I：線吸収 ２００６年１２月１１日 単位名 学部 :天体輻射論I 大学院：恒星物理学特論IV 教官名 中田 好一

Presentation on theme: "I：線吸収 ２００６年１２月１１日 単位名 学部 :天体輻射論I 大学院：恒星物理学特論IV 教官名 中田 好一"— Presentation transcript:

1 I：線吸収 ２００６年１２月１１日 単位名 学部 :天体輻射論I 大学院：恒星物理学特論IV 教官名 中田 好一
教官名　　　　　中田　好一 授業の最後に出す問題に対し、レポートを提出。 成績は「レポート＋出欠」でつけます。 レポート出題は今日が最終回です。 授業の内容は下のHPに掲載されます。 休講：１月１５日、１月２９日 Ｉ： 線吸収

2 Ｉ．１．古典的双極子による吸収 固有振動数νoの双極子モーメント p=‐qz が密度Nで散らばる媒質を考える。
この媒質の誘電率をεとすると、 εE=E + 4πNp=(1 + 4πNα)E　である。 この媒質を振動数νの電磁波Eが伝わる時、電磁波に起こる変化を求めよう。 入射電磁は真空中 （屈折率ｍ＝１）で　　 E=Eo exp[ 2πi(νt – kx)]　 媒質（屈折率 ｍ＝ｎ－iκ）中で　　 E=Eo exp[ 2πi(νt – mkx)] ＝ Eo exp[2πi(νt – ｎkx+iκkx)] p p p 電荷ｑの運動は、　　　 γ=g/m, (２πνo) 2=K/m, と置き、 Ｉ： 線吸収

3 －q z q z=A exp(i2πνt)とおいて、(－(2πν)2＋i2πγν＋(2πν0) 2 ) A= －(qEo/m)
双極子モーメントp=－qzは 従って、ｐ＝αE, (α=感受率 susceptibility) とおくと、 Ｉ： 線吸収

4 次に、双極子モーメントｐが密度Nで存在する媒質の誘電率εを求める。
　εE=E + 4πNp=(1 + 4πNα)E ε＝誘電率（dielectric constant） 複素屈折率　　　m=n－iκ　　　複素誘電率　　　　　　ε＝ｍ２＝(n－iκ)2 　 （ refractivity）　　　　　　　　　　　　（dielectric constant）　 星間空間では、誘電率ε＝１＋Δεとすると、Δε＜＜１である。 したがって、ｍ＝１＋（Δε/２）と近似できる。 ｍを実部と虚部に分けて、 Ｉ： 線吸収

5 上ではν＝ν０付近のみを考えて、(νo 2 –ν2)=2ν０(νo –ν)と近似している。
真空中(m=1)で Ｅ＝Ｅ０exp[ 2πi(νt – kx)] の電磁波が 屈折率 ｍ＝ｎー ｉκ の空間に入ると、 Ｅ＝Ｅ０exp[ 2πi(νt –ｍkx)]＝ Ｅ０exp[ -2πκkx)]exp[ 2πi(νt –ｎkx)] となる。これは減衰する電磁波を表している Ｉ： 線吸収

6 E=Eo・exp(－2πκkx）・ exp[ 2πi(νt – nkx)]
(Nq2/mνoγ) 媒体の 複素屈折率 ｍ＝ｎ－ｉκ κ ０ n-1 －2(γ/4π) ０ 2(γ/4π) (νo –ν) E=Eo・exp(－2πκkx）・ exp[ 2πi(νt – nkx)] E=Eo exp[ 2πi(νt – ikx)] ｜E|2=Eo2 ｜E|2=Eo2exp( -4πκkx) X Ｉ： 線吸収

7 S D σ(ν)＝双極子１個の吸収断面積 、 Ｎ＝双極子の数密度とすると、 ｜E|２＝Eo2 exp( -Nσ x) である。
前ページの｜E|2=Eo2exp( -4πκkx) と比べると、 4πκ(ν)k(ν)＝4πκ(ν)(ν/c)=Nσ(ν) [復習]　κとσの関係 σ＝吸収断面積( m2 )ｎ＝粒子数密度 (m-3) N=nSD＝ S×Dの筒内粒子数 透かして見ると、Ｓの内不透明部分の面積Ｘ＝Ｎσ ＝ nSDσ 入射光線Ｆ＝ＩＳが距離Ｄを通過する間にX/Sが失われるから、 dI=－I(X/S)=－I(nSDσ) /S= －I nσD=－IκD S D Ｉ： 線吸収

