利点 概要： ナノ電極の作製法 高分子膜による逐次被覆 ガラス封入白金線のＨＦによる溶出 器用さに依らない高い成功率 (3/4) 概要： ナノ電極の作製法 高分子膜による逐次被覆 ガラス封入白金線のＨＦによる溶出 器用さに依らない高い成功率 (3/4) 直径： 1 nm - 5 mm 6 時間連続使用 15 時間の乾燥/使用繰り返し 利点 物理化学的面白さ Fcは450 MV s-1 でも可逆、 ko = 2700 cm s-1に相当
作製法 エタノール＋水で白金線を溶解 白金線をガラスに封じ込め 封じ込めガラスを粗研磨 交流測定による制御研磨 HF中でガラスの化学溶出 加熱安定化
エタノール＋水で白金線を溶解 粘性低い→ 対流大きい 3 M CaCl2: エタノール+水 5 V, 60 Hz 6 M NaNO2, 5 V, 60 Hz 粘性低い→ 対流大きい
交流測定による制御研磨 Poten- tiostat Lock-in amplifier PC Pt coil (a) (b) (c) AC Emery paper AC 0.1V, 1 KHz Pt wire Pt coil 0.1M KCl (a) (b) (c)
露出研磨時間の変化
ガラスのHFによる溶解＋加熱85度 電極の 大きさの制御困難
CV 2.1 mM FcTMA 4.7 nm 5.3 mM Fc 2.8 nm
安定性 ６時間連続CV FcTMA水中 t / h I / pA t / h I / nA CV→ 洗浄→ 50度乾燥→ 40分放置 2 4 2 4 6 5 10 t / h I L / pA ６時間連続CV FcTMA水中 CV→ 洗浄→ 50度乾燥→ 40分放置 5 10 15 0.2 0.4 t / h I L / nA
ネルンストプロット E / V vs. Ag|AgCl log[ I / ( I - )] Fc FcTMA 0.3 0.4 0.5 -1 1 0.1 0.2 E / V vs. Ag|AgCl log[ I / ( I L - )] FcTMA Fc
半波電位 FcTMA Fc log( a / nm) E / V vs.Ag|AgCl 1 2 3 0.1 0.3 0.4 1 2 3 0.1 0.3 0.4 log( a / nm) E 1/2 / V vs.Ag|AgCl FcTMA E1/2(FcTMA) = 0.404 0.025 V E1/2(Fc) = 0.056 0.004 V Fc E1/2 - Eo / mV koa / D * ko of FcTMA / cm s-1 ko of Fc / cm s-1 2 17.3 1430 5410 4 8.63 715 2700 10 3.43 284 1074 20 1.68 139 526 25 1.32 110 414