ハイパフォーマンス組込みシステム向けとして 業界最速のNORフラッシュ ファミリ 新製品のご紹介: 128Mb～512Mb KL-S/KS-S HyperFlash™ファミリ KL-S/KS-S = MirrorBit®技術を採用した サイプレスの3.0V／1.8V、65nm NORフラッシュ メモリ ハイパフォーマンス組込みシステム向けとして 業界最速のNORフラッシュ ファミリ

NORフラッシュ メモリ用語 不揮発性メモリ (NVM) プログラム メモリ フラッシュ メモリ NORフラッシュ メモリ 電源が供給されない時でもデータを保持するメモリ プログラム メモリ CPU命令を高速に実行する、低遅延で高帯域幅のNVM フラッシュ メモリ 事前に定義された「1」と「0」状態をメモリ セルに設定するために、電子を追加または除去してトランジスタが電流を駆動する電圧を変更 するNVM NORフラッシュ メモリ メモリ アーキテクチャとして、高速な連続アドレス アクセスではなく高速かつ低レイテンシのランダム アクセスに最適化されたフラッシュ メモリ MirrorBit® サイプレスのNVMセル技術であり、セルごとに2データ ビットを提供するために2つの限定された電子記憶領域を備えており、効果的に NORフラッシュ メモリの容量を倍増 ダブル データ レート (DDR) クロック サイクルごとにデータが2回転送されるデータ転送モード 読み出し速度 データがメモリから読み出される速度 (単位: バイト毎秒) Terms of Art

その他のNORフラッシュ メモリ用語 HyperBus™ HyperFlash™ シリアル ペリフェラル インターフェース (SPI) 高帯域幅の12信号インターフェースであり、ダブル データ レート (DDR) で8つの I/O信号 を介して情報を転送し、333MBpsの速度を実現 HyperFlash™ パラレルNORフラッシュ メモリの1/3のピン数でQuad SPI NORフラッシュ メモリよりも 高い帯域幅を提供するサイプレスNORフラッシュ メモリ製品ファミリ シリアル ペリフェラル インターフェース (SPI) 組み込みシステムで使用する業界標準の少ピン数インターフェースであり、マスターとスレーブ デバイス間の同時のデータ交換 (1サイクル 1ビットづつ) が可能 Quad SPI 業界標準の高速かつ少ピン数のインターフェースであり、SPIインターフェースの4線を同時に使用して高速なデータ トランザクションを実現 ソフト エラー 自然放射線により生じるデータ エラー エラー訂正コード (ECC) ビット エラーを検出し訂正するためにパリティ ビットが追加された符号化データ 1メガビット当たりの故障率 (FIT) デバイスの予測故障率；1FIT/Mbは、10億のデバイス動作時間にわたって1メガビットのデータ当たりに1つの故障が発生するという意味 サイプレスHyperBusインターフェース (12ピン) コントローラー DQ0～DQ7 メモリ または ペリフェラル CS# CK CK# RWDS1 1 読み書きデータ ストローブI/O Terms of Art

その他のNORフラッシュ メモリ用語 ダイナミック ランダム アクセス メモリ (DRAM) HyperRAM™ プログラム／消去 セクタ 電荷を保持するために絶えずリフレッシュされることが必要なストレージ コンデンサに各データ ビットを格納する揮発性メモリ HyperRAM™ HyperBusインターフェースを備えたセルフ リフレッシュDRAM プログラム／消去 NORフラッシュ メモリ セルの状態をそれぞれ「1」から「0」に、「0」から「1」に変更する動作 セクタ 連続アドレスを有するメモリ位置の物理ブロック (例: 256Mbメモリ内の256KBセクタ) セクタ消去 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作 チップ消去 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ メモリ アレイ内の全メモリ セルを消去する動作 Terms of Art

