電界効果トランジスタの静特性 FET(Field Effective Transistor)とは 電圧制御型の能動素子 (VGSによりIDを制御する) D：ドレイン S：ソース G：ゲート PチャンネルJFET：接合型FET D：ドレイン S：ソース G：ゲート NチャンネルJFET：接合型FET 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
NチャンネルJFET 空乏層の成長 VDS:ソース・ドレイン間電圧 VGS:ゲート電圧 D S G P N ID：ドレイン電流 チャネル ピンチオフってなに？ ID：ドレイン電流 チャネル 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
JFET静特性の測定回路 ID VDS VGS R1 R2 R4 E2 E1 VDS, ID ：可動コイル型 VGS ：マルチメータ D A ：可動コイル型 VGS ：マルチメータ 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
静特性 第１象限 E2で設定 ID VDS VGS E1を可変 VGSをパラメータとして VDS‐ID特性を測定 VGS=0 VGSをパラメータとして VDS‐ID特性を測定 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
静特性 第2象限 ID VDS VGS VDS VDSの時の VGS－ID特性 VGS=0 VGS=-0.4 VGS=-0.8 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 静特性 第2象限 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
出力抵抗と相互コンダクタンス 出力特性 伝達特性 出力電圧 入力電圧 出力電流 VDS ID VGS VDS VGS=0 VGS=-0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 相互コンダクタンス 出力抵抗 電圧 電流 VDS 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
動作点 ID 動作点 VDS VGS 12V R4 VGS=0 VGS=-0.4 VGS=-0.8 VGS=-1.2 VGS=-1.6 -2.0 直流負荷直線 動作点 ID VDS ID VDS VDS ID ID VGS= ‐1.0 （E2による） VDS 12V VGS を 0 ～ ‐2.4 のように 変化させると 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験
実験上の注意 静特性の測定 VGS は負の電圧 VGS=0のときは、ゲート・ソース間を短絡する VDS が 12V 以上になるまでデータを取る。 （動特性の測定時の電源電圧が１２Vのため） データの取得と同時にグラフにプロット なぜか ＝＞＞ プロットから測定ミスに気がつく なお、次回の波形観察時の動作点の決定にも使用 2006 10.10 電気電子工学科基礎実験