電気的特性からみた基板結晶の課題(主に他人の褌で)

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2005/5/25,6/1 メゾスコピック系の物理 (物理総合) 大槻東巳 (協力 : 吉田順司, 2003 年 3 月上智大学理学博士 )  目次 1 )メゾスコピック系とは 2 )舞台となる 2 次元電子系 3 )バリスティック系の物理 コンダクタンスの量子化 クーロン・ブロッケード 4 )拡散系の物理.
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顕微発光分光法による n 型ドープ量子細線の研 究 秋山研究室 D3 井原 章之 ’ 07 11/20 物性研究所 1次元電子ガスを内包し、 状態密度の発散や 強いクーロン相互作用の 発現が期待される。 しかし試料成長や測定が難しいた め、 バンド端エネルギー領域の 吸収スペクトルに現れる特徴を.
第2章.材料の構造と転位論の基礎. 2-1 材料の種類と結晶構造 体心立方格子( bcc ) 稠密六方晶格子( hcp ) 面心立方格子( fcc ) Cu 、 Ag 、 Au 、 Al 、 Ni 等 Mg 、 Zn 、 Ti 等 Fe 、 Mn 、 Mo 、 Cr 、 W 、 大部分の鋼 等 充填率.
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6.8.4 Cordierite 我々がこの章で議論する最後のフレイムワークケイ酸塩はcordierite (Fe,Mg)2Al4Si5O18である。 それは変成岩中で重要な鉱物であるとともに、ひとつの構造中でのAl,Si orderingを研究する方法と熱力学に関するこのorderingの効果の良い例を与える。このことは言い換えるとcordieriteの出現が、変成度の重要な尺度である変成作用に関係するcordierite中のAl,Si.
微細流路中に合成したナノワイヤ構造体を用いた DNA解析(S-13-NU-0041)
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電気的特性からみた基板結晶の課題(主に他人の褌で) 名古屋工業大学 大学院工学研究科       准教授 加藤 正史 http://ik-lab.web.nitech.ac.jp/  @m34kato

ユニポーラデバイスの観点 プロセスで何とかなる=シリアスでない? リーク・酸化膜破壊は 表面のピットに起因 ピットは転位位置に H. Fujiwara et al., Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 242102. のFig.5 転位の減少が必要 ただしプロセスによっては ピットにならない プロセスで何とかなる=シリアスでない?

バイポーラデバイスの観点 エピ層のキャリアライフタイムが重要 従来制限してきたのは点欠陥(Z1/2) Z1/2は低減可能 S. Ichikawa, Appl. Phys. Express 5 (2012) 101301 のFig.1. Z1/2は低減可能 数十μsのキャリアライフタイムが実現 キャリアの拡散長は100 μmオーダー となるとキャリアは転位により再結合 S. Ichikawa, Appl. Phys. Express 5 (2012) 101301. のFig3(b) 転位の周囲100 μmΦのキャリアが 転位で再結合すると仮定 で、転位にリミットされないためには 100 μm 1/(100μm×100μm×)=3×103 cm-2 現状の市販ウェハ ~104 cm-2 3×103 cm-2は現実的な目標か?

転位の種類に関して 結局全ての転位を少なくして欲しい、という身も蓋も… 刃状よりも螺旋の方が悪影響 Gan Feng et al., Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 090201 のFig.1 刃状よりも螺旋の方が悪影響 ただしバーガースベクトルまでは議論できていない 結局全ての転位を少なくして欲しい、という身も蓋も…

将来の基板への期待 SiC IGBTが実用化され、その後には キャリアライフタイムの長いSiC基板が必要に? Si IGBTの場合 エピコストを下げるため FZウェハを使用 キャリアライフタイムの長い 基板があれば厚膜エピは不要 D. Burns et al., ISPSD '96 Proceedings 331. のFig.1 SiC IGBTが実用化され、その後には キャリアライフタイムの長いSiC基板が必要に?

IGBTドリフト層用基板への要求 コストメリットを考慮すると、夢かもしれませんが… ドーピング密度を下げる キャリアライフタイムを長くする 低窒素濃度基板 B. Zippelius et al., J. Appl. Phys. 111 (2012) 033515. のFig.2(a) キャリアライフタイムを長くする 点欠陥濃度の低減 ただし熱平衡濃度が存在 低温成長技術に脚光? コストメリットを考慮すると、夢かもしれませんが…