最高性能システムには高速かつ少ピン数のメモリが必須 幅広いセグメントでの最高性能が求められるシステムでは、可能な限り速くプログラム メモリとデータにアクセスできる NORフラッシュ メモリが必須 これらのセグメントにあたるお客様は、以下の特長を有する高速かつ少ピン数NORフラッシュ メモリを求めている: 即時起動2要件を満たすため、最速の起動時間1を実現する最高の読出し速度 パッケージ サイズを縮小し、プリント基板コストを削減するための少ピン数インターフェース 高い信頼性、低いFIT/Mbレート 小さいパッケージに実装され、エアフローを低減したシステム向けの、高動作温度範囲 最高性能システムの設計者は少ピン数のNORフラッシュ メモリを必要とする 車載用 通信 民生用 車載用インストルメント クラスタ Mercedes Benz社製 ルーター シスコ システムズ社製 デジタル一眼レフカメラ ニコン社製 1 NVMに格納された初期化命令の自動実行を完了するのにシステムが要する時間 2 電源投入の直後にユーザー入力が可能になっているシステムの即時使用可能性 Market Vision

サイプレス: NORフラッシュ、SRAM、NVRAM市場のNo. 1競合メーカーのメモリ製品ポートフォリオとの比較 製品カテゴリ サイプレス 競合メーカー サイプレス製品の 性能上の利点 性能 ISSI Micron 東芝 Winbond Macronix 富士通 No. 1 NOR フラッシュ HyperFlash™1    最高読み出し速度 333MBps パラレルNORフラッシュ 最高読み出し帯域幅 最速プログラム／消去 102MBps シリアルNORフラッシュ 最高読み出し速度 最速プログラム／消去 160MBps No. 1 SRAM QDR®-IV同期SRAM 最高RTR (ランダム トランザクション レート) 2.1GT/s ECC2内蔵の非同期SRAM 高信頼性 < 0.1FIT2 MicroPower SRAM 最低スタンバイ電流 1.5µA No. 1 NVRAM シリアルF-RAM™4 100µA パラレルnvSRAM5 最速NVRAM6 20ns AGIGARAM®7 最大容量 NVRAM6 16GB サイプレスは、組み込みシステム向けの高性能メモリを最も幅広いポートフォリオで提供 1 パラレルNORフラッシュ メモリの1/3のピン数でQuad SPI NORフラッシュ メモリよりも高い帯域幅を提供 するサイプレスNORフラッシュ メモリ製品ファミリ 2 エラー訂正コード 3 故障率 (10億時間) 4 強誘電体RAM 5 不揮発性SRAM 6 メモリ位置へ順不同で読み出す／書き込むために直接アクセスを可能にするNVM 7 AgigA Tech社製 (サイプレスの子会社) の不揮発性デュアル インライン メモリ モジュール (NVDIMM)、DRAMとして完全な不揮発性、速度、容量およびアクセス可能回数をもつ Market Positioning

設計者が直面するNVMの問題 1. 最高性能を求められるシステムはプログラム メモリへのアクセスとして最速の読出し性能が必要 低い読出し速度はブート時間1を増やすだけでなく、動作中のCPU命令の実行速度を遅くする 従来の256Mb Quad SPI NORフラッシュ メモリ製品の読出し速度は54MBps以下 2. また、システム コストを削減するために少ピン数インターフェース (< 25ピン) も必要 多ピン数インターフェースはプリント基板の追加の信号層を必要とし、コストを増加させる 従来の256MbパラレルNORフラッシュ メモリは多くの制御とデータ ピンを備えた56ピン パッケージ (280mm2) を必要とする 3. 最高性能のシステムとして、高い信頼性が必要 < 1FITを必要とする高信頼性システムではシングルビット ソフト エラー データ破損は許容できない 従来の256Mb Quad SPI NORフラッシュ メモリ製品はシングルビット ソフト エラーを訂正するための内蔵ECCをサポートしない 4. 最高性能システムは、より高い温度範囲に対応しているコンポーネントを必要とする 小さいパッケージに実装された、エアフローの削減されたシステムには、より広い温度範囲で動作可能なコンポーネントが必要 従来の256Mb Quad SPI NORフラッシュ メモリ製品は+85ºC～+105ºCでの動作に制限されている サイプレスの256Mb HyperFlashは、以下の特長によってこれらの問題を解消: 最大166MHzと333MBpsの読み出し速度に対応したDDRモード 基板レイアウトを簡素化する、Quad SPIおよびDual Quad SPIと同じフットプリントを共有する少ピン数の48mm2、24ボール パッケージ デバイスごとに < 0.1FITのFITレートを実現した内蔵ECC -40ºC～+125ºCの拡張動作温度範囲 サイプレスは、業界最速、少ピン数、高信頼性、拡張温度範囲に対応した256Mb HyperFlashを、最高性能のシステム 向けとして提供 1 NVMに格納された命令の自動実行を完了するために、電源投入時にシステムが要する時間 Design Problems