8 Ｉ．２．振動子強度 （Oscillator Strength、f-value）
σ(ν)=(q2/mc) (4π/γ) / {1+[(νo –ν)/(γ/4π)] 2}　の双極子が数密度ｎで 分布する媒質を考える。厚みＬの媒質を通過した光は、 　　Ｉ´（λ）＝Ｉ（λ）ｅｘｐ（－ｎＬσ(ν)） 　　Ｉ´（λ） Ｌ Ｉ（λ） Ｉ（λ）－Ｉ´（λ）＝Ｉ（λ）[１－ｅｘｐ（－ｎＬσ(ν)）] 弱吸収では、　[Ｉ（λ）－Ｉ´（λ）] / Ｉ（λ） = ｎＬσ(ν) Fc 等値巾　（Equivalent Width)　 W=∫ [Ｉ（λ）－Ｉ´（λ）] / Ｉ（λ） ｄλ 弱い吸収では上式より、　 　　W＝ ∫ｎＬσ(ν)ｄλ　 　　　＝ｎＬ∫σ(ν)ｄλ　 Fλ Wλ F=0 λ Ｉ： 線吸収

9 吸収断面積σ(ν) 吸収断面積の積分からはγが消える (q2/mc)(4π/γ) 積分値= (πq2/mc) γ/2π はγに依らない。 σ
a o-2 γ /4 o- o o+ o+2 3 f[2mc 2 /(h ] ∫σ )d = α fc/ λ c =( q /mc)f νo-2γ/4π νo-γ/4π νo νo+γ/4π νo+2γ/4π 吸収断面積σ(ν) (q2/mc)(4π/γ) 積分値= (πq2/mc) はγに依らない。 γ/2π Ｉ： 線吸収

10 結局、等値巾Ｗは吸収が弱い近似で計算すると、
で、どの吸収線も強度は一定となる。しかし、実際には吸収線毎にその強度は様々な値を取る。古典的電気双極子モデルではこの違いを説明できなかった。 量子力学によって電気双極子の吸収を計算すると、古典電磁気学が与えた吸収断面積に ｆ という係数をかければよいことが分かる。 したがって、量子力学的双極子による吸収断面積は f＝oscillator strength またはf-値( f-value) 。 また、等値巾Ｗは Ｉ： 線吸収

11 概算の場合は、吸収線ピークの吸収断面積は線幅Dを使って、
σｐ＝(πq2/mc) (λ2/c) f/D＝2.654・１０－２（ｃｍ２sec-１）ｆ・(λ2/Dc) Hα：　λ＝０．６５μ＝０．６５６3・１０－４ｃｍ D=0.00０１μ＝１０－８ｃｍ ｃ＝２．９９８・１０１０ｃｍ/sec　f=0.6407 　　を代入すると、 Hβ：　λ＝０．４８６１μ＝０．４８６１・１０－４ｃｍ D=0.00０１μ＝１０－８ｃｍ ｃ＝２．９９８・１０１０ｃｍ/sec　f=0.１１９３ 　　を代入すると、 Ｉ： 線吸収

12 振動子強度の例 例1：Lα線 selection rules ｇ＝４ ｇ＝２
　振動子強度の例 例1：Lα線 n=2 l=1 S=1/2 L=1 n=2 l=0 S=1/2 L=0 n=1 l=0 S=1/2 L=0 2P3/2 2P1/2 2S1/2 ｇ＝２ ｇ＝４ g （１ｓ２S1/2) ｆ（１ｓ２S1/22p２P１/2)=0.2774, ｆ（１ｓ２S1/22p２P１/2) =0.1387 g （１ｓ２S1/2) ｆ（１ｓ２S1/22p２P3/2)=0.5547, ｆ（１ｓ２S1/22p２P3/2) =0.2774 g （n=１) ｆ（n=１n=2)= =0.8321, ｆ（n=１n=2) =0.4161 selection rules Δｌ＝±１ ΔS＝０、ΔL=０、±１、　 ΔJ=０、±１　　　（J=0J=0、 L=0L=0を除く） Ｉ： 線吸収

