥次 エネルギ変換工学 第 11 回講義資 料.
半導体デバイス工学　講義資料 第４章　バイポーラデバイス （p.68～p.79）.
星間物理学 講義３資料： 星間ガスの熱的安定性 星間ガスの力学的・熱的な不安定性についてまとめる。星形成や銀河形成を考える上での基礎。
放射線計測エレクトロニクスの信号処理の為の アナログ電子回路の基礎 第四回
物理システム工学科３年次 物性工学概論 第火曜１限0035教室 第６回 光電変換
電気回路第1スライド4-1 電気回路第1　第4回 ー網目電流法と演習ー 目次 ２網目電流の設定 （今回はこれだけです。）
単一分子接合の電子輸送特性の実験的検証 東京工業大学　理工学研究科 　化学専攻　木口学.
無機化合物の構造と特性 との関係を理解する
W e l c o m ! いい天気♪ W e l c o m ! 腹減った・・・ 暑い～ 夏だね Hey～!! 暇だ。 急げ～！！
物理システム工学科３年次 「物性工学概論」 第5回半導体の色(2) ー半導体の電気的性質ー
ネットワーク情報概論 ネットワーク情報化社会を支える半導体産業 -- 技術と歴史 --
第15回セラミックス放談会 1998年6月6日 千葉大工学部 西山伸
東北大学工学部・工学研究科 知能デバイス材料学専攻 量子材料学分野
固体電解コンデンサの耐電圧と漏れ電流 －アノード酸化皮膜の表面欠陥とカソード材料の接触界面－
第１４章　その他の燒結材料 14.1電気接点材料 要求される性質： 放電アークによる消耗および物質移動を防止すること 電気伝導性が大きいこと 接触抵抗が低いこと 変形に耐えること 適する材料：複合合金 電気伝導性はAg、Cu 骨格：高融点材料（W、Mo） Cu系：（20〜50)%Cu-W、（35〜65)%Cu-WC.
５．アルミ板による磁界遮蔽 15 電気溶接環境における低周波磁界の 計測と解析 １．背景・目的 ４．磁界計測 ２．抵抗溶接
次世代半導体材料による 省エネルギーエレクトロニクス
誘発電位の基礎 九州大学大学院医学研究院 脳研臨床神経生理 飛松省三.
空孔の生成 反対の電荷を持つイオンとの安定な結合を切る必要がある 欠陥の生成はエンタルピーを増大させる
新しいダブルベータ崩壊探索実験にむけた CdTe検出器の大型化
金属使用の歴史 ●優れた材料： 強度が高くて、一定の形を作るのが容易 ●有史以前の単体金属： 金、銀、銅、鉄、錫、鉛、水銀
4.イオン結合と共有結合 セラミックスの結合様式 [定義] （１）イオン結合・・・
半導体 Ｎ型半導体 Ｐ型半導体.
基礎無機化学 期末試験の説明と重要点リスト
電子回路Ⅰ　第３回(2008/10/20) バイポーラトランジスタの動作原理.
銀河物理学特論 Ｉ： 講義１-2：銀河の輝線診断 Tremonti et al. 2004, ApJ, 613, 898
セラミック化学 無機固体化合物の構造と特性.