サイプレスのHyperFlash NORフラッシュ メモリは業界の最高の読み出し速度を... 可能な限り少ピン数と組み合わせて... 最高性能のシステムを実現 読み出し速度 (MBps) データ転送用のピン (ピン数) 車載用インストルメント クラスタ Visteon社製 Hyper- Flash DDR Quad SPI SPI ページ モード パラレル Hyper- Flash DDR Quad SPI SPI ページ モード パラレル1 1 256Mbパラレル デバイスのピン数 Cypress Solution

一般的な少ピン数フットプリント 適正なソリューション: Single-Quad SPI NORフラッシュ メモリ より優れたソリューション: Dual-Quad SPI NORフラッシュ メモリ ベスト ソリューション: HyperFlash™メモリ RESET#4 VSS VCC RFU1 RSTO#2 CK#5 CK5 VSSQ CS#6 RWDS7 DQ4 VCCQ DQ0 DQ1 DQ2 DQ7 DQ6 DQ5 INT#3 DQ3 RFU1 RFU1 RESET#/ RFU RFU1 RFU1 CS2# RESET#/ RFU RFU1 RFU1 SCK VSS VCC RFU1 SCK2 SCK1 VSS VCC RFU1 RFU1 CS# RFU3 IO2 RFU1 VSS CS1# RFU1 IO2 RFU1 RFU1 IO1 IO0 IO3 RFU1 RFU1 IO1 IO0 IO3 IO4 RFU1 RFU1 RFU1 VIO/RFU RFU1 IO7 IO6 IO5 VIO VSS 80MBps、128Mb～1Gb 160MBps、256Mb～1Gb 333MBps、128Mb～512Mb Single Quad SPIに必要なピン Dual-Quad SPIに必要な追加のピン HyperFlashに必要な追加のピン データ トランザクションに必要なピン: サイプレスのHyperFlash NORフラッシュ メモリは同じパッケージ フットプリントで拡張可能な性能および容量を提供 1 RFU: 将来の使用のために予約済み；現時点ではパッケージ コネクタに接続しているデバイス信号 はないが、将来コネクタに信号が接続する可能性がある 2 RSTO#: リセット出力；オプションのピンで、データ トランザクションには必要ない 3 INT#: 割り込み出力；オプションのピンで、データ トランザクションには必要ない 4 RESET#: ハードウェア リセット；オプションのピンで、データ トランザクションには必要ない 5 CK/CK#: 差動クロック ペア 6 CS#: チップ セレクト 7 RWDS: 読み書きデータ ストローブI/O Cypress Solution

サイプレス1.8V 256Mb (KS256S) HyperFlashメモリと他社製品との比較 機能 S26KS256S S25FS256S N25Q256A MX25U25635F インターフェース HyperBus Quad SPI I/Oピン数 8 4 クロック レート (DDR) 166MHz 80MHz 54MHz 非対応 読み出しDDR速度 (Max) 333MBps 80MBps1 54MBps1 プログラム時間 (512B)2 0.475ms 1.0ms3 2.0ms3 セクタ消去時間 (256KB)2 930ms 1400ms4 1600ms4 チップ消去時間2 110s 120s 240s 200s 温度範囲 -40ºC～+125ºC -40ºC～+105ºC -40ºC～+85ºC 1 DDRクロック レートで計算 2 条件: 25ºC、VCC 3.0V、100kの最小アクセス回数 3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム 時間は2つの256Bプログラム動作で計算 4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算 Competitive Comparison