13 例２：Hα レベル間遷移（ライン）のｆ－値 3d2D5/2 3d2D3/2 3p2P3/2 3p2P1/2 3s2S1/2 2p2P3/2
g=6 g=4 g=2 2p2P3/2 2p2P1/2 2s2S1/2 g=4 g=2 レベル間遷移（ライン）のｆ－値 ターム間遷移（マルチプレット）のｆ－値 transition gLfLU gL fLU 2s２S1/23p２P1/ 2s２S1/23p２P3/ 2p２P1/23s２S1/ 2p２P3/23s２S1/ 2p２P1/23d２D3/ 2p２P3/23d２D3/ 2p２P3/23d２D5/ transition gLfLU gL fLU 2s3p 2p3s 2p3d Hα線のｆ－値 2 Ｉ： 線吸収

14 Ｉ．３． Voigt Profile v=Ｖ 速度Ｖで動いている原子に、静止系で振動数νの光が当たる。原子は光の振動をνＤと見る。 ν
(νＤ－ν)/ν= Ｖ/c ドップラーシフト νＤ＝ν＋（Ｖ/ｃ）ν＝ν＋Ｄ 静止している原子の吸収断面積は、 速度分布 ｆ（Ｖ） で動く原子の 平均吸収断面積σＴ（ν）は　？ １．速度Ｖの原子の吸収断面積　σＶ（ν）＝σ（νＤ） 　　ここで、Ｖは光と同じ方向の速度成分であることに注意。 Ｉ： 線吸収

15 ２．速度分布 ｆ（Ｖ）、∫ｆ（Ｖ）ｄＶ＝１で規格化、 の原子の平均吸収断面積は
　　σＴ（ν）＝∫σＶ（ν）ｆ（Ｖ）ｄＶ＝∫σ（νＤ）ｆ（Ｖ）ｄＶ 　　で与えられる。 Ｄ＝（Ｖ/ｃ）ν　なので、 ただし、 Ｉ： 線吸収

16 ３．σＴ（ν）＝∫σ（νＤ）ｆ（Ｖ）ｄＶ をＤの積分で表示すると、
３．σＴ（ν）＝∫σ（νＤ）ｆ（Ｖ）ｄＶ　をＤの積分で表示すると、 ４．νＤで規格化する。 Ｉ： 線吸収

17 σT(ν) νＤ＝熱運動に よるドップラー巾 = Voigt function ∫V(u,a)du=1 ＝中心周波数との差 ＝吸収線自然巾
　　　よるドップラー巾 = Voigt function ∫V(u,a)du=1 ＝中心周波数との差 ＝ドップラーシフト ＝吸収線自然巾 熱運動をする気体原子の平均吸収断面積σT(ν) σT(ν) ドップラー　　 　　核 ローレンツ　 　　ウィング a=0 a=0.03 ν Ｉ： 線吸収

18 （１）ａ<<１の場合 （自然巾＜＜熱運動の巾、大抵の吸収線では成立）
Ｖｏｉｇｔ関数の性質 （１）ａ<<１の場合　（自然巾＜＜熱運動の巾、大抵の吸収線では成立） Ｈ or G （２） 1/(aπ) 2a ｘ ‐u Ｉ： 線吸収

19 (3) H(u=0) << G(x=-u) 、 大体 u＜≒１、 の領域では
原子の熱運動によるドップラーシフトが支配的でガウス型のプロファイルとなる。吸収線の中央部分なので、ドップラーコアとも呼ばれる。 (４) H(u=0) >> G(x=-u) 、大体 1<<u、の領域では 吸収線中心から離れるとドップラーシフトの影響が弱くなり、静止原子のローレンツ型プロファイルが再び出現する。 Ｉ： 線吸収

20 Ｉ．４． 線形大気での吸収線形成 吸収線形成を簡単なモデルで考えるために、次のような沢山の仮定をする。 （１） 局所平衡（ＬＴＥ）
（１）　局所平衡（ＬＴＥ） 　　　　Ｓλ（τＲ）＝Ｂλ[Ｔ（τＲ）]　　　　　　　　　　（τＲ＝ロスランド光学深さ） （２）　エディントンモデル 　　　　Ｔ（τＲ）４＝（３/４）Ｔｅ４ （ τＲ＋２/３）　　　 （３）　線形大気 　　　　Ｓλ（τＲ）＝Aλ＋ Ｂλ・τλ　 生憎、（１）と（３）は厳密には両立しない。そこで、（１）をτＲ＝０のまわりで一次式で展開して近似的に（３）と考える。 Ｉ： 線吸収

