物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第14回 スピンエレクトロニクス(2) 磁気記録

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物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第14回 スピンエレクトロニクス(2) 磁気記録 物理システム工学科量子機能工学分野 佐藤勝昭

第13回に学んだこと 磁性入門 磁性の基礎を学んだ。 磁性体はどこに使われているか どのような物質が磁性体になるのか 磁性体の特徴はなにか  磁性の基礎を学んだ。 磁性体はどこに使われているか どのような物質が磁性体になるのか 磁性体の特徴はなにか 磁性体の物理

強磁性の特徴1 低温では、自発磁化をもち磁気モーメントの向きがそろっているが、キュリー温度Tc以上に加熱すると、自発磁化を失う。

強磁性体の特徴2 磁化が外部磁界に対しヒステリシスを示す。 O→B→C:初磁化曲線 C→D: 残留磁化 D→E: 保磁力 C→D→E→F→G→C: ヒステリシスループ (高梨:初等磁気工学講座テキスト)

強磁性体の特徴3 保磁力のちがいで用途が違う Hc小:軟質磁性体 磁気ヘッド、変圧器鉄心、磁気シールド Hc中:半硬質磁性体 磁気記録媒体 永久磁石

第13回の問題 磁性体で興味をもったものを1つ上げ、 その応用に用いられている物理現象について述べよ。 半数が直流モーターについて書き、 半数が磁気記録について書いていました。

第14回で学ぶこと 磁気記録と光磁気記録 磁気記録の歴史 磁気テープと磁気ディスク 記録媒体と磁気記録ヘッド 高密度化を支えるMR素子 ハイブリッド磁気記録 固体磁気メモリ(MRAM)

磁気記録の歴史 1898年V.Poulsen(デンマーク):発明:磁性体の磁化状態を制御することによる情報記憶技術。 1900年磁気録音機としてパリ万国博に出品され、「最近の発明のなかで最も興味あるもの」として賞賛される。 1921年L.De Forest(米国)の真空管による増幅器の発明、1930年代リング型磁気ヘッドと微粉末塗布型テープの開発→磁気記録技術の実用化

磁気テープ創生期 1928 - Dr. Fritz Pfleumer patent in Germany for application of magnetic powders to strip of paper or film. 1931 - 1932 - BASF of I.G. Farben joined with AEG of Telefunken to develop magnetic tape recording using Pfleumer patent; by 1934, BASF is able to manufacture reels of plastic-based tape. 1935 - first public demonstration of BASF/AEG "Magnetophone" at Berlin Radio Fair. 1939 - independent invention of the wire recorder in U.S. by Marvin Camras at Armour Research Foundation and sold to military during World War II; wire recorders such as the Webster pictured at right were popular with amateurs until the late 1950s. http://inventors.about.com/gi/dynamic/offsite.htm?site=http://ac.acusd.edu/History/recording/notes.html

磁気記録過程 佐藤勝昭編著「応用物性」 (オーム社, 1991)図5.18

記録波長 媒体に近接して配置した磁気ヘッドのコイルに信号電流を流し、信号に対応した強さと向きをもつ磁束を発生し、媒体に加える。 媒体は、ヘッドからの磁束を受けて磁化され、信号に対応する残留磁化の向きと強度をもつ磁区が形成される。 記録波長(信号1周期に対応する媒体上の長さ) =v/f (v:媒体と磁気ヘッドの相対速度,  f:信号周波数) 記録減磁:高周波信号になると、媒体が十分に動かないうちに磁界の向きが反対になり、十分に記録できなくなる現象

磁気記録の再生原理(1) 誘導型ヘッド 電磁誘導現象 コイルを通る磁束が変化するとき、磁束の時間微分に比例した電圧Eがコイルに発生する。 スペーシングロス 再生の原理 電磁誘導 電磁誘導現象 コイルを通る磁束が変化するとき、磁束の時間微分に比例した電圧Eがコイルに発生する。 出力は微分波形となる 再生電圧は、記録波長(媒体上の信号1周期に対応する長さ)と媒体・ヘッドの相対速度の積に比例 佐藤勝昭編著「応用物性」 (オーム社, 1991)図5.19, 5.20

