X線吸収微細構造(XAFS)の影響 干渉 ～ 吸収係数の変調による微細構造の出現 － 吸収端近傍のエネルギーでは、多重散乱による微細構造(XANES) － 高エネルギー側になるにつれ、緩やかに減衰する振動(EXAFS) XAFS (X-ray Absorption Fine Structure) － XANES (X-ray Absorption Near Edge Structure － EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure)
XAFS のモデル化 エネルギー範囲を分割 ⇒ モデルフィッティング ⇒ エネルギーの関数 ⇒ 量子効率への組み込み SESの連続成分で規格化した分散スペクトル + XIS Q.E. (HENKE) X線不感層 電極 (Si) 保護膜 (SiO2) BI FI エネルギー範囲を分割 ⇒ モデルフィッティング ⇒ エネルギーの関数 ⇒ 量子効率への組み込み
XAFS のモデル化 (cont.) モデル関数 (ref. Astro-E1) XIS Q.E. (HENKE) との比
XAFSの量子効率への組み込み FI-2 Eedge = 0.532 ±0.001 keV red. c2 = 1.3178 (d.o.f. = 418)
量子効率 (FI)