電界効果トランジスタの動特性 FET(Field Effective Transistor)とは 電圧制御型の能動素子 (VGSによりIDを制御する) D：ドレイン S：ソース G：ゲート PチャンネルJFET：接合型FET D：ドレイン S：ソース G：ゲート NチャンネルJFET：接合型FET 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
NチャンネルJFET 空乏層の成長 VDS:ソース・ドレイン間電圧 VGS:ゲート電圧 D S G P N ID：ドレイン電流 チャネル ピンチオフってなに？ ID：ドレイン電流 チャネル 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
出力信号波形観測 CH1: VGS + vGS CH2: VDS + vDS e E1 R1 R2 R3 R4 or R5 12V t 224 e E1 R1 R2 R3 R4 or R5 12V S D G VDS VGS vGS vDS t 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
出力抵抗と相互コンダクタンス 出力特性 伝達特性 出力電圧 入力電圧 出力電流 VDS ID VGS VDS VGS=0 VGS=-0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 相互コンダクタンス 出力抵抗 電圧 電流 VDS 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
動作点 ID 動作点 VDS VGS 12V R4 VGS=0 VGS=-0.4 VGS=-0.8 VGS=-1.2 VGS=-1.6 -2.0 直流負荷直線 動作点 ID VDS ID VDS VDS ID ID VGS= ‐1.0 （E2による） VDS 12V VGS を 0 ～ ‐2.4 のように 変化させると 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
動作点と波形 ID 動作点 VDS VGS t VGS=0 VGS=-0.4 VGS=-0.8 VGS=-1.2 VGS=-1.6 -0.4 -2.0 直流負荷直線 動作点 VGS= ‐1.0 t VDS VGS vGS vDS 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
! 動作点が変わったら？ ID 動作点 VDS VGS VGS=0 VGS=-0.4 VGS=-0.8 VGS=-1.2 VGS=-1.6 -2.0 直流負荷直線 動作点 VGS= ‐2.0 vDS VDS VGS vGS ! 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
実験上の注意 出力波形の観察 R4，R5の選択は静特性第1象限の結果から判断する 動作点は静特性第1象限の結果により各班で決める 波形は，DCカップリングで波形をスケッチする 結果を図式解析によって、説明する 増幅率の算出時にR4（あるいはR5）を考慮すること 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験