サイプレス1.8V 256Mb (KS256S) HyperFlashメモリ アプリケーション ブロック図 先進運転支援システム (ADAS) 車載用インストルメント クラスタ 車載用インフォテインメント 通信機器 最高性能の民生製品 1.8V 256Mb HyperFlashメモリ DQ0～ DQ7 I/O 組込み 電圧制御 8 アレイ CS# Hyper– Bus Xデコーダー 特長 CK 動作電圧範囲: 1.70V～1.95V 100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min) +55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ) 初期アクセス時間: 96ns4 クロック レート: 166MHz、333MBpsの読み出し速度 プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ) セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ) 内蔵ECC: シングルビット ソフト エラー5訂正 産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC 産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC 拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm 制御 ロジック CK# Yデコーダー RWDS8 25 RESET#9 256 データ パス INT#10 RSTO11 資料 出荷予定 データシート: S26KS256S サンプル出荷: 2015年9月 量産: 2015年10月 1 NORフラッシュ メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作 2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作 3 NORフラッシュ メモリ セクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数 4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データ バイトがクロック エッジごとに転送される。 166MHzでは、連続データ レートは333MBps 5 自然放射線により生じるデータ エラー 6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル (Min) 7 ボール グリッド アレイ (BGA) は1mmボール ピッチに対応 8 読み書きデータ ストローブI/O 9 ハードウェア リセット；データ トランザクションに必要信号ではない 10 割り込み出力；データ トランザクションに必要信号ではない 11 リセット出力；データ トランザクションに必要信号ではない Product Overview

HyperFlashおよびHyperRAM ポートフォリオ S26KS-S1 65nm、1.8V S26KL-S1 65nm、3.0V HyperRAM S27KS-12 63nm、1.8V S27KL-12 63nm、3.0V メモリ容量 初期アクセス／DDRクロック * 温度範囲 1Gb3 96ns／166MHz * I、A、V、B、N、M 1Gb3 96ns／100MHz * I、A、V、B、N、M ≥ 256Mb 512Mb 96ns／166MHz * I、A、V、B、N4、M4 Q315 512Mb 96ns／100MHz * I、A、V、B、N4、M4 Q315 512Mb3 要営業問合せ 512Mb3 要営業問合せ 256Mb 96ns／166MHz * I、A、V、B、N4、M4 Q415 256Mb 96ns／100MHz * I、A、V、B、N4、M4 Q315 256Mb3 要営業問合せ 256Mb3 要営業問合せ 128Mb 96ns／166MHz * I、A、V、B、N4、M4 Q315 128Mb 96ns／100MHz * I、A、V、B、N4、M4 Q315 128Mb 要営業問合せ 128Mb 要営業問合せ 64～128Mb 64Mb 36ns／166MHz * I、A、V、B Q415 64Mb 36ns／100MHz * I、A、V、B Q315 * C = 民生用: -0ºC～+70ºC I = 産業用: -40ºC～+85ºC A = 産業用、AEC-Q100: -40ºC～+85ºC V = 産業用拡張範囲: -40ºC～+105ºC B = 産業用拡張範囲、AEC-Q100: -40ºC～+105ºC N = 拡張温度範囲: -40ºC～+125ºC M = 拡張温度範囲、AEC-Q100: -40ºC～+125ºC 1 S26 = HyperFlash 2 S27 = HyperRAM 3 S70シリーズ (ダイスタック製品) 4 要営業問合せ 量産中 サンプル出荷 開発中 企画中 状況 出荷予定 QQYY QQYY EOL (廃止予定) QQYY Roadmap

さあ、始めてみましょう！ データシートをダウンロード: サイプレスKL/KSデータシート アプリケーション ノートをダウンロード: HyperFlashのプログラマ ガイド 詳細については、営業担当者までお問い合わせください 車載用インフォテインメント システム Hyundai社製 スイッチ シスコ社製 Getting Started