21 線形大気Ｓ（τ）＝Ａ＋Ｂτの大気表面からのフラックスは Ｆ＝π［Ａ＋Ｂ・（２/３）]＝πＳ（τ＝２/３）である。したがって、
したがって、（３）において、 と見なせば、（３）を（１）と両立させうる。 線形大気Ｓ（τ）＝Ａ＋Ｂτの大気表面からのフラックスは Ｆ＝π［Ａ＋Ｂ・（２/３）]＝πＳ（τ＝２/３）である。したがって、 または、 この式から分かるように、Ｆλ＝α＋（β/τλ）の形をしていて、 τλが大きい所ではＦλが小さくなる。これが、吸収係数が大きい波長で吸収線が現れる原因である。 Ｉ： 線吸収

22 浅いので温度が低く、フラックスが小さい。
もう少し物理的に考えると。 吸収係数が次の図のように、λ＝λＬで盛り上がっているとする。　 λＬでは吸収が強いので、浅いところでτＬ＝２/３に達する。浅いためにそこの温度は低い。 κλ 浅いので温度が低く、フラックスが小さい。 深いので温度が高く、フラックスが大きい。 λＬ τＲ= 0.0 　0.2 0.4 0.6 0.8 大気表面 τλ=2/3 λ Ｉ： 線吸収

23 吸収係数と吸収スペクトルの関係をもう少し調べてみよう。 λ＝ λＬの付近で、κ＝ κＣ＋κＬとする。
κ（λ） κＣ λ λＬ に注意して、前々頁のＦの式を書き直すと、 Ｉ： 線吸収

24 前頁の式を検討すると、まず、下から２行目に出てくる
はλＬ付近での連続スペクトルとなっていることがわかる。 連続スペクトルの強さは、 κＣとκＲの強さの比で決まる。 　　　κＲ＜ κＣ　　Ｆｏ＜Ｆｅ＝πＢ（Ｔｅ） 　　　κＲ＞ κＣ　　Ｆｏ＞Ｆｅ＝πＢ（Ｔｅ） 次に下から２行目の最後の項 は、吸収線を表す。吸収が弱い（κＬ＜κＣ）場合、吸収の深さがκＬに比例することがわかる。 最後の行の Ｉ： 線吸収

25 は吸収が強い場合には、大気の表面（Ｔ＝Ｔｏ）しか見通せないことを示している。 図示すると以下のようである。
弱いライン 大気表面Ｔ＝Ｔｏ ライン波長で見通せる深さ 連続光波長で見通せる深さ 有効温度Ｔ＝Ｔｅの深さ Ｉ： 線吸収

26 ピュアな吸収の場合、強い吸収の極限はＴ＝Ｔｏの大気表面からの輻射がスペクトルの底になる。
強いライン 大気表面（Ｔ＝Ｔｏ） ≒　ライン波長で見通せる深さ 連続光波長で見通せる深さ 有効温度Ｔ＝Ｔｅの深さ ピュアな吸収の場合、強い吸収の極限はＴ＝Ｔｏの大気表面からの輻射がスペクトルの底になる。 Ｉ： 線吸収

27 ） ） 吸収線の強度につれての形の変化 Ｆｃ（λ） Ｆ（λ） Ｆｏ（λ） λ κＬと共に深くなる κＬが非常に強いと吸収線の底が飽和する
Ｉ： 線吸収

28 Ｉ．５．等値巾 Ｗ （Equivalent Width）
吸収線の近くのみを考え、連続吸収の強度κＣ＝一定、吸収線では κλ＝κＣ＋κＬとする。　Ｆλ＝πＢλ[Ｔ（τλ＝2/3)] であるが、 τλ＝（２/３）の深さは連続光ではτＣ＝（2/3)(κC/κλ) < 2/3 に対応する。 弱い吸収ではκL<<κC　なので、 展開して、 Ｉ： 線吸収

29 線輪郭（line profile） Ｆλ 等値巾　Wλ=∫Rλdλ Ｒλ Wλ Ｒλ 1 １ ０ λ λ Ｉ： 線吸収

30 弱いライン： ドップラーコア： =光球（τＣ＝2/3）までの原子数
マクスウェル速度分布：　ｄＮ＝(Ｎ/ Vo π1/ ２)・exp[－(V/Vo)2]・ｄＶ 　　　　　　　　　　　　　　ここに、Vo ＝ （２ｋＴ/μｍＨ）1/ 　 　Ｖ　ーー＞　λ＝λo (1＋V/c) ＝ λo ＋Ｄ ドップラーシフト分布：　ｄＮ＝ (Ｎ/λＤπ1/ ２)・ｅｘｐ[－ (λ－λo)2/ λＤ２]・ｄＤ　　　　　　　　　　　　　　　　ここに、λＤ＝ λo・Vo /c 　 Ｉ： 線吸収