磁気記録の再生原理(2) MR(磁気抵抗)ヘッド 当初AMR(異方性磁気抵抗効果)が用いられたが90年代半ばからGMR(巨大磁気抵抗効果)が用いられるようになった。 N S 漏れ磁界 MRヘッド

磁気ヘッド拡大図 IODataのHPより

磁気ヘッド IBMのHPより

ハードディスクの高密度化はなぜ可能になったか? 磁性媒体のグレーンの微細化 →磁区の微細化 →高い線密度(>300kbpi)と高いトラック密度(>30ktpi) 磁束の局所化 ヘッド浮上量の低減を要求 ヘッドの磁界感度向上を要求 →MR(磁気抵抗)ヘッド:AMR→GMR(SV)→TMR 弱い信号→PRMLなど信号処理 Cr CoCr

磁化曲線とGMR GMR(SV)ヘッドの原理 M H R H F1とF2の保磁力が異なれば反平行スピンの時に抵抗が高くなる。

層間 結合系の巨大磁気抵抗効果( GMR ) スピン依存散乱 MR ratio R(H)/R(0) Fe Cr H (kOe) Baibich et al.: PRL 62 (88) 2472 H (kOe)

GMR 振動と層間結合 Co/Cu superlattice MR ratio (%) Cu thickness (Å) Mosca et al.: JMMM94 (91) L1

非結合系のGMR ソフト磁性体とハード磁性体との3層構造 M 自由 NiFe Cu MR 固定 Co H (Oe) Shinjo et al.: JPSJ 59 (90) 3061 H (Oe)

GMR(巨大磁気抵抗効果)とは? 強磁性体(F1)/非磁性金属(N)/強磁性(F2)多層膜 F1, F2平行なら抵抗小。反平行なら抵抗大。 フリー層  ピン層

スピンバルブ NiFe(free)/Cu/NiFe(pinned)/AF(FeMn)の非結合型サンドイッチ構造 NiFe free Cu 交換バイアス NiFe pinned AF layer (e.g. FeMn) 最近はSAFに置き換え

記録密度とヘッド浮上量

HDの記録密度の状況 HDの記録密度は、1992年にMRヘッドの導入によりそれまでの年率25%の増加率(10年で10倍)から年率60%(10年で100倍)の増加率に転じ、1997年からは、GMRヘッドの登場によって年率100%(10年で1000倍)の増加率となっている。 超常磁性限界は、40Gb/in2とされていたが、AFC(反強磁性結合)媒体の登場で、これをクリアし、実験室レベルの面記録密度は2003年時点ですでに150 Gb/in2に達し、2004年には200 Gb/in2に達すると見込まれる。

ハードディスクのトラック密度、面記録密度、線記録密度の変遷 ハードディスクのトラック密度、面記録密度、線記録密度の変遷  超常磁性限界 GMRヘッド MR ヘッド

超常磁性限界 Cr CoCr 現在使われているハードディスク媒体はCoCrPtBなどCoCr系の多結晶媒体である。強磁性のCoCr合金の結晶粒が偏析したCr粒に囲まれ、互いに分離した膜構造になっている。 磁気ヘッドによって記録された直後は、磁化が記録磁界の方向に向いているが、微粒子のサイズが小さくその異方性磁気エネルギーKuV (Kuは単位体積あたりの磁気異方性エネルギー、Vは粒子の体積)が小さくなると、磁化が熱揺らぎkTによってランダムに配向しようとして減磁するという現象が起きる。これを超常磁性限界と呼んでいる。