付録

付録の目次 スライド トピック 内容 16 参考資料およびリンク 主要なドキュメントへのリンク 17 1.8V 128Mb (KS128S) 製品概要 1.8V 128Mb部品の製品概要 18 3V 128Mb (KL128S) 製品概要 3V 128Mb部品の製品概要 19 3V 256Mb (KL256S) 製品概要 3V 256Mb部品の製品概要 20 1.8V 512Mb (KS512S) 製品概要 1.8V 512Mb部品の製品概要 21 3V 512Mb (KL512S) 製品概要 3V 512Mb部品の製品概要 22 製品セレクタ ガイド NORフラッシュ メモリ ファミリの製品番号を解説 23 1.8V 128Mbと競合製品との比較スライド 1.8V 128Mb部品の競合製品との比較 24 3V 128Mbと競合製品との比較スライド 3V 128Mb部品の競合製品との比較 25 3V 256Mbと競合製品との比較スライド 3V 256Mb部品の競合製品との比較 26 1.8V 512Mbと競合製品との比較スライド 1.8V 512Mb部品の競合製品との比較 27 3V 512Mbと競合製品との比較スライド 3V 512Mb部品の競合製品との比較

参考資料およびリンク S26KL/KS-Sデータシート: サイプレスKL/KSデータシート アプリケーション ノート: HyperFlashのプログラマ ガイド ウェブサイト: KL/KSウェブサイト デザイン モデル: 営業までお問い合わせください 設計期間短縮に貢献するドライバーおよびソフトウェア: ドライバーおよびソフトウェア ハードウェア開発ツール: 営業までお問い合わせください 製品セレクタ ガイド: フラッシュ製品セレクタ ガイド 製品ロードマップ: HyperFlashポートフォリオ References and Links

サイプレス1.8V 128Mb (KS128S) HyperFlash メモリ アプリケーション ブロック図 先進運転支援システム (ADAS) 車載用インストルメント クラスタ 車載用インフォテインメント 通信機器 最高性能の民生製品 1.8V 128Mb HyperFlash メモリ DQ0～ DQ7 I/O 組込み 電圧制御 8 アレイ CS# Hyper– Bus Xデコーダー 特長 CK 動作電圧範囲: 1.70V～1.95V 100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min) +55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ) 初期アクセス時間: 96ns4 クロック レート: 166MHz、333MBpsの読み出し速度 プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ) セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ) 内蔵ECC: シングルビット ソフト エラー5訂正 産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC 産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC 拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm 制御 ロジック CK# Yデコーダー RWDS8 24 RESET#9 256 データ パス INT#10 RSTO11 資料 出荷予定 データシート: S26KS128S サンプル出荷: 2015年8月 量産: 2015年10月 1 NORフラッシュ メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作 2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作 3 NORフラッシュ メモリ セクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数 4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データ バイトがクロック エッジごとに転送される。 166MHzでは、連続データ レートは333MBps 5 自然放射線により生じるデータ エラー 6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル (Min) 7 ボール グリッド アレイ (BGA) は1mmボール ピッチに対応 8 読み書きデータ ストローブI/O 9 ハードウェア リセット；データ トランザクションに必要信号ではない 10 割り込み出力；データ トランザクションに必要信号ではない 11 リセット出力；データ トランザクションに必要信号ではない Product Overview