31 Ｒ(λ1) ＝Ｄとなるλ1より内側ではＲ＝Ｄで飽和する。
Ｆλ /ＦＣ 1 Ｄ Bλ(τC=０) ――――― Bλ(τC=2/3) λo λ1 λ Ｉ： 線吸収

32 Ｒ(λ1) ＝Ｄとなるλ1より内側ではＲ＝Ｄで飽和する。
Ｆλ /ＦＣ 1 Ｄ Bλ(τC=０) ――――― Bλ(τC=2/3) この時期はドプラーコアの吸収のみ で、吸収量Ｗの増加は小さい。 λo λ1 λ Ｉ： 線吸収

33 非常に強いラインでは、ドップラーコアは完全につぶれてしまい、ウイング 部分が飽和するようになる。ウィングの形はローレンツ型。
　ローレンツウィング　（Ｒｏ＞＞１） 非常に強いラインでは、ドップラーコアは完全につぶれてしまい、ウイング 部分が飽和するようになる。ウィングの形はローレンツ型。 Ｆλ /ＦＣ 1 Ｄ Bλ(τC=０) ――――― Bλ(τC=2/3) λo λ1 λ Ｉ： 線吸収

34 Ｉ．６．成長曲線 （Ｃｕｒｖｅ ｏｆ Ｇｒｏｗｔｈ）
Ｉ．６．成長曲線　（Ｃｕｒｖｅ　ｏｆ　Ｇｒｏｗｔｈ） 弱いライン Ｉ： 線吸収

35 ドップラーコア ローレンツウィング Ｉ： 線吸収

36 弱ライン、ドップラーコア飽和、ウィング飽和に対するｌｏｇ（Ｗ/ＤλＤ ）の近似値 （δ/λＤ=0.1、0.01 ）
　　　（δ/λＤ=0.1、0.01　） log (Ｘ0 /Ｄ) log(π1/2 Ｘ0 /Ｄ) log{２[ ln (Ｘ0 /D)] １/ ２ } log{２(Λ/λＤ) (Ｘ0 /Ｄ)1/2 } 　－２.０ 　　－１．７５ 　－１.０ 　　－０．７５ δ/λＤ 　－０.５ 　　－１．２５ ０．１ ０．０１ 　　０.０ 　　　 ０．２５ －０．７０ 　　０.５ ０．７５ ０．３３ －０．４５ 　　１.０ １．２５ ０．４８ 　－０．２０ 　　１.５ ０．５７ 　　０．０５ 　　２.０ ０．６３ 　　０．３０ 　　３.０ ０．７２ 　　０．８０ －０．２０ 　　３.5 　　　１．０５ 　　４.０ 　　　 ０．７８　 　　　１．３０ 　　０．３０　 　　５.０ 　　　０．８３ 　　　１．８０ Ｉ： 線吸収

37 成長曲線（Λ/λＤ=0.1　） 2 Log(W/DλＤ） 1 -1 -2 log X0/D Ｉ： 線吸収

38 レポート問題 Ｉ 出題１2月11日 提出１２月１8日 レポートには、問題番号、学生証番号、学科、学年、氏名を書くこと。
レポート問題 Ｉ　　　　　出題１2月11日　　　　提出１２月１8日 　　　　　　　　レポートには、問題番号、学生証番号、学科、学年、氏名を書くこと。 星間ガスは低温なので、可視域ではその放射を無視できる。したがって、星間ガスによる恒星の光の吸収に対する吸収は、I＝Ｉｏ ｅｘｐ（－τ）で表される。 吸収原子のコラム数密度＝Ｎとすると、τ （λ）＝Ｎσ（λ）である。 また、Λ/λＤ＝０.１とする。 授業では温度勾配のある恒星大気での吸収線の成長曲線を扱った。星間空間での 吸収に対する成長曲線を以下の順で考えよ。 １）　吸収が弱いときの等値巾Ｗを求めよ。 ２）　Ｎが増加して、吸収が強くなったときのＷの近似式を授業にならって求めよ。 ３）　この吸収の成長曲線を求め、グラフにせよ。Ｘｏとしてはどんな式が適当か？ Ｉ： 線吸収