減磁現象 実際、20 Gb/in2の記録媒体では、その平均の粒径は10 nm程度となり、各結晶粒は磁気的に独立に挙動し、記録された情報が保てない。 一例として16 Gb/in2の記録媒体において信号強度がt=104 sで96%に低下することが報告されている[1] 。 [1] 鈴木孝雄:「Data Storage高密度化への模索」日本応用磁気学会第113回研究会「リムーバブル記録の現状と将来展望」 (2000.12.1) 資料集p.11. G.J. Tarnopolsky et al. TMRC, SanDiego, Aug. 1999

熱的安定条件 ハードディスクの寿命の範囲でデータが安定であるための最低条件は、=KuV/kT>60とされている。 面記録密度Dとすると、粒径dはD-1/2に比例するが、記録される粒子の体積Vはほぼd3に比例するのでVはDの増大とともにD-3/2に比例して減少する。 この減少を補うだけ、磁気異方性Kuを増大できれば、超常磁性限界を伸ばすことができる。単磁区の微粒子を仮定し、磁化反転が磁化回転によるとすると、保磁力HcはHc=2Ku/Msと書かれるからD3/2以上の伸びで保磁力を増大すれば救済できるはずである[1]。 しかし、Hcが 大きすぎると、通常の磁気ヘッドでは記録できなくなってしまう。これを救うのがハイブリッド記録である。 [1] T.W. McDaniel and W.A. Challener: Proc. MORIS2002, Trans Magn. Soc. Jpn. 2 (2002) 316.

AFC(反強磁性結合)媒体 AFC媒体(antiferromagnetically coupled media)というのは、Ruの超薄膜を介して反強磁性的に結合させた媒体のことで、交換結合によって見掛けのVを増大させて、安定化を図るものである。 富士通ではSF(synthetic ferromagnet)媒体と称する強磁性結合媒体を用いて超常磁性限界の延伸を図っている。

AFC媒体の模式図 AFC媒体、SF媒体では、交換結合で見かけのVを増大 (旧IBMのホームページより)

超常磁性限界はどこまで伸びるか このような方法によって超常磁性限界の到来を多少遅らせることはできても、せいぜい500Gbits/in2迄であろうと考えられている。 保磁力を大きくすれば安定性が向上することは確実であるが、磁気ヘッドで書き込めなくなってしまう。ヘッドの飽和磁束密度には限界があるし、ヘッドの寸法の縮小にも限界がある。現行の磁気ヘッドは理論限界の1/2程度のところにまで到達しており、改善の余地はほとんど残されていない。

超常磁性の克服 保磁力の大きな媒体にどのようにして記録するのかという課題への1つの回答が、パターンドメディアを用いた垂直磁気記録技術であるが、もう1つの回答が熱磁気記録である。 パターンド・メディア 物理的に孤立した粒子が規則的に配列 熱アシスト記録(光・磁気ハイブリッド記録) 記録時に温度を上昇させてHcを下げ記録。室温ではHcが増大して熱的に安定になる。

垂直磁気記録 従来の磁気記録は記録された磁化が媒体の面内にあるので、面内磁気記録と呼ばれる。長手記録とも呼ばれる。高密度になると、1つの磁区の磁化が隣り合う磁区の磁化を減磁するように働く。 これに対し、垂直磁気記録では、隣り合う反平行の磁化は互いに強めあうので、記録が安定。

微粒子集合体からパターンドメディアへ 中村:日本応用磁気学会128回研究会テキストp.9 早稲田大学朝日研究室のHPより

熱アシスト記録材料 熱磁気記録に用いられる媒体としては、従来からHDDに用いられてきたCoCr系のグラニュラー媒体を利用する方法と、MO媒体として使われてきたアモルファス希土類遷移金属合金媒体を用いる方法が考えられる。また、短波長MO材料として検討されたPt/Co多層膜媒体を用いることも検討されている。いずれにせよ、室温付近で大きなHcを示し、温度上昇とともに通常の磁気ヘッドで記録できる程度にHcが減少する媒体が望ましい。