サイプレス3V 128Mb (KL128S) HyperFlashメモリ アプリケーション ブロック図 先進運転支援システム (ADAS) 車載用インストルメント クラスタ 車載用インフォテインメント 通信機器 最高性能の民生製品 3V 128Mb HyperFlashメモリ DQ0～ DQ7 I/O 組込み 電圧制御 8 アレイ CS# Hyper– Bus Xデコーダー 特長 CK 動作電圧範囲: 2.7V～3.6V 100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min) +55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ) 初期アクセス時間: 96ns4 クロック レート: 100MHz、200MBpsの読み出し速度 プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ) セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ) 内蔵ECC: シングルビット ソフト エラー5訂正 産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC 産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC 拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm 制御 ロジック Yデコーダー RWDS8 24 RESET#9 256 データ パス INT#10 RSTO11 資料 出荷予定 データシート: S26KL128S サンプル出荷: 2015年7月 量産: 2015年9月 1 NORフラッシュ メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作 2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作 3 NORフラッシュ メモリ セクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数 4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データ バイトがクロック エッジごとに転送される。 100MHzでは、連続データ レートは200MBps 5 自然放射線により生じるデータ エラー 6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル (Min) 7 ボール グリッド アレイ (BGA) は1mmボール ピッチに対応 8 読み書きデータ ストローブI/O 9 ハードウェア リセット；データ トランザクションに必要信号ではない 10 割り込み出力；データ トランザクションに必要信号ではない 11 リセット出力；データ トランザクションに必要信号ではない Product Overview

サイプレス3V 256Mb (KL256S) HyperFlashメモリ アプリケーション ブロック図 先進運転支援システム (ADAS) 車載用インストルメント クラスタ 車載用インフォテインメント 通信機器 最高性能の民生製品 3V 256Mb HyperFlashメモリ DQ0～ DQ7 I/O 組込み 電圧制御 8 アレイ CS# Hyper– Bus Xデコーダー 特長 CK 動作電圧範囲: 2.7V～3.6V 100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min) +55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ) 初期アクセス時間: 96ns4 クロック レート: 100MHz、200MBpsの読み出し速度 プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ) セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ) 内蔵ECC: シングルビット ソフト エラー5訂正 産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC 産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC 産業用拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm 制御 ロジック Yデコーダー RWDS8 25 RESET#9 256 データ パス INT#10 RSTO11 資料 出荷予定 データシート: S26KL256S サンプル出荷: 現在 量産: 2015年9月 1 NORフラッシュ メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作 2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作 3 NORフラッシュ メモリ セクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数 4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データ バイトがクロック エッジごとに転送される。 100MHzでは、連続データ レートは200MBps 5 自然放射線により生じるデータ エラー 6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル (Min) 7 ボール グリッド アレイ (BGA) は1mmボール ピッチに対応 8 読み書きデータ ストローブI/O 9 ハードウェア リセット；データ トランザクションに必要信号ではない 10 割り込み出力；データ トランザクションに必要信号ではない 11 リセット出力；データ トランザクションに必要信号ではない Product Overview

サイプレス1.8V 512Mb (KS512S) HyperFlashメモリ アプリケーション ブロック図 先進運転支援システム (ADAS) 車載用インストルメント クラスタ 車載用インフォテインメント 通信機器 最高性能の民生製品 1.8V 512Mb HyperFlashメモリ DQ0～ DQ7 I/O 組込み 電圧制御 8 アレイ CS# Hyper– Bus Xデコーダー 特長 CK 動作電圧範囲: 1.70V～1.95V 100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min) +55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ) 初期アクセス時間: 96ns4 クロック レート: 166MHz、333MBpsの読み出し速度 プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ) セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ) 内蔵ECC: シングルビット ソフト エラー5訂正 産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC 産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC 拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm 制御 ロジック CK# Yデコーダー RWDS8 26 RESET#9 256 データ パス INT#10 RSTO11 資料 出荷予定 データシート: S26KS512S サンプル出荷: 現在 量産: 2015年9月 1 NORフラッシュ メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作 2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作 3 NORフラッシュ メモリ セクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数 4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データ バイトがクロック エッジごとに転送される。 166MHzでは、連続データ レートは333MBps 5 自然放射線により生じるデータ誤り 6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル (Min) 7 ボール グリッド アレイ (BGA) は1mmボール ピッチに対応 8 読み書きデータ ストローブI/O 9 ハードウェア リセット；データ トランザクションに必要信号ではない 10 割り込み出力；データ トランザクションに必要信号ではない 11 リセット出力；データ トランザクションに必要信号ではない Product Overview