担当： 松田 祐司 教授, 寺嶋 孝仁 教授, 笠原 裕一 准教授, 笠原 成 助教
ATLAS実験 SOI Transistor TEG の測定
エレクトロニクスII第３回： 半導体について知ろう ｐｎ接合の原理を知ろう
Ｎiシリサイド電極形成にともなう 欠陥導入過程の考察
半円筒のアルミ板でシミュレーションを行った．
エレクトロニクスII第２回： ACアダプターを分解しよう ーダイオードと整流回路ー
結晶工学特論 第2回目 前回の内容 半導体デバイス LED, LD, HEMT 半導体デバイスと化合物半導体 種類の豊富さ、直接遷移型、
星間物理学 講義３資料： 星間ガスの力学的安定性 星間ガスの力学的な安定性・不安定性についてまとめる。星形成や銀河形成を考える上での基礎。
電力　P　（ Power ） 単位　ワット　W ＝ J / sec
図 純粋な乾燥N2と5 ppm NO2/乾燥N2を繰り返し供給した際のドレイン電流応答
半導体デバイスの基本構成要素 pn junction diode
担当： 松田祐司 教授, 笠原裕一 准教授, 笠原成 助教
研究課題名 研究背景・目的 有機エレクトロニクス材料物質の基礎電子物性の理解 2. 理論 3. 計算方法、プログラムの現状
ランダムグラフ エルデシュとレーニイによって研究された．→ER-model p:辺連結確率 N:ノード総数 分布：
２２章以降 化学反応の速度 本章 ◎ 反応速度の定義とその測定方法の概観 ◎ 測定結果 ⇒ 反応速度は速度式という微分方程式で表現
ナノロッド、マイクロロッド系応用 とりあえず、バイオに限らず 応用例を挙げてみました。
光電効果と光量子仮説 　泊口万里子.
高分子電気絶縁材料の誘電特性計測を用いた劣化診断に関する研究

半導体の歴史的経緯 １８３３年 ファラデー AgSの負の抵抗温度係数の発見
電子物性第1 第11回 ー金属の電気的性質ー 電子物性第1スライド11-1 目次 ２ はじめに ３ 導電率（電子バス） ４ 欠陥の多い結晶
屋外絶縁用高分子材料の吸水及び乾燥過程の誘電特性による評価
GW space-timeコードの大規模な有機-金属界面への適用に向けた高効率化
N型Si基板を用いたMOSFETの自己冷却効果
担当： 松田 祐司 教授, 寺嶋 孝仁 教授, 笠原 裕一 准教授, 笠原 成 助教
キャリヤ密度の温度依存性 低温領域のキャリヤ密度　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ドナーからの電子供給→ドナーのイオン化電圧がわかる　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　アクセプタへの電子供給→アクセプタのイオン化電圧がわかる　　　　　　　　　　　　 常温付近　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ドナー（アクセプタ）密度で飽和→ドナー（アクセプタ）密度がわかる.
目次 電磁工学講座 超伝導工学分野 （牟田研究室） 超伝導発電機の設計と電力システム特性に関する研究 超伝導パワーデバイスに関する研究
ディラック電子系分子性導体への静電キャリア注入を目的とした電界効果トランジスタの作製および物性評価
13族-遷移金属間化合物の熱電材料としての応用
La及びY添加した層状熱電変換酸化物Ca349の結晶構造と熱電特性 H.Nakatsugawa and G.Kametani
アルカリ金属をインターカレートしたh-BNの構造と物性
３．ワイドギャップ半導体の オーム性電極材料開発
直接通電による抵抗発熱を利用した 金属粉末の半溶融焼結
地球観測実習　 草津白根山における 比抵抗構造探査 新谷　陽一郎　　　森真希子　　　　 指導教員　　 小河　勉 飯高　隆.
ＤＳＰを用いた高電界誘電特性解析システムの開発
■ 背景 ■ 目的と作業内容 分子動力学法とフェーズフィールド法の融合による 粒成長の高精度解析法の構築 jh NAH
【1 事業の内容及び実施方法】 1.１. 事業内容（実施方法を含む） 1．1．1 粒界構造確認（EBSD測定）
ガスセンサーの製作 [応用物理研究室] [藤井新太郎]
Au蒸着による酸化物熱電変換素子の内部抵抗低減化効果
セラミックス 第３回目 4月　30日（水）　 担当教員：永山　勝久.
第3９回応用物理学科セミナー 日時： １２月２２日（金） 1４:３0 – 1６:０0 場所：葛飾キャンパス研究棟８Ｆ第２セミナー室
第２章　電子工学の基礎 ２．１　半導体素子 ２．２　電子回路 ２．３　４端子網.