光磁気記録 記録: 熱磁気(キュリー温度)記録 再生: 磁気光学効果 MO, MDに利用 互換性が高い 書き替え耐性高い:1000万回以上 記録: 熱磁気(キュリー温度)記録 光を用いてアクセスする磁気記録 再生: 磁気光学効果 磁化に応じた偏光の回転を電気信号に変換 MO, MDに利用 互換性が高い 書き替え耐性高い:1000万回以上 ドライブが複雑(偏光光学系と磁気系が必要) MSR, MAMMOSなど新現象の有効利用可能

光磁気ディスク 記録: 熱磁気(キュリー温度)記録 再生: 磁気光学効果 MO: 3.5” 128→230→650→1.3G→2.3G 記録: 熱磁気(キュリー温度)記録 再生: 磁気光学効果 MO: 3.5” 128→230→650→1.3G→2.3G MD(6cm) iD-Photo, Canon-Panasonic(5cm)

光磁気記録の歴史 1962 Conger,Tomlinson 光磁気メモリを提案 1967 Mee Fan ビームアドレス方式の光磁気記録の提案 1971 Argard (Honeywel) MnBi薄膜を媒体としたMOディスクを発表 1972 Suits(IBM) EuO薄膜を利用したMOディスクを試作 1973 Chaudhari(IBM) アモルファスGdCo薄膜に熱磁気記録(補償温度記録) 1976 Sakurai(阪大) アモルファスTbFe薄膜にキュリー温度記録 1980 Imamura(KDD) TbFe系薄膜を利用したMOディスクを発表 1981 Togami(NHK) GdCo系薄膜MOディスクにTV動画像を記録 1988 各社 5”MOディスク(両面650MB)発売開始 1889 各社 3.5 ”MOディスク(片面128MB)発売開始 1991 Aratani(Sony) MSR(磁気誘起超解像)を発表 1992 Sony MD(ミニディスク)を商品化 1997 Sanyo他 ASMO(5”片面6GB:L/G, MFM/MSR)規格発表 1998 Fujitsu他 GIGAMO(3.5”片面1.3GB)発売開始 2001 Sanyo ディジカメ用iD-Photo(2”, 780MB)発売 2002 Canon-松下 ハンディカメラ用2“3GBディスク発表

光磁気媒体 MOディスクの構造 ポリカーボネート基板 窒化珪素保護膜・ (MOエンハンス メント膜を兼ねる) Al反射層 MO記録膜 (アモルファスTbFeCo) groove land 樹脂

光磁気記録 (1)情報の記録 レーザ光をレンズで集め磁性体を加熱 キュリー温度以上になると磁化を消失 冷却時にコイルからの磁界を受けて記録 M Tc 温度 Tc 光スポット 光磁気記録媒体 外部磁界 コイル

光磁気記録 (2)ビットの安定性 TcompでHc最大: 補償温度(Tcomp)の利用 アモルファスTbFeCoは 一種のフェリ磁性体なので  一種のフェリ磁性体なので  補償温度Tcompが存在 TcompでHc最大: 記録磁区安定 Hc M Tb FeCo Mtotal Fe,Co Tb Tcomp Tc T 室温

アモルファスR-TM合金

光磁気記録 (3)情報の読み出し 磁化に応じた偏光の回転を検出し電気に変換 D1 LD - D2 偏光ビーム スプリッタ + N S N S

MOドライブ

MOドライブの光ヘッド Laser diode Photo-detector Focusing lens Half wave-plate Beam splitter PBS (polarizing beam splitter) Rotation of polarization Recorded marks Track pitch Bias field coil MO film mirror

2種類の記録方式 光強度変調(LIM):現行のMOディスク 磁界変調(MFM):現行MD, iD-Photo 電気信号で光を変調 磁界は一定 ビット形状は長円形 磁界変調(MFM):現行MD, iD-Photo 電気信号で磁界を変調 光強度は一定 ビット形状は矢羽形

記録ビットの形状 (a) (b)