サイプレス3V 512Mb (KL512S) HyperFlashメモリ アプリケーション ブロック図 先進運転支援システム (ADAS) 車載用インストルメント クラスタ 車載用インフォテインメント 通信機器 最高性能の民生製品 3V 512Mb HyperFlashメモリ DQ0～ DQ7 I/O 組込み 電圧制御 8 アレイ CS# Hyper– Bus Xデコーダー 特長 CK 動作電圧範囲: 2.7V～3.6V 100,000プログラム1／セクタ消去2サイクル3 (Min) +55ºCでの20年のデータ保持期間 (Typ) 初期アクセス時間: 96ns4 クロック レート: 100MHz、200MBpsの読み出し速度 プログラム1時間 (512B): 475µs (Typ) セクタ消去2時間 (256KB): 930ms (Typ) 内蔵ECC: シングルビット ソフト エラー5訂正 産業用温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+85ºC 産業用拡張温度範囲 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+105ºC 拡張温度範囲6 (AEC-Q100は任意): -40ºC～+125ºC パッケージ: 24ボールBGA7 6mm x 8mm 制御 ロジック Yデコーダー RWDS8 26 RESET#9 256 データ パス INT#10 RSTO11 資料 出荷予定 データシート: S26KL512S サンプル出荷: 現在 量産: 2015年9月 1 NORフラッシュ メモリで値「1｣を値「0」に変更する動作 2 プログラミングに先立ち、NORフラッシュ メモリのセクタ内の全バイトを同時に消去する動作 3 NORフラッシュ メモリ セクタが寿命に至るまでのプログラム／消去可能回数 4 初期読み出しアクセス時間が経過した後、データ バイトがクロック エッジごとに転送される。 100MHzでは、連続データ レートは200MBps 5 自然放射線により生じるデータ誤り 6 拡張温度範囲に対応したデバイスのアクセス可能回数は10,000サイクル (Min) 7 ボール グリッド アレイ (BGA) は1mmボール ピッチに対応 8 読み書きデータ ストローブI/O 9 ハードウェア リセット；データ トランザクションに必要信号ではない 10 割り込み出力；データ トランザクションに必要信号ではない 11 リセット出力；データ トランザクションに必要信号ではない Product Overview

HyperFlashメモリ 製品セレクタ ガイド S26KL/KS-S製品番号解説 S 26XX YYY S DA B H I 02 0 パッケージ タイプ: 0 = トレイ 3 = 13″テープ & リール モデル番号: 02 = 24ボールBGA、1mm高さ 03 = DDR中央揃え読み出しストローブ、 24ボールBGA、1mm高さ 温度範囲: I = 産業用 (-40ºC～+85ºC) V = 産業用拡張 (-40ºC～+105ºC) N = 拡張 (-40ºC～+125ºC) パッケージ材料: H = ローハロゲン パッケージ タイプ: B = BGA 6x8mm、1.0mmピッチ 性能: DA = 100MHz DG = 133MHz DP = 166MHz 技術: S = 65nm MirrorBitプロセス技術 容量: YYY = 128 128Mb YYY = 256 256Mb YYY = 512 512Mb デバイス ファミリ: XX = KL 3.0V HyperFlashメモリ XX = KS 1.8V HyperFlashメモリ スパンション Product Selector Guide

サイプレス1.8V 128Mb (KS128S) HyperFlashメモリと他社製品との比較 機能 S26KS128S S25FS128S N25Q128A13 W25Q128FW MX25U12835F インターフェース HyperBus Quad SPI I/Oピン数 8 4 クロック レート (DDR) 166MHz 80MHz 非対応 読み出しDDR速度 (Max) 333MBps 80MBps1 プログラム時間 (512B)2 0.475ms 1.0ms3 1.4ms3 セクタ消去時間 (256KB)2 930ms 2,800ms4 600ms4 1,400ms4 チップ消去時間2 55s 60s 120s 40s 100s 温度範囲 -40ºC～+125ºC -40ºC～+105ºC -40ºC～+85ºC 1 QIOによるDDRクロック レートで計算 2 条件: 25ºC、VCC 3.0V、100kの最小アクセス回数 3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム 時間は2つの256Bプログラム動作で計算 4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算 Competitive Comparison

サイプレス3V 128Mb (KL128S) HyperFlashメモリと他社製品との比較 機能 S26KL128S S25FL128S N25Q128A13 W25Q128FV MX25L12835F インターフェース HyperBus Quad SPI I/Oピン数 8 4 クロック レート (DDR) 100MHz 80MHz 非対応 読み出しDDR速度 (Max) 200MBps 80MBps1 プログラム時間 (512B)2 0.475ms 0.340 ms 1.0ms3 1.4ms3 セクタ消去時間 (256KB)2 930ms 520ms 2,800ms4 600ms4 1,120ms4 チップ消去時間2 55s 33s 170s 40s 50s 温度範囲 -40ºC～+125ºC -40ºC～+85ºC 1 QIOによるDDRクロック レートで計算 2 条件: 25ºC、VCC 3.0V、100kの標準アクセス回数 3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム 時間は2つの256Bプログラム動作で計算 4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算 Competitive Comparison

サイプレス3V 256Mb (KL256S) HyperFlashメモリと他社製品との比較 機能 S26KL256S S79FL256S S25FL256S N25Q256A13 インターフェース HyperBus Dual-Quad SPI Quad SPI I/Oピン数 8 4 クロック レート (DDR) 100MHz 80MHz 54MHz 読み出しDDR速度 (Max) 200MBps 160MBps1 80MBps1 54MBps1 プログラム時間 (512B)2 0.475ms 0.25ms 0.5ms 1.0ms3 セクタ消去時間 (256KB)2 930ms 520ms 2,800ms4 チップ消去時間2 110s 33s 66s 240s 温度範囲 -40ºC～+125ºC -40ºC～+105ºC 1 QIOによるDDRクロック レートで計算 2 条件: 25ºC、VCC 3.0V、100kの標準アクセス回数 3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム 時間は2つの256Bプログラム動作で計算 4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算 Competitive Comparison

サイプレス1.8V 512Mb (KS512S) HyperFlashメモリと他社製品との比較 機能 S26KS512S S25FS512S MT25QU512AB MX66U51235F インターフェース HyperBus Quad SPI I/Oピン数 8 4 クロック レート (DDR) 166MHz 80MHz 66MHz 非対応 読み出しDDR速度 (Max) 333MBps 80MBps1 67MBps1 プログラム時間 (512B)2 0.475ms 0.4ms3 2.0ms3 セクタ消去時間 (256KB)2 930ms 600ms4 1,600ms4 チップ消去時間2 220s 153s 200s 温度範囲 -40ºC～+125ºC -40ºC～+105ºC -40ºC～+85ºC 1 QIOによるDDRクロック レートで計算 2 条件: 25ºC、VCC 3.0V、100kの最小アクセス回数 3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム 時間は2つの256Bプログラム動作で計算 4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算 Competitive Comparison

サイプレス3V 512Mb (KL512S) HyperFlashメモリと他社製品との比較 機能 S26KL512S S79FL512S S25FL512S MT25QL512AB MX25L51245F インターフェース HyperBus Dual-Quad SPI Quad SPI I/Oピン数 8 4 クロック レート (DDR) 100MHz 80MHz 66MHz 読み出しDDR速度 (Max) 200MBps 160MBps1 80MBps1 67MBps1 100MBps1 プログラム時間 (512B)2 0.475ms 0.25ms 0.34ms 0.4ms3 0.5ms3 セクタ消去時間 (256KB)2 930ms 520ms 600ms4 1,120ms4 チップ消去時間2 220s 66s 103s 153s 200s 温度範囲 -40ºC～+125ºC -40ºC～+105ºC -40ºC～+85ºC 1 QIOによるDDRクロック レートで計算 2 条件: 25ºC、VCC 3.0V、100kの標準アクセス回数 3 これらの製品は512Bプログラミングに対応していない。プログラム 時間は2つの256Bプログラム動作で計算 4 これらの製品は256KBセクタ消去に対応していない。消去時間は4つの64KBセクタ消去動作で計算 Competitive Comparison