超高密度光ディスクへの展開 超解像 MSR/MAMMOS Super-RENS (Sb) 短波長化 近接場

MSR(磁気誘起超解像) 記録層と再生層を分離 解像度は光の回折限界から決まる d=0.6λ/NA (ここにNA=n sinα) 波長以下のビットは分解しない 記録層と再生層を分離 読み出し時のレーザの強度分布を利用 ある温度を超えた部分のみを再生層に転写する α d

MSR方式の図解

MSRの分類 高温部が光スポットのやや後方に偏ることを利用 FAD (front aperture detection) 読み出し層の記録マークの後ろの部分をマスクして、開口を小さくする。 RAD (rear aperture detection) 読み出し層を磁界によって消去しておき、高温部で記録層から転写する。 CAD (center aperture detection) 記録層の上に面内磁気異方性をもつ読み出し膜を重ねておき、レーザ光で加熱すると中心部のみの異方性が変化し、交換結合により記録層から読み出し層に転写

MAMMOS (magnetic amplification MO system) MSRの転写の際に磁界を印加することによって、転写された磁区を拡大し、レーザスポットの有効活用を図る。 これにより、0.05mのスポットも再生可能に。

DWDD(磁壁移動検出) 読み込みの時だけ、磁壁が移動して記録マークを拡大 まるでゴムで引っぱられるように、移動層に転写されている磁区の端(磁壁)が移動。磁壁移動検出方式という名称は、ここから発想されました。読み出しの時だけ、記録メディアの方が、記録層に記録された微小な記録マークを虫眼鏡で拡大するかのようにふるまうので、レーザービームスポット径より高密度に記録されていても読み取ることが可能になるわけです。 キャノンのHPより

DWDD概念図 原理的には再生上の分解能の限界がない。 移動層 スイッチング層 記録層

スピン依存トンネル効果とトンネル磁気抵抗効果(TMR) current FM2 FM1 I FM2 insulator voltage current FM1 強磁性体(FM)/絶縁体(I)/強磁性体(FM)構造 M. Julliere: Phys. Lett. 54A, 225 (1975) S. Maekawa and V.Gafvert: IEEE Trans Magn. MAG-18, 707 (1982) Y.Suezawa and Y.Gondo: Proc. ISPMM., Sendai, 1987 (World Scientific, 1987) p.303 J.C.Slonchevsky: Phys. Rev. B39, 6995 (1989) T. Miyazaki, N. Tezuka: JMMM 109, 79 (1995)

TMRデバイス 絶縁体の作製技術が鍵を握っている。→ 最近大幅に改善 TMR ratio as large as 45% was reported. (Parkin: Intermag 99) Bias dependence of TMR has been much improved by double tunnel junction. (Inomata: JJAP 36, L1380 (1997))

TMRを用いたMRAM ビット線とワード線でアクセス 固定層に電流の作る磁界で記録 トンネル磁気抵抗効果で読出し 構造がシンプル

MRAMの回路図 鹿野他:第126回日本応用磁気学会研究会資料p.3-10

MRAM と他のメモリとの比較 読出速度 書込速度 不揮発性 低電圧化 リフレッシュ セルサイズ SRAM DRAM Flash FRAM 高速 中速 中高速 書込速度 低速 不揮発性 なし あり リフレッシュ 不要 要 セルサイズ 大 小 中 低電圧化 可 限 不可

期末テストについて 7月29日(火)1限 プレハブ教室 問題の1つとして、「物性工学概論で学んだ材料や物理現象のうち興味を持ったことを1つ選んで、自分で調べて1000字程度で説明せよ。」というのを出しますので、あらかじめ準備しておいてください。(同一文章の場合、双方とも減点します) 持ち込み可能なもの:参考書1冊、電卓、カンペ2枚(手書きに限る)

テーマの例 光電変換:CCDカメラ ニュートリノを見いだした光電子増倍管 青色発光ダイオード、青紫色レーザー さまざまな光ディスク:CD-RWの記録の仕組み ディスプレイ:PDPの仕組み、原理 磁気光学効果とMOディスク ハードディスクの仕組み